Статические характеристики. Важнейшими для полевых транзисторов являются семейства выходных статических характеристик и семейство статических характеристик передачи (сток – затворные
Важнейшими для полевых транзисторов являются семейства выходных статических характеристик и семейство статических характеристик передачи (сток – затворные характеристики).
Выходные статические характеристики ПТУП – это зависимость тока от напряжения сток – исток
при различных постоянных напряжениях на затворе
.
(2.6)
Начнем с характеристики при (рис. 6).
Напряжение только при коротком замыкании истока и затвора. Характеристика выходит из начала координат под углом, определяемым начальным сопротивлением канала и сопротивлениями
И и
участков полупроводника от истока и стока до начальной и конечной точек канала (x = 0 и x = 1 на рис. 5, а)
Первую часть характеристики называют крутой частью, и зависимость тока уже обсуждалась (область
<
). Часть характеристики при
>
называют пологой частью или участком насыщения.
Отметим еще раз условность термина “перекрытие” канала. Как мы видели сужение канала при и при увеличении
является следствием роста тока стока. Если исчезнет ток, то не будет и перекрытия. Поэтому можно считать, что с ростом тока стока (или
) автоматически устанавливается некоторое минимальное сечение канала со стороны стокового электрода. При дальнейшем росте
увеличивается длина этого суженного участка канала и растет статическое сопротивление канала, поэтому ток стока остается практически неизменным.
При подаче на затвор обратного напряжения уменьшается начальное поперечное сечение канала, т.е. сопротивление канала возрастает. Поэтому и наклон начальных участков ВАХ при уменьшается, что соответствует большему начальному сопротивлению канала.
При меньших начальных сечениях перекрытие канала из – за роста напряжения на стоке наступает при меньших значениях
.
При больших напряжениях на стоке может возникать пробой p – n перехода затвора. Обратное напряжение на p – n переходе максимально у стокового конца канала и равно . Поэтому пробой p – n перехода происходит при разных напряжениях на стоке
, зависящих от величины
. Чем больше
, тем меньше
. Этот процесс соответствует третьей части ВАХ на рис.6, соответствующей быстрому росту тока стока
. Большинство полевых транзисторов кремниевые , поэтому пробой в них носит лавинный характер.
Сток – затворные или характеристики передачи ПТУП представляют зависимость тока стока от напряжения на затворе
при различных постоянных напряжениях на стоке
. Так как основным рабочим режимом является режим насыщения тока стока, то наибольшее значение имеет зависимость
(2.7)
Характер этой зависимости ясен из принципа работы транзистора: с ростом ток стока
уменьшается. Изменение напряжения на стоке
весьма незначительно изменяет положение характеристики передачи из – за малого изменения тока стока в пологой части ВАХ.
Напряжение ПТУП, при котором ток стока
достигает заданного низкого значения, называется напряжением отсечки транзистора
.
По статической характеристике передачи можно определить еще один важный параметр полевого транзистора, характеризующий его усилительные свойства – крутизну характеристикиполевого транзистора , равную отношению приращения тока стока к приращению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком
(2.8)
Получим аналитическое выражение выходных статических характеристик ПТУП. Пренебрегая объемными сопротивлениями участков кристалла между истоком, стоком и границами канала, обозначенными
и
, рабочую часть транзистора можно упрощенно изобразить в виде рис.8.
Плотность тока в кристалле
(2.9)
где: - удельная проводимость канала;
- потенциал точки в канале; Е – напряженность электрического поля.
В первом приближении не учитываем зависимость удельной проводимости от напряженности электрического поля, т.е. не учитываем изменение подвижности носителей заряда. Плотность тока в канале изменяется по его длине, т.к. изменяется сечение канала и напряженность поля.
Ток в канале транзистора, одинаковый по всему каналу,
, (2.10)
где: b – ширина канала.
Толщина канала (2.4) в обозначениях, принятых на рис.8, запишется:
(2.11)
Подставив (2.11) в (2.10) для модуля тока стока получим:
(2.12)
Решив это дифференциальное уравнение с граничными условиями: ,
;
,
получим уравнение выходной характеристики:
(2.13)
где: - сопротивление участка сток – исток в открытом состоянии, т.е. при
и малом напряжении на стоке
<
.
Из (2.13) можно найти ток насыщения полевого транзистора. Как отмечалось, перекрытие канала наступает при напряжении , поэтому режим насыщения наступит при условии
,
или при напряжении на стоке
. (2.14)
Если в (2.13) заменить на
и
на
по (2.14), то получим связь между током и напряжением насыщения
(2.15)
На рис.6 штриховая кривая показывает эту зависимость .
Важно знать и зависимость тока насыщения от напряжения на затворе, т.е. сток – затворную характеристику. Она получается из выражения (2.13), если в него подставить из (2.14)
(2.16)
Дифференцируя (2.16) по , получаем крутизну характеристики
(2.17)
Анализ соотношения (2.17) позволяет сделать некоторые выводы:
1. Для увеличения крутизны характеристики следует уменьшить сопротивление
, т.е. повышать удельную проводимость
. Этого можно добиться увеличением концентрации примеси в канале. С другой стороны, концентрация примеси (и носителей) в канале должна быть много меньше, чем в n – областях p – n переходов, чтобы при увеличении обратного напряжения ОПЗ распространялась преимущественно в область канала. Поэтому для повышения проводимости канала выбирают материал с большей подвижностью носителей, сохраняя невысокую их концентрацию.
2. Значение крутизны зависит от отношения ширины канала к его длине . Увеличение отношения
позволяет повысить крутизну характеристики
и ток насыщения ПТУП.
3. Повысить крутизну можно увеличением толщины канала
. Но в этом случае резко возрастут напряжения отсечки и граничное (
и
), определяющие выход ПТУП в режим насыщения – основной рабочий режим ПТУП. Напряжение отсечки должно быть малым, поэтому толщину канала делают небольшой, хотя это и снижает крутизну характеристики ПТУП.