Типовые передаточные ха-ки ПТУП

Все характеристики полевых транзисторов с каналом n-типа расположены в верхней половине графика (см. Рис.1) → имеют положительный ток, что соответствует положительному U на стоке.

Все характеристики полевых транзисторов с каналом p-типа расположены в нижней половине графика (см. Рис.1) → имеют отрицательный ток, что соответствует отрицательному U на стоке.

Ха-ки ПТУП при U=0 на затворе имеют макс. значение I, которое называется начальным I_с.нач.

При увеличении запирающего напряжения U_зап. ток стока I_с. уменьшается и при напряжении отсечки U_отс. становится близким к 0.

Вых. ха-ки ПТУП (канал n-типа)

Выделяются 2 области: линейная и насыщения (см. Рис.2.).

В линейной области ПТУП используется как R, управляемое U-ем на затворе.

В области насыщения – как усилительный элемент.

МОП-транзисторы. Принцип работы, передаточная и выходная характеристики. Встроенные и индуцированные каналы.

Транзисторы на основе МОП-структур (металл-оксид-полупроводник) называют МОП-транзисторами (англ. metall-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET) или ПТИЗ (полевой транзистор с изолированным затвором) – наиболее широко используемый тип полевых транзисторов.

МОП-транзисторы, в отличие от биполярных, управляются U-ем, а не током и относятся к полевым или униполярным транзисторам, так как для их работы необходимо наличие носителей заряда только одного типа (n - электроны или p - дырки).

Структура состоит из металла (затвор), изолированного от полупроводникового канала слоем оксида кремния SiO₂.

В общем случае структуру называют МДП (металл – диэлектрик - полупроводник).

Передаточные ха-ки ПТИЗ

Выходные ха-ки ПТИЗ

Полупроводниковый канал м.б:

a) Индуцированным – когда он обеднён носителями зарядов - эл. поле затвора повышает его проводимость

b) Встроенным - когда он обогащён носителями зарядов - эл. поле затвора приводит к обеднению канала носителями зарядов

В результате ПТИЗ м.б. 4-х типов: с каналом n- или p-типов, каждый из которых м. иметь индуцированный или встроенный канал.

Основные параметры полевых транзисторов. Маркировка транзисторов.

Основные параметры полевых транзисторов.

Маркировка транзисторов

1. Коэффициент усиления по U:   , (вых. ток при IC = const)   2. Крутизна:   , (при UСИ = const)   3. Дифференциальное Rвых:   , (при UЗИ = const)   4. Дифференциальное R участка затвор-сток:

порядковый номер разработки КТ 809 А материал серия полупроводника (кремний) мощность и частота класс транзистора (Т – биполярный П - полевой) Наши рекомендации Передаточные функции импульсных АСУ Комплексные передаточные ф-ции для эл цепей Типовые динамические звенья и их передаточные функции Передаточные функции САУ Передаточные функции звеньев САУ Передаточные функции фильтров Передаточные механизмы Типовые передачи в станках и их передаточные отношения Божественные передаточные машины Входные и передаточные АЧХ, ФЧХ. ← Предыдущая страница | Следующая страница →