Влияние внешней нагрузки на работу ключа
Подключение к электронному ключу внешней нагрузки влияет на его работу. Если нагрузкой является активное сопротивление Rн (рис. 8.3, а), то режим работы в открытом и закрытом состояниях определяется так, как это показано на рис. 8.3, б.
На поле выходных характеристик транзистора необходимо построить ВАХ нагрузки и результирующие характеристики для закрытого и открытого состояний ключа. После этого обычным путем надо провести линию нагрузки .Точки ее пересечения с результирующими характеристиками будут характеризовать режим работы ключа в открытом и закрытом состояниях. Из приведенных построений следует, что наиболее существенно изменяется положение точки А, определяющее уровень . Влияние нагрузки на выходное напряжение ключа оценивают выходной характеристикой .В общем случае таких характеристик может быть две: одна для низкого уровня выходного напряжения, другая для высокого.
Если нагрузкой ключа является входное сопротивление следующего ключа (рис. 8.4, а), то на поле выходных характеристик транзистора VT1 необходимо построить входную характеристику транзистора VT2 как показано на рис. 8.4, б.
Как следует из построений, в этом случае резко уменьшается напряжение , определяемое точкой , оно равно напряжению на открытом эмиттерном переходе транзистора VT2 и составляет примерно 0,7 В. В результате уменьшается размах сигнала .Чтобы ослабить влияние нагрузки на работу ключей, в цепь базы транзистора VT2 последовательно включают резистор Rб2, тогда характеристика пойдет более полого, точка сместится в положение . Во многих случаях к выходу ключа подключается несколько нагрузок. Чем их больше, тем меньше уровень . Наибольшее количество ключей, аналогичных рассматриваемому, которые одновременно можно подключить к его выходу, оценивают коэффициентом разветвления по выходу и выражают целым положительным числом Кразв. Чем выше коэффициент Кразв, тем шире возможности использования ключа в конкретных схемах. В некоторых цифровых ИМС электронные ключи имеют общую нагрузку в коллекторной цепи. Встречаются также схемы, в которых на базу транзистора подаются управляющие сигналы от нескольких источников. Вполне понятно, что в этих случаях режим работы транзистора в открытом состоянии будет зависеть от количества одновременно поданных управляющих сигналов U1. Наибольшее количество одновременно подаваемых на вход ключа управляющих сигналов оценивают параметром, называемым коэффициентом объединения по входу, который выражается целым положительным числом Коб . Увеличение числа входов ведет, как правило, к снижению быстродействия ключа. Практически величина Коб для различных ИМС лежит в пределах от 2 до 6.