Установка навесных элементов на печатную плату

Навесной элемент на ПП необходимо располагать так, чтобы центры монтажных отверстий для его выводов (для групп его выводов), если это возможно, были бы в узлах координатной сетки, расположенных на одной из координатных линий, параллельных и взаимно перпендикулярных координатных линиях.

Перед установкой на ПП гибкие выводы ЭРЭ формуют, т. е. с помощью технологической оснастки их изгибают так, чтобы форма выводов соответствовала способу установки ЭРЭ. Минимальное расстояние от корпуса ЭРЭ до места изгиба, а также до места пайки обычно указано в ГОСТе или ТУ на ЭРЭ. При отсутствии таких указаний расстояние от корпуса ЭРЭ до оси изогнутого вывода должно быть не менее 2,0 мм, а до места пайки— не менее 2,5 мм.

Способ установки ЭРЭ на плате определяется рядом факторов: плотностью монтажа, материалом корпуса, массой ЭРЭ и количеством его выводов, типом платы и условиями эксплуатации. Основные способы установки ЭРЭ с двумя выводами без дополнительного механического крепления их к плате показаны на рис. 13.

Микросхемы в круглых металлостеклянных корпусах с 8 и 12 выводами устанавливают на плату выводами вниз. Для микросхем с планарными выводами отверстий в ПП не сверлят. Отформованные плоские выводы микросхемы накладывают на контактные площадки платы и паяют.

При компоновке и выборе крепления ЭРЭ на плате необходимо обеспечить: а) удаление полупроводниковых приборов от ЭРЭ, выделяющих большое количество теплоты; б) конвекционный отвод теплоты от радиаторов и ЭРЭ, выделяющих большое количество теплоты; в) отвод теплоты при пайке; г) возможность доступа к подборным и подстроенным ЭРЭ для замены или настройки; д) за щиту монтажа от механических повреждении.

Не следует устанавливать на ПП крупные и массивные ЭРЭ (трансформаторы питания, радиаторы с мощными транзисторами. мощные диоды, крупногабаритные конденсаторы и др.), так как, во-первых, при случайных ударах или вибрации они могут вывести ее из строя, а во-вторых, обычно ухудшается теплоотвод от них.

Чертежи печатных плат

На чертеже прямоугольной ПП размеры элементов проводящего рисунка, координаты центров отверстий и других обычно указывают ГОСТ 2.417—78 нанесением координатной сетки (рис. 14). На простых чертежах размеры можно, если это рационально, указывать способом, принятым в машиностроительном черчении, посредством размерных чисел, размерных и выносных линий. Возможно совместное применение обоих способов.

Основной шаг координатной сетки 2,5 мм (ГОСТ 10317—79). Для чертежей со сложным и мелким проводящим рисунком может быть принят шаг 1,25 или 0,50 мм.

Чертежи ПП выполняют в масштабах 1:1, 2:1, 4:1. Чертежи с шагом координатной сетки 0,50 мм выполняют в масштабе не менее 4:1.

При задании размеров нанесением координатной сетки линии сетки нумеруют (рис. 14). Шаг нумерации устанавливают с учетом насыщенности и масштаба изображения. Для упрощения определения координат элементов чертежа допускается отдельные линии (обычно каждую десятую) выделять.

За ноль в прямоугольной системе координат на главном виде ПП (у односторонней ПП — вид со стороны проводящего рисунка) принимают левый нижний угол ПП или центр крайнего нижнего отверстия, находящегося на поле платы.

При необходимости границы участка ПП, на котором не должно быть печатных проводников, например на двусторонней ПП, на чертеже выделяют утолщенной штрихпунктирной линией.

Группу одинаковых отверстий на чертеже обозначают одним из условных знаков (рис. 15), а количество отверстий и их размеры указывают в таблице (рис. 16), приводимой на поле чертежа ПП (ГОСТ 2.307—68).

Круглые отверстия, имеющие зенковку, и круглые контактные площадки с круглыми отверстиями (в том числе и с зенковкой) изображают одной окружностью. Их форму и размеры указывают на поле чертежа.

Проводники на чертеже изображают одной линией, являющейся осью сим

метрии проводника, при этом их ширину указывают в текстовой части чертежа. Проводники шириной более 2,5мм могут изображаться двумя линиями. Проводники, имеющие заданную ширину, показывают на чертеже без упрощений.

Отдельные элементы проводящего рисунка ПП можно выделять штриховкой, зачернением и т. п.

На чертеже односторонней ПП показывают виды обеих ее сторон, при этом на стороне монтажа наносят позиционные обозначения ЭРЭ в соответствии с принципиальной электрической схемой и знаки, уточняющие расположение навесных элементов (рис. 17), а над изображением помещают надпись «Сторона монтажа».

Чертеж двусторонней ПП, имеющей навесные элементы на одной стороне, дополняют видом проводящего рисунка стороны монтажа.

Около видов платы на полках линий-выносок наносят краткие надписи или числа, относящиеся непосредственно к изображению.

Технические требования на чертежах ПП излагают в такой последовательности:

а) способ изготовления платы;

б) толщина платы;

в) шаг координатной сетки;

г) ширина печатных проводников (при необходимости);

д) наименьшее расстояние между проводниками;

е) форма и размеры контактных площадок;

ж) условные знаки, принятые для обозначения отверстий.

Обозначение материала ПП указывают в графе 3 основной надписи. Текстовую часть, надписи и таблицы включают в чертеж в тех случаях, когда содержащиеся в них данные, указания и разъяснения невозможно или нецелесообразно выразить графически или условными обозначениями.

Текст располагают над основной надписью. Содержание текста и надписей должно быть кратким и точным. В надписях не должно быть сокращений, кроме общепринятых.

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ РАСЧЕТЫ

4.1. Основные понятия

Анализ работы электронной схемы (ЭС) — определение значений, как выходных параметров-функционалов, так и пороговых выходных параметров при заданных значениях входных параметров ЭС.

Входной параметр ЭС — параметр, являющийся элементом множества внешних параметров ЭС и параметров компонентов. К входным параметрам относятся входное сопротивление, входная емкость и др.

Выходной параметр-функционал ЭС — выходной параметр ЭС, являющийся функционалом зависимостей токов, напряжений и мощностей в компонентах ЭС от времени и частоты. Краткая форма — выходной параметр. Синонимы: функция цепи, схемная функция цепи.

Запас работоспособности ЭС — величина, характеризующая степень выполнения условия работоспособности ЭС. Выражается числом.

Компонент ЭС — элемент ЭС, который не может быть разделен на части, имеющие самостоятельное функциональное значение. Содержание термина определяется видом ЭС. Компонентом функциональной схемы ИМС является, например, логический элемент; принципиальной схемы ЭУ на дискретных ЭРЭ — резистор, транзистор и т. п.; эквивалентной схемы — сопротивление, емкость, источник тока и т.д.

Конфигурация принципиальной (эквивалентной) схемы - часть принципиальной (эквивалентной) схемы, содержащая сведения только о типе элементов и способе их соединений.

Математическая модель ЭС (компонента ЭС) — система математических отношений, описывающая электрические процессы в ЭС (в компоненте ЭС).

Наработка — продолжительность функционирования изделия либо объем работы, выполненной им за некоторый промежуток времени.

Неисправность — состояние изделия, при котором оно не соответствует хотя бы одному из требований технической документации.

Область работоспособности ЭС — область в пространстве выходных или входных параметров ЭС, в которой выполняются условия работоспособности ЭС.

Ограничение выходного параметра ЭС — граничное значение допустимого диапазона изменения выходного параметра ЭС.

Определяющая координата ЭС — электрическая координата, являющаяся искомой переменной в уравнениях математической модели ЭС. Под электрической координатой понимают ток, напряжение, заряд, магнитный поток.

Пороговый выходной параметр ЭС — значение выходного параметра ЭС, соответствующее граничному значению диапазона изменения внешнего параметра ЭС, в котором выполняется условие работоспособности ЭС при оговоренных значениях других внешних параметров.

Очевидно, пороговый выходной параметр должен принадлежать области работоспособности ЭС.

Производственный допуск — допуск, ограничивающий отклонения параметров изготовляемых изделий при нормальных условиях эксплуатации.

Работоспособность — состояние изделия, при котором оно способно выполнять заданные функции с параметрами, установленными требованиями технической документации.

Сложное ЭУ — электронное устройство, состоящее из двух и более функциональных элементов.

Условие работоспособности ЭС — соотношение между выходным параметром ЭС и его ограничением, при котором ЭС способна выполнять заданные функции.

Основная задача расчета

Основной задачей расчета является определение значений электрических параметров компонентов принципиальной схемы, обеспечивающих ее эффективную оптимизацию в дальнейшем. Таким образом, электрический расчет дает значения параметров ЭРЭ, которые на стадии оптимизации ЭС будут уточнены.

Задачу расчета полагают решенной, если определены номинальные значения параметров всех пассивных ЭРЭ, значения параметров компонентов схем замещения активных ЭРЭ, определены типы ЭРЭ при значениях выходных параметров, гарантирующих работоспособность ЭУ в случайных условиях ее производства и эксплуатации.

4.3. Последовательность и типы расчетов

Отметим основные черты расчета ЭУ на дискретных элементах.

1. Расчет любого сложного ЭУ сводится к последовательному расчету функциональных элементов, из которых сложное ЭУ синтезировано. Приводимые в технической литературе методы расчета разработаны для применяемых на практике схем функциональных элементов (усилительных каскадов, выпрямителей, мультивибраторов и т.д.) и для наиболее широко распространенных типов сложных ЭУ (электронных стабилизаторов, радиоприемных устройств и т.д.).

2. Расчет ЭУ, состоящего из ряда последовательно соединенных функциональных элементов, начинают со стороны его выхода, с конца. Выходной функциональный элемент — единственный в ЭУ, для расчета которого в техническом задании сформулированы достаточные требования. Необходимые для расчета дополнительные данные — значения входных и внешних для данного элемента параметров — разработчик устанавливает сам, стремясь оптимизировать режим работы ЭУ. Эти значения входных параметров являются выходными параметрами при расчете функционального элемента, предшествующего в схеме входному. Так, последовательно, шагами рассчитывают все устройство.

Нетрудно видеть, что задача расчета ЭУ является многошаговой оптимизационной задачей. Решение такой задачи методом динамического программирования всегда начинают с конца, с оптимизации ее последнего шага.

3. Расчет ЭУ часто имеет итерационный характер. После выполнения ряда расчетных операций возникает необходимость повторить предыдущие операции для улучшения структуры или режимов всего ЭУ или его функциональных частей. Например, расчет может показать необходимость введения дополнительных обратных связей, что, естественно, потребует повторения некоторой части расчетов.

4. Детальному расчету функциональных элементов должен предшествовать ориентировочный расчет значений выходных параметров тех функциональных элементов, которые определяют значения выходных параметров всего ЭУ. Это позволяет достаточно быстро оценить практическую возможность их реализации. Например, перед тем как рассчитывать каскады многокаскадного усилителя, необходимо распределить между ними все виды искажений, определить их коэффициенты усиления и полосы пропускания. Если полученные значения представляются достижимыми, то можно переходить к расчету функциональных элементов.

При проектировании ЭУ наиболее часто выполняют:

а) ориентировочный расчет выходных параметров функциональных элементов, производимый при выборе их принципиальных схем;

б) расчеты, на основе которых выбирают типы активных ЭРЭ (транзисторы, диоды, ИМС и др.);

в) расчеты рабочих режимов активных ЭРЭ, включая расчет температурной нестабильности;

г) расчет значений параметров R, С, L. пассивных ЭРЭ, обеспечивающих выбранные режимы активных ЭРЭ, а также расчет протекающих через пассивные ЭРЭ токов, падающих на них напряжений и рассеиваемых ими мощностей;

д) определение номинальных значений параметров пассивных ЭРЭ и выбор их типов;

е) расчет выходных параметров ЭУ с целью проверки их соответствия требованиям технического задания (проверочный расчет).

Обычно эти расчеты выполняют в приведенной здесь последовательности. Расчеты по п. а — д входят в расчетную процедуру стадии синтеза принципиальной схемы, в по п. е — ее анализа.

Задача анализа наиболее ответственная, его результаты должны быть достаточно точными. Поскольку аналитические методы не обеспечивают требуемой точности, анализ ЭС чаще производят или на физической модели (макете), или на ЭВМ, что значительно удобнее и быстрее. Необходимо отметить, что достоверность результатов макетирования обычно выше, чем полученных на ЭВМ.

Расчет электронных схем

Электрические расчеты схем функциональных элементов в курсовом проекте выделяют в виде подразделов, которые снабжают краткими конкретными заголовками, выносимыми в оглавление.

После заголовка формулируют задачи расчета с указанием, что именно требуется определить при расчете. Далее приводят исходные для расчета данные, причем, если какая-либо величина появляется в расчетах впервые, дают ее наименование. Это требование распространяется также на все величины, появляющиеся в процессе расчета.

Обязательно должна быть показана (ГОСТ 2.106— 68) принципиальная электрическая схема рассчитываемого функционального элемента. Обозначения ЭРЭ устанавливают для каждой схемы независимо с учетом места их нахождения в схеме (например, R_к — резистор в цепи коллектора, С_э — конденсатор в цепи эмиттера транзистора и т. п.) или выполняемых функций (например, R_огр — ограничительный резистор, С_ф — конденсатор фильтра и т.п.). Принципиальную схему или ее фрагменты допускается вычерчивать в произвольном масштабе, обеспечивающем четкое представление о рассчитываемой цепи, однако соблюдение УГО ЕСКД остается обязательным.

Расчет приводят полностью. Кроме расчетных формул должны быть представлены использованные при расчете характеристики полупроводниковых приборов и другие диаграммы. Не следует приводить громоздкие таблицы, из которых заимствованы данные, сложные номограммы, а также различного вида диаграммы и таблицы общего применения из математических и электротехнических справочников. В подобных случаях в соответствующих местах текста должны быть сделаны ссылки на источники заимствования.

Расчет рекомендуется заканчивать составлением таблиц произвольной формы, в которых приводятся исчерпывающие данные для резисторов и конденсаторов схемы. Для резисторов такими данными являются: расчетное сопротивление и расчетная мощность рассеяния, тип резистора, номинальное сопротивление, допускаемое отклонение от номинального значения (в процентах), номинальная мощность рассеяния. Для конденсаторов необходимо указывать: расчетную емкость, максимальное рабочее напряжение (с учетом аварийных режимов цепи), тип конденсатора, номинальную емкость, допускаемые отклонения емкости от номинального значения, номинальное рабочее напряжение.

В дальнейшем сведения из этих таблиц будут использованы при разработке таблицы с перечнем элементов полной принципиальной схемы.

Выбор радиоэлементов

При проектировании возникает задача выбора ЭРЭ из чрезвычайно широкого их ассортимента. В связи с этим ниже даны рекомендации по выбору основных типов ЭРЭ.

Полагаем, что стандартный ЭРЭ выбран правильно, если номинальные значения его параметров находятся в допускаемых отношениях (равны, больше или меньше) с расчетными значениями этих параметров, а условия эксплуатации соответствуют техническим условиям.

Транзисторы

1. Хотя транзисторы являются приборами универсального применения и могут быть успешно использованы в функциональных элементах различных классов, их следует применять преимущественно по назначению, указанному в справочнике.

Набор параметров и характеристик, приводимый в справочнике, соответствует в первую очередь этому назначению транзистора и обеспечивает детальный расчет электронной схемы указанного класса.

По целевому назначению транзисторы обычно делят на усилительные, переключательные (импульсные), генераторные и специальные (лавинные, сдвоенные, двухэмиттерные и т. п.).

2. В справочнике приводятся значения параметров транзистора для соответствующих оптимальных или предельных режимов эксплуатации. Рабочий режим транзистора в проектируемом ЭУ часто отличается от указанного в справочнике. В таком случае необходимо по имеющимся в справочнике характеристикам и формулам, а также методом интерполяции определить значения параметров транзистора, соответствующие выбранному режиму.

3. Применение высокочастотных транзисторов в низкочастотных ЭУ нежелательно, так как они дороги, склонны к самовозбуждению и развитию вторичного пробоя, обладают меньшими эксплуатационными запасами.

Эксплуатационный запас — это разница между максимальным (предельным) значением какого-либо параметра и его максимально допустимым (предельно допустимым) значением.

Максимальные значения параметров определяют такие режимы, при которых работа транзистора (или другого ЭРЭ) недопустима ввиду его низкой надежности; максимально допустимые значения параметров — такие значения, в пределах которых гарантируют максимально допустимые значения параметров.

4. Не допускается превышение максимально допустимых значений напряжений, токов, температуры, мощности рассеяния. Как правило, транзистор работает более устойчиво при неполном использовании его по напряжению и полному использованию по току.

Для надежной работы транзистора напряжение на его коллекторе и рассеиваемая на нем мощность должны составлять не более 70—80 % от максимально допустимых значений. Создаваемый тем самым второй эксплуатационный запас предотвращает превышение этими параметрами их максимально допустимых значений при колебаниях, например питающих напряжений, при переходных режимах, возникающих при включении ЭУ, и др.

5. Не следует применять мощные транзисторы там, где можно применить маломощные, так как при использовании мощных транзисторов в режиме малых токов их коэффициент передачи по току мал и сильно зависит как от тока, так и от температуры окружающей среды. Кроме того, ухудшаются массогабаритные и стоимостные показатели ЭУ.

Необходимо применять транзистор минимально возможной для данных конкретных условий мощности, но так, чтобы он при этом не перегревался. Лучше применять транзистор малой мощности с небольшим теплоотводом, чем большой мощности без теплоотвода.

6. Если нет особых причин для применения германиевого транзистора, лучше применить кремниевый. Кремниевые транзисторы лучше работают при высоких температурах, имеют более высокие пробивные напряжения и на один-два порядка меньше, чем германиевые, обратные токи.

7. Коэффициент передачи тока базы зависит от тока коллектора и при некотором его значении обычно имеет максимальное значение. Для хорошего усиления на низких частотах желательно выбирать это максимальное значение h_21э или близкое к нему по приводимым в справочнике графикам. В других случаях коэффициент передачи тока следует принимать равным указанному в справочнике типовому значению или среднему арифметическому от минимального и максимального значений параметра.

Полупроводниковые диоды

1. Необходимо применять диоды по указанному в справочнике назначению, например в выпрямителе следует применять выпрямительные диоды, в импульсных устройствах — импульсные диоды и т. д.

2. Обратное напряжение на диоде и прямой ток через него (в том числе импульсный) не должны превышать 70—80 % от максимально допустимых значений.

3. Рабочая частота не должна превышать указанного в справочнике предельного значения.

Резисторы

1. В разрабатываемом ЭУ в качестве различных нагрузок, поглотителей и делителей в цепях питания, элементов фильтров, в цепях формирования импульсов и т. п. следует применять резисторы постоянные общего назначения.

2. При курсовом проектировании рекомендуется применять резисторы постоянные общего назначения типа МЛТ, основные данные которых приведены в Приложении Б,В.

3. Резисторы постоянные специальные (прецизионные, высокочастотные, высокоомные, высоковольтные и др.) следует применять в тех случаях, когда значения соответствующих параметров резисторов общего назначения оказываются недостаточными, например малы точность и сопротивление и т. д.

4. Допускаемое отклонение сопротивления от номинального значения следует выбирать с учетом чувствительности к нему выходных параметров, принимая при этом во внимание требование ограничения номенклатуры ЭРЭ.

5. Переменные резисторы следует применять по назначению. Подстроенные резисторы, подвижная система которых рассчитана на небольшое число перемещений (до 1000 циклов),—в качестве только подстроечных, регулировочные, масса, габариты и стоимость которых выше, — только в качестве регулировочных.

6. При курсовом проектировании рекомендуется применять переменные резисторы, основные данные которых приведены в Приложении Б,Д.

Конденсаторы

1. Тип конденсатора выбирают по совокупности значений его номинальных емкости и рабочего напряжения. Если конденсатор выбирают для работы в цепи переменного или импульсного тока, то принимают во внимание его тангенс угла потерь.

2. Допускаемое отклонение емкости от номинального значения следует выбирать с учетом чувствительности к нему выходных параметров ЭУ.

3. Для большинства типов конденсаторов в справочниках указывается номинальное рабочее напряжение постоянного тока. Эффективное значение переменного напряжения на конденсаторе должно быть в 1,5—2 раза меньше указанного рабочего напряжения для постоянного тока.

При работе конденсатора в цепи пульсирующего тока сумма постоянного напряжения и амплитудного значения переменного напряжения на нем не должна превышать его номинального рабочего напряжения.

4. Не следует без необходимости применять конденсатор с номинальным напряжением, значительно превышающим рабочее, так как при этом ухудшаются массогабаритные и стоимостные показатели изделия.

5. Оксидные конденсаторы изготовляются двух типов: полярные и неполярные. Полярные конденсаторы можно устанавливать лишь в тех цепях, в которых постоянная составляющая напряжения на конденсаторе будет больше амплитуды переменной составляющей. На неполярные конденсаторы это ограничение не распространяется.

6. При курсовом проектировании рекомендуется применять конденсаторы, основные данные которых приведены в Приложении Б,Е.

Микросхемы

1. Главным условием применения микросхем является строгое соблюдение режимов работы, рекомендованных в технических условиях на выбранную микросхему. Это относится в первую очередь к величине напряжения питания, сопротивления нагрузки и диапазону температуры.

2. Необходимо рассмотреть возможность применения микросхем общего применения, характеризуемых низкой стоимостью, широким диапазоном напряжения питания, защищенным входом и выходом.

3. Рекомендации по применению аналоговых интегральных схем приводятся в справочной литературе. Так, наиболее полно требованиям к усилителям низкой частоты удовлетворяют следующие серии микросхем 122, 123, 140, 153, 173, 174, 224, 226, 235, 237.

4. Из всего многообразия логических ИС в современной цифровой электронике наиболее широкое распространение находят транзисторно-транзисторные логические (ТТЛ), в том числе и с применением диодов Шоттки (ТТЛШ), логические элементы с эмиттерными связями и на МДП-транзисторах.

5. В настоящее время одними из наиболее перспективных ИС принято считать ТТЛ — схемы, обладающие высокой технологичностью и весьма высокими показателями качества. Отечественной промышленностью освоено производство ТТЛ-ИС серий 106, 130, 133. 134, 135, 141, 155, 158, 230, 243, 530, 531, 533, 555.

6. Логические ИС со связью по эмиттеру (ЭСТЛ) относятся к числу быстродействующих и сверхбыстродействующих микросхем с большой потребляемой мощностью. Поэтому ЭСТЛ целесообразно использовать в тех устройствах, к которым предъявляются требования максимального быстродействия, а экономичность имеет второстепенное значение. ЭСТЛ лежит в основе таких серий ИС, как 100, 137, 138, 187, 191. 223, 229, 500, предназначенных для использования в ЭВМ сверхвысокого быстродействия и скоростных устройств дискретной обработки информации.

7. Логические МДП-ИС серий 108, 120, 144, 147, 172, 178 выполнены на транзисторах с каналами одного типа проводимости и относятся к схемам низкого быстродействия средней мощности. Так, один логический элемент ИС серии 147 потребляет 45 мВт и имеет среднее время задержки не более 2500 нс.

Более высоким быстродействием, очень малой потребляемой мощностью и весьма большим коэффициентом разветвления по выходу обладают комплементарные МДП-ИС серий 164, 176, 564, 764. Однако по стоимости и степени интеграции они уступают микросхемам с каналами одного типа проводимости.

8. При выборе микросхем необходимо избегать применения ИС разных серий. Если это неизбежно, то лучше применять микросхемы с одинаковым напряжением питания.

9. В заключение отметим некоторые особенности ИС, которые необходимо учитывать при монтаже и эксплуатации.

Для устранения паразитной генерации по цепям питания в их шинах, возле каждого операционного усилителя (ОУ), рекомендуется установить конденсаторы емкостью 0,01—0,05 мкФ.

Проводники печатной платы, подводящие напряжение питания, могут создавать паразитные токи, воздействующие на входы ОУ. Для схем, чувствительных к малым токам, нужно предусмотреть защиту входов ОУ от токов утечки. Защиту целесообразно выполнить в виде проводящего кольца печатной дорожки, которое располагают вокруг входов ОУ и соединяют с землей.

Для защиты от всплесков дифференциального сигнала при переходных процессах между входами ОУ можно включить встречно-параллельные диоды. Если ОУ не имеют встроенной защиты от короткого замыкания на выходе, то необходимо последовательно с выходным зажимом включить резистор сопротивлением 200 Ом, а цепь обратной связи подключить к другому выводу резистора. Такое включение практически не увеличивает выходное сопротивление ОУ.

Эксплуатация ТТЛ-ИС также имеет ряд особенностей. При проектировании и монтаже аппаратуры для повышения устойчивости работы ТТЛ-ИС их свободные входы необходимо подключить через резистор сопротивлением 1 кОм к источнику питания. К каждому резистору допускается подключение 20 свободных входов. При монтаже микросхем на печатных платах необходимо предусмотреть вблизи разъема подключение конденсаторов из расчета не менее 0,1 мкФ на одну ИС, исключающих низкочастотные помехи. С целью устранения высокочастотных помех рекомендуется устанавливать по одному керамическому конденсатору на группу микросхем числом не более 10 из расчета 0,002 мкФ на одну ИС.