Параметры полупроводниковых стабилитронов
| Тип | Uст (В) | Iст.мин (мА) | Iст.макс (мА) | rст (Ом) |
| Д814А | ||||
| Д814Б | ||||
| Д814В | ||||
| Д814Г | ||||
| Д814Д | ||||
| Д815А | 5,6 | 0,6 | ||
| Д815Б | 6,8 | 0,8 | ||
| Д815В | 8,2 | 1,0 | ||
| Д815Г | 1,8 | |||
| Д815Д | 2,0 | |||
| Д815Е | 2,5 | |||
| Д815Ж | 3,0 | |||
| Д816А | 7,0 | |||
| Д816Б | 8,0 | |||
| Д816В | ||||
| Д816Г | ||||
| Д816Д | ||||
| Д817А | ||||
| Д817Б | ||||
| Д817В | ||||
| Д817Г | ||||
| КС133А | 3,3 | |||
| КС139А | 3,9 | |||
| КС147А | 4,7 | |||
| КС156А | 5,6 | |||
| КС168А | 6,8 | |||
| КС175Ж | 7,5 | 0,5 | ||
| КС182Ж | 8,2 | 0,5 | ||
| КС191Ж | 9,1 | 0,5 | ||
| КС210Ж | 0,5 | |||
| КС211Ж | 0,5 | |||
| КС212Ж | 0,5 | |||
| КС213Ж | 0,5 | |||
| КС215Ж | 0,5 | 8,3 | ||
| КС216Ж | 0,5 | 7,3 | ||
| КС218Ж | 0,5 | 6,9 | ||
| КС220Ж | 0,5 | 6,2 | ||
| КС222Ж | 0,5 | 5,7 | ||
| КС224Ж | 0,5 | 5,2 | ||
| КС482А | 8,2 | |||
| КС510А | ||||
| КС512А | ||||
| КС515А | ||||
| КС518А |
Окончание табл. П1.1
| Тип | Uст (В) | Iст.мин (мА) | Iст.макс (мА) | rст (Ом) |
| КС522А | ||||
| 2С524А | ||||
| КС527А | ||||
| 2С530А | ||||
| КС533А | ||||
| 2С536А | ||||
| КС551А | 14,6 | |||
| КС591А | 8,8 | |||
| КС600А | 8,1 | |||
| КС620А | ||||
| КС630А | ||||
| КС650А | 2,5 | |||
| КС680А | 2,5 |
Таблица П1.2
Параметры транзисторов
| Тип | Iк.макс, А | Uкэ макс, В | h21Э | Uкэ нас, В |
| п-р-п | ||||
| КТ815А | 1,5 | 40...70 | 0,6 | |
| КТ815Б | 1,5 | 40...70 | 0,6 | |
| КТ815В | 1,5 | 40...70 | 0,6 | |
| КТ815Г | 1,5 | 30...70 | 0,6 | |
| КТ704А | 2,5 | 10...100 | ||
| КТ704Б | 2,5 | 10...100 | ||
| КТ704В | 2,5 | 10...100 | ||
| КТ817А | 0,6 | |||
| КТ817Б | 0,6 | |||
| КТ817В | 0,6 | |||
| КТ817Г | 0,6 | |||
| КТ805А | 2,5 | |||
| КТ805Б | ||||
| р-п-р | ||||
| КТ814А | 1,5 | 0,6 | ||
| КТ814Б | 1,5 | 0,6 | ||
| КТ814В | 1,5 | 0,6 | ||
| КТ814Г | 1,5 | 0,6 | ||
| КТ816А | 0,6 | |||
| КТ816Б | 0,6 | |||
| КТ816В | 0,6 | |||
| КТ816Г | 0,6 | |||
| КТ837А | 7,5 | 10...40 | 2,5 | |
| КТ837Б | 7,5 | 20...80 | 2,5 | |
| КТ837В | 7,5 | 50...150 | 2,5 | |
| КТ837Г | 7,5 | 10...40 | 0,5 | |
| КТ837Д | 7,5 | 20...80 | 0,5 | |
| КТ837Е | 7,5 | 50...150 | 0,5 | |
| КТ837Ж | 7,5 | 10...40 | 2,5 |
ПРИЛОЖЕНИЕ 2
Номинальные сопротивления резисторов стандартизованы. Для постоянных резисторов согласно ГОСТ 2825-67 установлено шесть рядов: Е6, Е12, Е24, Е48, Е96 и Е192. Цифра после буквы Е указывает число номинальных значений в каждом десятичном интервале.
Наиболее часто применяется ряд Е24. Номинальные значения декады ряда Е24 представлены в табл. П2.1. Значения десятков и сотен Ом, кОм и МОм получаются умножением номинального значения на 10n, где n=0;1;2;3...
Таблица П2.1
| 1,0 | 1,1 | 1,2 | 1,3 | 1,5 | 1,6 |
| 1,8 | 2,0 | 2,2 | 2,4 | 2,7 | 3,0 |
| 3,3 | 3,6 | 3,9 | 4,3 | 4,7 | 5,1 |
| 5,6 | 6,2 | 6,8 | 7,5 | 8,2 | 9,1 |
ПРИЛОЖЕНИЕ 3
Таблица П3.1
Параметры полупроводниковых диодов
| Тип | Iпр.ср (А) | Iпр.и (А) | Uобр. (В) | Uпр.ср. (В) |
| МД217 | 0,1 | 1,0 | ||
| МД218 | 0,1 | 1,0 | ||
| МД218А | 0,1 | 1,1 | ||
| МД226 | 0,3 | 2,5 | 1,0 | |
| МД226А | 0,3 | 2,5 | 1,0 | |
| МД226Е | 0,3 | 2,5 | 1,0 | |
| Д237А | 0,3 | 1,0 | ||
| Д237Б | 0,3 | 1,0 | ||
| Д237В | 0,1 | 1,0 | ||
| Д237Е | 0,4 | 1,0 | ||
| Д237Ж | 0,4 | 1,0 | ||
| Д242 | 1,25 | |||
| Д242А | 1,0 | |||
| Д242Б | 1,5 | |||
| Д243 | 1,25 | |||
| Д243А | 1,0 | |||
| Д243Б | 1,5 | |||
| Д245 | 1,25 | |||
| Д245А | 1,0 | |||
| Д245Б | 1,5 | |||
| Д246 | 1,25 | |||
| Д246А | 1,0 | |||
| Д246Б | 1,5 | |||
| Д247 | 1,25 | |||
| Д247Б | 1,5 | |||
| Д248Б | 1,5 | |||
| КД102А | 0,1 | |||
| КД102Б | 0,1 | |||
| КД105Б | 0,3 | |||
| КД105В | 0,3 | |||
| КД105Г | 0,3 | |||
| КД202А | 0,9 | |||
| КД202В | 0,9 | |||
| КД202Д | 0,9 |
Окончание табл. П3.1
| Тип | Iпр.ср (А) | Iпр.и (А) | Uобр. (В) | Uпр.ср (В) |
| КД202Ж | 0,9 | |||
| КД202К | 0,9 | |||
| КД202М | 0,9 | |||
| КД202Р | 0,9 | |||
| КД208А | 1,5 | 1,0 | ||
| КД209А | 0,7 | 1,0 | ||
| КД209Б | 0,5 | 1,0 | ||
| КД209В | 0,5 | 1,0 |
Таблица П3.2
Параметры полупроводниковых диодных блоков (мостовой выпрямитель)
| Тип | Iпр.ср (А) | Iпр.и (А) | Uобр. (В) | Uпр.ср. (В) |
| КЦ402А | 1,0 | 1,2 | ||
| КЦ402Б | 1,0 | 1,2 | ||
| КЦ402В | 1,0 | 1,2 | ||
| КЦ402Г | 1,0 | 1,2 | ||
| КЦ402Д | 1,0 | 1,2 | ||
| КЦ402Е | 1,0 | 1,2 | ||
| КЦ402Ж | 0,6 | 1,2 | ||
| КЦ402И | 0,6 | 1,2 | ||
| КЦ403А | 1,0 | 1,2 | ||
| КЦ403Б | 1,0 | 1,2 | ||
| КЦ403В | 1,0 | 1,2 | ||
| КЦ403Г | 1,0 | 1,2 | ||
| КЦ403Д | 1,0 | 1,2 | ||
| КЦ403Е | 1,0 | 1,2 | ||
| КЦ403Ж | 0,6 | 1,2 | ||
| КЦ403И | 0,6 | 1,2 | ||
| КЦ404А | 1,0 | 1,2 | ||
| КЦ404Б | 1,0 | 1,2 | ||
| КЦ404В | 1,0 | 1,2 | ||
| КЦ404Г | 1,0 | 1,2 | ||
| КЦ404Д | 1,0 | 1,2 | ||
| КЦ404Е | 1,0 | 1,2 | ||
| КЦ404Ж | 0,6 | 1,2 | ||
| КЦ404И | 0,6 | 1,2 | ||
| КЦ405А | 1,0 | 1,2 | ||
| КЦ405Б | 1,0 | 1,2 | ||
| КЦ405В | 1,0 | 1,2 | ||
| КЦ405Г | 1,0 | 1,2 | ||
| КЦ405Д | 1,0 | 1,2 | ||
| КЦ405Е | 1,0 | 1,2 | ||
| КЦ405Ж | 0,6 | 1,2 | ||
| КЦ405И | 0,6 | 1,2 | ||
| КЦ407А | 0,5 | 2,5 | ||
| КЦ410А | 1,2 | |||
| КЦ410Б | 1,2 | |||
| КЦ410В | 1,2 | |||
| КЦ412А | 1,2 | |||
| КЦ412Б | 1,2 | |||
| КЦ412В | 1,2 |
ПРИЛОЖЕНИЕ 4
Таблица П4.1
Конденсаторы с оксидным диэлектриком
| Тип | Номинальное напряжение, В | Номинальная емкость, мкФ | Допустимая амплитуда напряжения переменной составляющей, % |
| К50 - 6 | 6,3 | 5; 10; 20; 50; 100; 200; 500 | 20...25 |
| 5; 10; 20; 50; 100; 200; 500; 1000; 2000; 4000 | 5...25 | ||
| 1; 5; 10; 20; 50; 100; 200; 500; 1000; 2000; 4000 | 5...25 | ||
| 1; 5; 10; 20; 50; 100; 200; 500; 1000; 2000; 4000 | 5...25 | ||
| 1; 5; 10; 20; 50; 100; 200; 500; 1000; 2000; 4000 | 5...20 | ||
| 1; 5; 10; 20 | 10...15 | ||
| 1; 5; 10; 20 | |||
| К50 - 7 | 20; 30; 50; 100; 200; 500 | 5...15 | |
| 10; 20; 30; 50; 100; 200 | 5...15 | ||
| 5; 10; 20; 30; 50; 100; 200 | 3...10 | ||
| 5; 10; 20; 30; 50; 100 | 3...10 | ||
| 5; 10; 20; 30; 50; 100 | 3...10 | ||
| К50 - 18 | 6,3 | 100000; 220000; | 13...15 |
| 11...15 | |||
| 22000; 68000; 100000 | 6...9 | ||
| 15000; 33000; 100000 | 6...8 | ||
| 4700; 10000; 15000; 22000 | 5...6 | ||
| 4700; 10000; 15000 | 4...5 | ||
| 2200; 4700; 10000 | 4...6 | ||
| К50 - 20 | 6,3 | 10; 20; 50; 100; 200; 500; 1000; 2000; 5000 | 10...16 |
| 2; 5; 10; 20; 50; 100; 200; 500; 1000; 2000 | 10...16 | ||
| 2; 5; 10; 20; 50; 100; 200; 500; 1000; 2000 | 10...16 | ||
| 1; 2; 5; 10; 20; 50; 100; 200; 500; 1000; 2000 | 3...16 | ||
| 1; 2; 5; 10; 20; 50; 100; 200 | |||
| 2; 5; 10; 20; 50; 100; 200 | |||
| 20; 50 | |||
| 2; 5; 10; 20; 50 | |||
| 2; 5; 10; 20 | |||
| 2; 5; 10; 20 |
ПРИЛОЖЕНИЕ 5
Таблица П5.1
Условные графические обозначения электронных элементов
| Условное графическое обозначение | Наименование элемента |
 | Контакт соединения разборного (а) и неразборного (б) |
 | Выключатель с одной группой замыкающих (а) или размыкающих (б) контактов |
 | Переключатель с одной (а) и с двумя (б) группами переключающих контактов |
 | Общий провод (а), заземление (б), антенна (в) |
 | Предохранитель (а), постоянный резистор (б), подстроечный резистор (в) |
 | Конденсатор постоянной емкости (а), оксидный неполярный конденсатор (б) |
 | Стрелочный индикатор: миллиамперметр (а) и вольтметр (б) |
 | Неоновая индикаторная (а) и люминесцентная осветительная (б) лампы |
Окончание табл. П5.1
 | Полупроводниковый диод (а), стабилитрон (б) и диодный мост (в) |
 | Динистор (а), тиристор (б), симистор (в) |
 | Фотодиод (а), светодиод (б) |
 | Катушка индуктивности (а), трансформатор (б) |
 | Биполярный транзистор |
 | Геркон (а), лампа накаливания (б) |
Библиографический список
1. Бурков А.Т. Электронная техника и преобразователи: Учеб. для вузов ж.-д. трансп. – М.: Транспорт, 1999. – 464 с.
2. Либерман Ф.Я. Электроника на железнодорожном транспорте: Учебное пособие для вузов ж.д.транспорта.- М.: Транспорт, 1987.- 288 с.
3. Сидоров И.Н. Малогабаритные трансформаторы и дроссели. Справочник.- М.: Радио и связь, 1985.- 276 с.
4. Сидоров И.Н., Скорняков С.В. Трансформаторы бытовой радиоэлектронной аппаратуры: Справочник.- М.: Радио и связь, 1994.- 320 с.
5. Полупроводниковые приборы. Диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы: Справочник / А.В. Баюков, А.Б. Гитцевич, А.А.Зайцев и др.; Под ред. Н.Н. Горюнова.- М.: Энергоиздат, 1982.- 744 с.
6. Диоды: Справочник / О.П. Григорьев, В.Я. Замятин, Б.В. Кондратьев, С.Л. Пожидаев.- М.: Радио и связь, 1990.- 656 с.
7. Полупроводниковые приборы. Транзисторы средней и большой мощности: Справочник/А.А.Зайцев, А.И.Миркин, В.В. Мокряков и др.; Под ред. А.В. Голомедова - М.: Радио и связь, 1989.- 640 с.
8. Транзисторы для аппаратуры широкого применения: Справочник / К.М. Брежнева, Е.И. Гантман, Т.И. Давыдова и др.; Под ред. Б.Л. Перельмана. -М.: Радио и связь, 1981.- 656 с.
9. Щербина А., Благий С. Микросхемные стабилизаторы серий 142, К142, КР142.-Радио, 1990, №8, с.89-90; №9, с.73-74.
10. Булычев А.Л. и др. Аналоговые интегральные схемы: Справочник / А.Л. Булычев, В.И. Галкин, В.А. Прохоренко.- 2-е изд.-Минск: Беларусь, 1993.- 382 с.
11. Разработка и оформление конструкторской документации радиоэлектронной аппаратуры: Справочник / Э.Т. Романычева, А.К. Иванова, А.С. Куликов и др.; Под ред. Э.Т. Романычевой. – М.: Радио и связь, 1989. – 448 с.
12. Ревич Ю.В. Занимательная электроника. – 2-е изд., перераб. и доп. – СПб.: БХВ-Петербург, 2009. – 720 с.