Вольт-амперная характеристика р-n-перехода
Для того чтобы выяснить, как зависит ток р-n-перехода от приложенного к нему напряжения, рассмотрим распределение концентрации неосновных носителей зарядов и токов в областях, прилегающих к р-n-переходу (рис. 1.63, а).
При подаче на р-n-переход прямого напряжения уменьшается высота потенциального барьера, возрастают потоки основных носителей зарядов и возникает инжекция электронов в p-область и дырок в n-область. Инжектированные электроны в соответствии с (1.64) диффундируют в глубь р-области, и их концентрация по мере удаления отсечения хp убывает по экспоненциальному закону (рис. 1.63, б). То же самое происходит с дырками, инжектированными в n-область. Неравномерное распределение концентрации неосновных носителей заряда ведет к возникновению токов диффузии jдиф.n(x) и jдиф.p(x) определяемых уравнениями (1.72) и (1.73), и рекомбинационных токов jрек..p (x) и jдиф.n(x) (рис. 1.63, в). Уход электронов из n-области (поток 1) в р-область ведет к возникновению тока проводимости электронов jпpo.n. Аналогично в р-области возникает ток проводимости дырок jпров.p.
Из приведенных графиков распределения токов следует, что плотность тока через р-n-переход равна сумме диффузионных токов на его границах:
Плотность тока диффузии электронов в сечении хp в соответствии с (1.72) равна
(1.88)
Плотность тока диффузии дырок в сечении хп в соответствии с (1.73) равна
(1.89)
Градиент концентрации электронов в сечении х = хр можно найти, дифференцируя (1.64):
(1.90)
Соответственно, градиент концентрации дырок в сечении хп равен
(1.91)
Избыточная концентрация электронов и дырок на границах p-n-перехода зависит от приложенного напряжения, изменяющего высоту потенциального барьера. При отсутствии внешнего напряжения высота барьера определяется (1.76). Учитывая, что Nd –nn,, Na =рp и , (1.76) можно представить в виде
Отсюда получаем
(1.92)
При подаче прямого напряжения потенциальный барьер становится равным φк = φко - и, а концентрация электронов в сечении хр — равной п(хр). Тогда (1.92) можно представить в виде
Избыточная концентрация электронов равна
(1.93)
Аналогично, избыточная концентрация дырок равна
(1.94)
Подставляя (1.93) и (1.94) соответственно в (1.90) и (1.91), а (1.90) и (1.91) - в (1.88) и (1.89), получим электронную и дырочную составляющие тока в следующем виде:
(1.95)
(1.96)
Суммируя диффузионные токи, получим уравнение вольт-амперной характеристики:
, (1.97)
где
(1.98)
Ток j0 называют тепловым током, поскольку он создается неосновными носителями заряда, возникающими в результате тепловой генерации. Знак «минус» указывает на то, что направление этого тока противоположно положительному направлению оси х.
При Nd >> NA тепловой ток создается электронами, генерируемыми в р-области. В этом случае
(1.98,a)
При Na >> Nd тепловой ток создается дырками, генерируемыми в n-области. Тогда
(1.98,б)
Формулу (1.98) можно преобразовать, умножив числитель и знаменатель первой дроби на Ln а второй — на Lp. Тогда, учитывая, что и , получим
(1.99)
В этом выражении отношения nр/τn и рп/τр есть не что иное, как скорости генерации электронов и дырок соответственно. Следовательно, тепловой ток создается только теми неосновными носителями заряда, которые генерируются в объемах полупроводника, прилегающих к границам р-n-перехода.Величина этих объемов при площади р-n-перехода,равной единице, равна диффузионной длине неосновных носителей заряда. Носители заряда, генерируемые за пределами этих объемов, не могут участвовать в создании теплового тока, так как за время жизни они не в состоянии преодолеть расстояние, превышающее диффузионную длину, и достичь границы р-n-перехода. При Nd >> Na в (1.99) можно пренебречь вторым слагаемым, а при Na >> Nd — первым.
Зависимость плотности тока от отношения и/uT, соответствующая (1.97), представлена на рис. 1.64.
В области прямых напряжений прямой ток многократно превышает обратный и зависит от напряжения по экспоненциальному закону. Изменение напряжения на 60 мВ изменяет ток примерно в 10 раз. Поэтому целесообразно рассматривать зависимость напряжения от тока. Чтобы получить такую зависимость, надо решить (1.97) относительно напряжения. Тогда
(1.100)