Статические ВАХ ПТ с управляющим р -n переходом

1. Статическая стоковая характеристика

Ic = f(Uc) при U_ЗИ = const, см.рис.9.7

Рис. 9.7 Стоковая характеристика

При U_ЗИ < U_пор - транзистор закрыт, и его ВАХ подобна обратной ветви полупроводникового диода (нижняя кривая на рис.9.7).

Она практически совпадает с осью напряже­ний, отклоняясь от нее в области электрического пробоя.

При U_3И = 0и малых значениях U_СИ ток стока изменяется прямо пропорционально с изменением на­пряжения (участок АБ).

В точке БВиз-за заметного сужения стокового участка канала и уменьше­ния его общей проводимости намечается некоторое отклонение характеристики от прямой линии.

На участке БВсущественное сужение стокового участка канала и значи­тельное уменьшения его общей проводимости вызывают замедление роста тока I_Сс увеличением U_СИ.

В точке В,при U_{СИ нас}ток стока достигает величины I_{С нас}и в дальнейшем остается почти неизменным.

2. Статическая стоко-затворная характеристска

Ic = f(Uзи) при Uси = const. рис. 9.8

канал “n” типа

Рис. 9.8Cтоко-затворная характеристска

Нормальный режим работы транзистора при U_СИ > U_СИнас.

Прямое включение p-n перехода не применяется т.к. при этом происходит инжекция неосновных носителей и входное сопротивление транзистора резко падает, теряется основное достоинство полевого транзистора - высокое входное сопротивление.

Основные параметры:

1. Начальный ток стока I_cнач приU_зи = 0
2. Напряжение отсечки U_ОТС при котором ток стока I_c=0
3. Крутизна стоко-затворной характеристики

S = DI_С /DU_ЗИ [мА/В], при U_С = conct

Флеров А.Н. курс “Физические основы микроэлектроники”

Для самостоятельного изучения