Параметры элементов схемы мультивибратора
Номер варианта | Значения параметров | Напряжение | ||||
Сб1, мкФ | Сб2, мкФ | Rб1, кОм | Rб2, кОм | Rк, кОм | Епит, В | |
0,022 | 0,022 | 8,2 | ||||
0,022 | 0,022 | 8,2 | ||||
0,033 | 0,033 | 6,8 | ||||
0,047 | 0,047 | 6,8 | ||||
0,047 | 0,047 | 6,8 | ||||
0,01 | 0,01 | 6,8 | ||||
0,05 | 0,05 | 7,5 | ||||
0,5 | 0,5 | 7,5 | ||||
0,022 | 0,022 | 8,2 | ||||
0,022 | 0,022 | 8,2 | ||||
0,022 | 0,022 | 8,2 | ||||
0,022 | 0,022 | 8,2 | ||||
0,022 | 0,022 | 8,2 | ||||
0,022 | 0,022 | 8,2 | ||||
0,01 | 0,01 | 8,2 | ||||
0,01 | 0,01 | 8,2 | ||||
0,01 | 0,01 | 8,2 | ||||
0,01 | 0,01 | 8,2 | ||||
0,07 | 0,022 | 8,2 | ||||
0,07 | 0,022 | 8,2 | ||||
0,07 | 0,022 | 8,2 | ||||
0,07 | 0,022 | 8,2 | ||||
0,07 | 0,022 | 8,2 | ||||
0,05 | 0,05 | 8,2 | ||||
0,5 | 0,5 | 8,2 | ||||
0,068 | 0,01 | 6,8 | ||||
0,015 | 0,015 | 7,5 | ||||
0,01 | 0,01 | 8,2 | ||||
0,05 | 0,05 | 6,8 | ||||
0,05 | 0,05 | 7,5 | ||||
0,05 | 0,05 | 8,2 | ||||
0,05 | 0,05 | 7,5 | ||||
0,022 | 0,047 | 8,2 | ||||
0,033 | 0,022 | 8,2 | ||||
0,05 | 0,05 | 7,5 | ||||
0,05 | 0,1 | 8,2 | ||||
0,05 | 0,05 | 7,5 | ||||
0,05 | 0,033 | 7,5 | ||||
0,01 | 0,01 | 7,5 | ||||
0,01 | 0,05 | 7,5 | ||||
0,01 | 0,01 | 8,2 | ||||
0,01 | 0,01 | 8,2 | ||||
0,05 | 0,05 | 8,2 | ||||
0,01 | 0,05 | 8,2 |
Длительности tи1 и tи2 рассчитываются через исходные параметры мультивибратора, приведенные в таблице 2.1, по формуле:
tи = 0,7 · Cб·Rб. (2.5)
Длительность фронта у импульсов мультивибратора можно рассчитать через параметры схемы Сб и Rк, приведенные в таблице 2.1, по формуле:
tф = 2,3 Сб·Rк . (2.6)
Частота колебаний мультивибратора равна:
, (2.7)
Полная мощность, рассеиваемая в ключе:
, (2.8)
где tотс, tнас – время нахождения транзистора в состоянии отсечки или насыщения (соответствуют tи1 и tи2, приведенным в уравнении (2.7)).
3. Расчёт стабилизатора напряжения
3.1. Цель работы
3.1.1. Изучить влияние элементов схемы на режим работы стабилизаторов.
3.1.2. Научиться производить расчет стабилизаторов с использованием параметров транзисторов и микросхем.
3.2. Содержание расчетного задания
3.2.1. Выполнить расчет компенсационного стабилизатора напряжения (рис.3.1) с использованием параметров транзисторов и параметров операционных усилителей, взятых из справочников [7, 8].
Для расчёта стабилизатора, в соответствии с номером варианта, необходимы Епит и ток нагрузки. Епит берётся равным напряжению питания генератора тактовых импульсов. Значения Епит приведены в таблице 2.1. Ток нагрузки стабилизатора определяется током, потребляемым элементами схемы счётчика импульсов на микросхемах ТТЛ. Расчёт суммарного тока микросхем счётчика выполняется в соответствии с требованиями пункта 1.1.4 в разделе 1, по данным микросхем разработанной электрической принципиальной схемы.
Входные и выходные характеристики транзистора, выбранного по данным расчета, нужно взять в методических указаниях [5] и справочнике [7].
3.3. Методические указания
В большинстве силовых электрических сетей напряжение поддерживается с точностью не выше ±5 %. Для обеспечения заданной стабильности питающего напряжения применяют стабилизаторы напряжения.
Необходимо отметить, что низкое значение КПД (0,5–0,7) компенсационного стабилизатора, обусловленное потерей мощности на регулирующем элементе, является его основным недостатком. Несмотря на указанный недостаток в настоящее время стабилизаторы такого типа широко применяются в устройствах электропитания.
Типовая схема стабилизатора с последовательным включением регулирующего элемента приведена на рис. 3.1.
Стабилизатор состоит из регулирующего транзистора VТ1, усилителя постоянного тока VТ2,R1, источника опорного напряжения VД, R2 и делителя напряжения R3, R4, R5.
При изменении входного напряжения Uвх, например, при увеличении в первый момент, начинает увеличиваться выходное напряжение
Uвых, что приводит к увеличению напряжения Uд на нижнем плече делителя. Напряжение Uд сравнивается с опорным напряжением стабилитрона VД.
Увеличение напряжения приводит к увеличению отрицательного потенциала на базе транзистора VТ2 и, следовательно, увеличению тока коллектора транзистора VТ2, что уменьшает отрицательный потенциал на базе транзистора VТ1 относительно эмиттера.
Рис. 3.1. Схема транзисторного стабилизатора с последовательным включением регулирующего элемента
Ток базы транзистора VТ1 уменьшается, что приводит к его запиранию и увеличению падения напряжения на переходе коллектор-эмиттер транзистора. Напряжение на выходе стабилизатора уменьшается до первоначального значения с определенной степенью точности.
При изменении тока нагрузки, например увеличении, выходное напряжение в первый момент начинает уменьшаться за счет увеличения падения напряжения на переходе коллектор - эмиттер регулирующего транзистора VТ1. Это вызовет уменьшение напряжения на нижнем плече делителя. Уменьшаются отрицательный потенциал базы транзистора VТ2 и его базовый и коллекторный токи. Ток базы транзистора VТ1 увеличивается, что приводит к уменьшению напряжения на переходе коллектор-эмиттер транзистора VТ1. Выходное напряжение увеличивается до первоначального значения.
Регулировка выходного напряжения в схеме осуществляется потенциометром R4.
Коэффициент стабилизации стабилизатора
Kст = Ку α (rк + R1) Uвых /Uобр, (3.1)
где Ку – коэффициент усиления усилителя постоянного тока; rк – сопротивление коллектора транзистора VТ2 в схеме с общим эмиттером; α – коэффициент передачи делителя; α = R3/(R4+ R5).
Подобные стабилизаторы имеют Кст ≤ 500-700. Для повышения коэффициента стабилизации необходимо применять более сложные схемы компенсационных стабилизаторов напряжения. Широко применяют схемы с операционными усилителями обеспечивающие большой Кст (рис. 3.2.).
Следует иметь в виду, что стабилизатор напряжения не только уменьшает нестабильность, но и сглаживает пульсации выпрямленного тока приблизительно в Кст раз.
При необходимости стабилизировать большие токи и для повышения коэффициента стабилизации компенсационного стабилизатора в качестве регулирующего элемента используют составной транзисторVТ1. Использование составного транзистора увеличивает коэффициент стабилизации на величину коэффициента усиления по току дополнительного транзистора.
Рис. 3.2. Схема транзисторного стабилизатора с ОУ и последовательным включением регулирующего элемента
Коэффициент стабилизации компенсационных последовательных стабилизаторов достигает нескольких тысяч и зависит от коэффициента усиления усилителя ОУ.
Выходное сопротивление компенсационных стабилизаторов имеет значение порядка нескольких Ом и даже долей Ом. Пример расчета стабилизатора напряжения приведён в [6].
ПРИЛОЖЕНИЕ
Таблица П. 1
Типы транзисторов по вариантам
Номер варианта | Тип транзистора | Номер варианта | Тип транзистора |
КТ 306 | КТ 371 | ||
КТ 3102 | КТ 372 | ||
КТ 3107 | КТ 377 | ||
КТ 3108 | КТ 378 | ||
КТ 3109 | КТ 379 | ||
КТ 312 | КТ 380 | ||
КТ 313 | КТ 382 | ||
КТ 314 | КТ386 | ||
КТ 315 | КТ 388 | ||
КТ 316 | КТ 397 | ||
КТ 318 | КТ 399 | ||
КТ 325 | КТ 201 | ||
КТ 326 | КТ 203 | ||
КТ 339 | КТ 206 | ||
КТ 345 | КТ 208 | ||
КТ 347 | КТ 209 | ||
КТ 349 | КТ 215 | ||
КТ 351 | КТ 224 | ||
КТ 352 | КТ 317 | ||
КТ 354 | КТ 319 | ||
КТ 355 | КТС 393 | ||
КТ 360 | КТ 324 | ||
КТ 361 | КТ 350 | ||
КТ 363 | КТ 368 | ||
КТ 364 | КТ 337 |
Библиографический список
1. Аналоговые и цифровые интегральные микросхемы: Справочное пособие / С. В. Якубовский, Н. А. Барканов, Л. И. Ниссельсон и др.; Под ред. С. В. Якубовского. - М: Радиоисвязь, 1994. - 432с.
2. Горбачев Г. Н., Чаплыгин Е. Е. Промышленная электроника. М.: Энергоатомиздат, 1988.
3. Миловзоров О. В., Панков И. Г. «Электроника». Учебник - М.: Высш. Шк.,2004.-288 с.
4. Маругин А. П. Физические основы электроники. Методические указания и расчетные задания по дисциплине для студентов направления подготовки 130400.65, специализация подготовки «Электрификация и автоматизация горного производства» – Екатеринбург: Изд - во УГГУ, 2015г., 17с.
5. Маругин А. П., Меженный Е. В. Физические основы электроники Часть 3: методические указания и расчетные задания для студентов очного и заочного факультетов специальности 140604 – «Электропривод и автоматика промышленных установок и технологических комплексов» / А. П. Маругин, Е. В. Меженный. – Екатеринбург: Изд - во УГГУ, 2009г., 56с.
6. Промышленная электроника. Учебник для вузов / А. И. Котлярский,
С. П. Миклашевский, Л. Г. Наумкин, В. А. Павленко - М.: Недра, 1994.
7. Перельман Б. Л. Полупроводниковые приборы: справочник. «Солон», «Микротех», 1996. 246с.
8. Шило В. Л. Популярные цифровые микросхемы: справочник.-Челябинск: Металлургия, 1998. 352с.
Учебное издание
А. П. Маругин