Описание схемы исследуемого устройства

Лабораторная работа № 1

Исследование усилителей сигналов

На биполярных транзисторах

Цель работы: исследование параметров усилителей сигналов переменного тока в зависимости от схемы включения биполярных транзисторов и начального смещения, задаваемого на базе, эмиттере и коллекторе транзисторов.

Описание схемы исследуемого устройства

В лабораторной работе исследуются усилители сигналов на биполярных транзисторах, включенных по схеме с общим эмиттером ОЭ, с общей базой ОБ и общим коллектором ОК (рисунок, а – в).

Расчет схем таких усилителей осуществляется в 2 этапа и включает расчет по постоянному и переменному токам.

Расчет по постоянному току. Расчет позволяет задать исходные смещения на базе, эмиттере и коллекторе транзисторов с помощью резисторов, благодаря чему транзистор работает как регулируемый генератор тока и обеспечивает усиление по току и напряжению.

Рассмотрим пример расчета по постоянному току схемы с общим эмиттером. Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru

Для реализации усилительных свойств эмиттерный p-n-переход биполярного транзистора должен быть смещен прямо, а коллекторный p-n-переход – обратно. Следовательно, при использовании транзистора n-p-n-типа потенциал базы Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru должен быть выше потенциала эмиттера Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru на величину смещения эмиттерного p-n-перехода Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru (порядка 0,2…0,5 В), а потенциал коллектора Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru – соответственно на величину смещения коллекторного p-n-перехода Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru (порядка 0,3…0,7 от уровня Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru ). Задание потенциала базы Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru обеспечивается с помощью потенциометрического делителя напряжения на сопротивлениях Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru и Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru : Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru = Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru / ( Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru + Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru ).

Для снижения шунтирующего действия сопротивлений Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru и Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru на источник сигнала Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru необходимо, чтобы Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru и Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru были значительно меньше сопротивления источника сигнала Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru . Ток делителя Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru = Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru / ( Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru + Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru

Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru

Функциональные электрические схемы усилителей:

а – с ОЭ; б – с ОБ; в – с ОК

3…5 раз должен превышать задаваемый ток базы Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru транзистора.

Потенциалы эмиттера Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru и коллектора будут зависеть от тока базы Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru и определяются соотношениями:

Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru = Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru - Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru = Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru ;

Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru = Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru + Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru = Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru - Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru ,

где токи эмиттера Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru и коллектора Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru равны соответственно Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru = (b +1) Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru ,

Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru = b Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru ;b - статический коэффициент усиления тока базы.

При значительных уровнях входного сигнала для эффективного использования динамического диапазона изменения выходного сигнала целесообразно задать напряжение смещения Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru = 0,5 Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru .

Расчет по постоянному току усилителей на транзисторах, включенных по схемам с ОБ и ОК, осуществляется аналогичным образом.

Расчет по переменному току. На этом этапе определяются номиналы элементов схемы, влияющих на работу усилителей по переменному току, т. е. при усилении сигналов, а также рассчитываются параметры усилителя.

Основными параметрами усилителя являются коэффициенты усиления по напряжению Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru , по току Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru , мощности Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru , входное Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru и выходное Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru сопротивления. Соотношения для определения этих параметров при различных схемах включения транзисторов приведены в таблице, где Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru – динамическое сопротивление базы транзистора; Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru и Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru – динамические сопротивления эмиттерного и коллекторного p-n-переходов; Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru = j/ Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru =

= 26 мВ/ Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru ; Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru ® µ; a – динамический коэффициент передачи тока эмиттера; b – динамический коэффициент усиления тока базы; j – фазовый сдвиг между входным и выходным сигналами.

Сравнивая различные схемы включения биполярных транзисторов в усилителе можно отметить, что наибольшим входным и наименьшим выходным сопротивлением обладает схема с ОК, наименьшее входное сопротивление обеспечивает схема с ОБ, а наибольшие коэффициенты усиления по напряжению, току и мощности можно получить, используя схему с ОЭ.

При расчете усилителей необходимо выполнить требование по согласованию источника сигнала с нагрузкой. Оно заключается в том, что для максимального отбора сигнала от источника на нагрузку сопротивление нагрузки должно быть значительно больше сопротивления источника сигнала.


Параметр усилителя Схема включения транзистора
ОЭ ОБ ОК
Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru b [ Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru || Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru ] / [ Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru + + (b + 1)( Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru + Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru )] a [ Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru || Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru ] / [ Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru (1 – a) + Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru ] (b + 1)[ Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru || Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru ] / [ Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru + + (b + 1)( Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru + Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru || Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru )]
Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru b Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru / ( Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru + Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru ) a Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru / ( Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru + Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru ) (b + 1) Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru / ( Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru + Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru )
Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru
Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru + (b + 1)( Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru + Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru ) Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru (1 – a) + Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru + (b + 1)( Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru + Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru || Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru )
Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru || Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru || Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru || Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru
Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru || Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru » Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru || Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru » Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru + ( Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru + Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru ) / (b + 1)
j 180°

Для источника сигнала Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru нагрузкой является усилитель, а ток, протекающий через Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru , будет определяться как значением сопротивления Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru , так и полным входным сопротивлением усилителя Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru . Его можно вычислить, зная сопротивление базового делителя Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru и входное сопротивление Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru :

Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru = Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru || Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru ; Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru = Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru || Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru .

Для усилителя, который сам является источником сигнала, нагрузкой будет Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru . Поэтому для достижения максимального усиления сигнала и передачи его на нагрузку сопротивление Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru должно быть значительно больше выходного сопротивления усилителя.

Конденсаторы Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru и Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru обеспечивают развязку цепей источника сигнала и нагрузки по постоянному и переменному токам, т. е. они исключают влияние источника сигнала и нагрузки при их подключении на исходное смещение транзистора. Их номиналы рассчитываются в соответствии со следующими соотношениями:

для схемы с ОЭ

Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru ³ 1/[ Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru ( Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru + Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru )]; Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru ³ 1/[ Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru ( Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru + Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru )]; Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru ³ 1/( Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru );

для схемы с ОБ

Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru ³ 1/[ Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru ( Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru + Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru )]; Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru ³ 1/[ Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru ( Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru + Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru )]; Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru ³ 1/( Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru );

для схемы с ОК

Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru ³ 1/[ Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru ( Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru + Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru )]; Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru ³ 1/ [ Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru ( Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru + Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru )],

где Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru – нижняя граница частотного диапазона работы усилителя.

Конденсатор Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru в схеме с ОЭ позволяет задать необходимую глубину отрицательной обратной связи. Он снижает влияние сопротивления Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru на коэффициент усиления по напряжению. Возможно подключение Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru к части сопротивления Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru ( Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru = Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru + Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru ). При этом коэффициент усиления Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru будет определяться частью сопротивления Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru , которая не шунтируется конденсатором Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru : Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru = b [ Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru || Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru ] / [ Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru + (b + 1)( Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru + Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru )].

Порядок выполнения работы

1. Собрать на макетном поле усилитель переменного сигнала на биполярных транзисторах, включенных по схемам с ОЭ, ОБ и ОК.

2. Изменяя номиналы сопротивлений базового делителя Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru и Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru с помощью вольтметра замерить потенциалы на базе, эмиттере и коллекторе транзисторов. Выявить зависимость между напряжением смещения Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru и Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru . Путем изменения номинала сопротивления Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru установить его влияние на Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru .

3. Подключить генератор сигналов низкой частоты к входу усилителя, установить уровень входного сигнала Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru = 0,1; 0,2; 0,3; 0,4; 0,5; 0,6; 0,7 В. Замерить амплитуду сигнала на выходе усилителя. В режиме внешней синхронизации осциллографа сравнить фазу входного и выходного сигналов.

4. Подключить последовательно к входу усилителя сигналов эталонное сопротивление Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru = 10 кОм и при уровне сигнала на выходе генератора сигналов Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru = 0,1 В замерить амплитуду сигнала на выходе усилителя. Повторить измерения при сопротивлении Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru = 100 кОм. Рассчитать входное сопротивление усилителя Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru по формуле

Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru = Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru /( Описание схемы исследуемого устройства - student2.ruОписание схемы исследуемого устройства - student2.ru ),

где Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru и Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru – выходные сигналы без и с подключением эталонного сопротивления.

5. Подключить генератор сигналов к входу усилителя и подать сигнал с амплитудой Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru = 0,1 В. Замерить уровень выходного сигнала. Подключить последовательно нагрузке усилителя Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru эталонное сопротивление Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru =

= 10 кОм. Замерить уровень сигнала на нагрузке. Вычислить выходное сопротивление усилителя по формуле

Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru = [ Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru + Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru ( Описание схемы исследуемого устройства - student2.ruОписание схемы исследуемого устройства - student2.ru )] / ( Описание схемы исследуемого устройства - student2.ruОписание схемы исследуемого устройства - student2.ru ),

где Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru и Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru – выходные напряжения соответственно без и с последовательно включенным сопротивлением Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru .

Содержание отчета

1. Функциональные схемы собранных усилителей с использованием биполярных транзисторов p-n-p- и n-p-n-типов с указанием номиналов всех элементов схемы.

2. Таблица потенциалов исходного смещения базы, эмиттера и коллектора транзисторов для всех усилителей.

3. Таблица выходных напряжений для уровней входного сигнала Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru =

= 0,1; 0,2; 0,4; 0,5; 0,6 и 0,7 В и соответствующих им экспериментально полученных значений коэффициентов усиления сигналов по напряжению.

4. Временные диаграммы сигналов на базе, эмиттере и коллекторе транзисторов.

5. Расчет коэффициентов усиления по напряжению, току и мощности, входного и выходного сопротивлений усилителей для исследуемых схем включения транзисторов.

6. Расчет входных и выходных сопротивлений усилителей по результатам экспериментальных исследований.

7. Сравнительный анализ свойств усилителей на биполярных транзисторах, включенных по схемам с ОЭ, ОБ, ОК.

Контрольные вопросы

1. В чем заключается сущность расчета усилителя по постоянному и переменному токам?

2. Какие элементы схемы влияют на исходное смещение транзистора?

3. Какие элементы схемы влияют на параметры усилителя по переменному току?

4. Зачем используются разделительные конденсаторы в усилителях, конденсатор в эмиттерной цепи схемы с ОЭ, конденсатор в цепи базы в схеме с ОБ?

5. Перечислите пути повышения входного сопротивления и снижения выходного сопротивления усилителей.

6. Перечислите пути повышения коэффициентов усиления по напряжению и току.

7. Как сказывается на параметрах усилителя увеличение (снижение) напряжения питания Описание схемы исследуемого устройства - student2.ru ?

8. Перечислите пути расширения амплитудного диапазона усиления сигнала.

9. Перечислите пути расширения частотного диапазона усиления сигнала.

10. В чем различие между расчетами многокаскадных усилителей переменного и постоянного тока?

Лабораторная работа № 2

Наши рекомендации