Методика выполнения работы. 2.1. Исследование входных ВАХ транзистора по схеме ОЭ.

2.1. Исследование входных ВАХ транзистора по схеме ОЭ.

2.1.1. Из элементов, приготовленных к работе, собрать схему для исследования основных характеристик транзистора (рис. 3), подключить генератор тока ГТ, генератор напряжения ГН2 и измерительные приборы с помощью соединительных проводов и съёмных элементов. Проверить правильность установки транзистора в съёмном элементе.

Измерение тока базы I_Б осуществляется амперметром АВМ1 с пределом измерения 10 мА. Для измерения напряжения U_БЭ используется вольтметр АВМ2 с пределами измерения 0,5 и 1 В. Напряжение U_КЭ задаётся от ГН2, а контролируется измерителем выхода ИВ (положение переключателя “ГН2”) с пределом измерения 25 В.

Гнёзда амперметра PA2 на сменной панели замкнуть между собой коротким соединительным проводом.

Собранную схему показать преподавателю.

Включить тумблер “Сеть”.

Методика выполнения работы. 2.1. Исследование входных ВАХ транзистора по схеме ОЭ. - student2.ru

2.1.2. Установить напряжение U_КЭ=0. Для этого отключить отрицательный соединительный провод между ГН2 и панелью. Установить на источнике тока ГТ максимальное значение тока (около 10 мА). Результат измерения входного тока базы и соответствующего ему входного напряжения U _БЭ занести в табл.1. Плавно уменьшать значение тока базы таким образом, чтобы входное напряжение изменялось приблизительно на 0,1В. Получить не менее 6...8 отсчетов. Результаты занести в табл.1. По длине ВАХ экспериментальные точки должны быть расположены приблизительно равномерно по всему диапазону изменения тока базы. При необходимости изменить предел измерения тока.

Таблица 1

	U_КЭ = 0 В
I_Б, мА
U_БЭ, В
	U_КЭ = 5 В
I_Б, мА
U_БЭ, В
	U_КЭ = 10 В
I_Б, мА
U_БЭ, В

2.1.3. Установить напряжение U_КЭ=5 В. Для этого подключить отрицательный соединительный провод между ГН2 и сменной панелью. Ручками “ГРУБО” и “ТОЧНО” выставить на выходе ГН2 напряжение 5 В. Повторить измерения тока базы и напряжения U_БЭ. Результаты занести в табл. 1. Повторить измерения ещё раз при U_КЭ=10 В.

По результатам измерений построить график входных ВАХ транзистора.

2.2. Исследование выходных ВАХ транзистора по схеме ОЭ.

2.2.1. Собрать схему выходной цепи транзистора, не разбирая при этом входную цепь.

Измерение выходного тока коллектора осуществляется амперметром АВМ1 с пределами измерения 0, 5, 1 и 5 мА (при токе I_Б =0 использовать микроамперметр АВО). Ток базы измеряется амперметром АВМ2. Напряжение U_БЭ не измеряется. Выходное напряжение U_КЭ определяется по прибору ИВ. Собранную схему показать преподавателю.

Включить тумблер “Сеть”.

2.2.2. Установить значение I_Б =0. Для этого разомкнуть отрицательный соединительный провод между ГТ и панелью. Ручками “ГРУБО” и “ТОЧНО” увеличивать на ГН2 напряжение приблизительно через 2...3 В. Регистрировать значения коллекторного тока I_К и напряжения U_КЭ в табл. 2. Получить не менее 6...8 отсчетов. Экспериментальные точки дол-

Таблица 2

	I_Б=0 мА
U_КЭ, В
I_К, мА
	I_Б=0,1 мА
U_КЭ, В
I_К, мА
	I_Б=0,2 мА
I_Б, мА
U_БЭ, В
	I_Б=0,4 мА
I_Б, мА
U_БЭ, В

жны быть расположены приблизительно равномерно по всему диапазону изменения напряжения.

2.2.3. Установить значение I_Б =0,1 мА. Для этого замкнуть отрицательный соединительный провод между ГТ и панелью. Установить на выходе ГТ требуемый ток. Повторить измерения, описанные в п.2.2.2. Результаты занести в табл. 2.

Повторить измерения для значений I_Б =0,2 и 0,4 мА. При необходимости изменить пределы измерения тока.

По результатам измерений построить график выходных ВАХ транзистора.

Содержание отчета

3.1. Титульный лист.

3.2. Цель работы.

3.3. Схемы электрические принципиальные для исследования входной и выходной ВАХ транзистора.

3.4. Результаты измерений, сведенные в таблицы.

3.5. Результаты измерений в виде графиков зависимостей I_Б=f(U_БЭ) и I_К=f(U_КЭ).

3.6. Основные справочные параметры исследуемого транзистора.

3.7. Выводы о работе.

Контрольные вопросы и задания

4.1. Какой из p-n-переходов транзистора обычно имеет большую пло-щадь и почему?