Какие процессы приводят к формированию сплошного спектра излучения рентгеновской трубки?

Сплошной спектр рентгеновского излечения – непрерывный спектр. При подаче напряжения на катод он нагревается и в результате термоэлектронной эмиссии около поверхности катода образуется электронное облако. При возникновении разности потенциалов между анодом и катодом электроны бомбардируют анод. Влетающий в анод электрон тормозится кулоновским полетом атома. При торможении возникает электромагнитный импульс. Множество этих импульсов создают сплошное рентгеновское излучение.

Какие процессы приводят к формированию характеристического излучения рентгеновской трубки?

. При подаче напряжения на катод он нагревается и в результате термоэлектронной эмиссии около поверхности катода образуется электронное облако. Электроны, бомбардирующие анод, обладают достаточной кинетической энергией. Они выбивают электроны с внутренних электронных оболочек атомов, образующих при этом свободные вакансии, заполняют электронами с более удаленных от ядра оболочек, где их энергия выше. При переходе с более высокого уровня на низкий уровень появляется излишек энергии, который выделяется в виде кванта электромагнитного излучения, что является характеристическим спектром.

Часть 3.

От чего зависит функция атомного рассеяния как рассчитать

Атомным фактором называется величина, характеризирующая способность изолированного атома или иона когерентно рассеивать рентгеновское излучение, электроны или нейтроны (соответственно различают рентгеновский, электронный или нейтронный атомный фактор). Атомный фактор определяет интенсивность излучения, рассеянного атомом в определенном направлении.Атомный фактор f (или функция атомного рассеяния) определяется как отношение амплитуды волны, рассеянной одним атомом к амплитуде волны, рассеянной одним свободным электроном. Величина атомного фактора зависит от угла рассеяния и длины волны излучения

32.Интегральная интенсивность

Эта зависимость выражается уравнением

I/Io=1/Vя * Cf(teta)*p*modul(s)^2*e^(-2mu)*A(teta)

Io – интенсивность первичных лучей

С-постоянная для данного вещества и данных условий съемки

F(teta)-угловой множитель интенсивности

p- множитель повторяемости

modul(s)^2-структурный множитель интенсивности

e^(-2mu)-температурный множитель интенсивности

Va-объем элементарной ячейки

R(teta)-абсорбционный множитель

34.законы погасания для оцк: В случае объемноцентрированной решетки гасятся линии, для ко-

торых сумма индексов (H+K+L) есть число нечетное. (110 200 211 220 310 222 321 и тд)

35 для гцк В случае гранецентрированной решетки гасятся линии, для которых

индексы Н, К и L есть числа разной четности. (111 200 220 311 222 400 331 420 422)

Часть 4

37) Что такое интегральная ширина рентгеновской линии? Как она рассчитывается?

Интегральная ширина – отношение максимальной интенсивности к интегральной.

Рассчитывается по формуле:

B=max(N(2teta)-N*fi(2teta))/int(N(2teta)-N*fi(2teta)d(fi)

38) Что такое центр тяжести рентгеновской линии?

Центр тяжести рентгеновской линии- точка, где значения интенсивности справа и слева соврадают.

Часть 5

Функция Лауэ описывает обратную решетку (главные максимумы – узлы обратной решетки) .

40.cos(alpha)=n*liambda/I

I-период идентичности вдоль оси вращения

Альфа-угол между осью и интерфереционным лучом

N-порядок интерференции

41.2d sinteta=n*liambda

D-межплоскостное расстояние

Teta-дифракционный угол

N- порядок отражения

Liambda-длина волны

42. Метод. Лауэ, или метод неподвижного кристалла, используют для определения ориентировки кристаллов, симметрии кристалла, а также для выявления некоторых дефектов кристаллической структуры. Рентгенограммы, снятые по методу Лауэ — с неподвижного монокристалла на неподвижную пленку в полихроматическом излучении,называют лауэграммами. Чаще всего лауэграммы снимают на плоскую пленку при прямом или обратном ее расположении в последнем случае рентгенограммы называют эпиграммами. Как правило, эпиграммы2 снимают при работе с крупными и сильно поглощающими кристаллами. При съемке лауэграмм используется сплошное рентгеновское излучение, например излучение от трубки с вольфрамовым анодом при напряжении 40—60 /се1. Первичный луч, прошедший сквозь образец, гасится свинцовой

ловушкой с тонким дном, пропускающим ослабленный пучок, который дает пятно в центре лауэграммы, являющееся началом отсчета и соответствующим 0 = 0°.При съемке эпиграммы регистрируются отражения под углами §>45°, связанные в большинстве с волнами длиной 0,8—1,2 А. Для уменьшения флюоресцентного рассеяния следует использовать трубки со сравнительно легкими анодами (медь, железо и т.д.) и рекомендуется работать, применяя относительно невысокие напряжения—15—30 кв в зависимости от объекта и анода трубки.Ориентировки крупных кристаллов или отдельных зерен крупнозернистых образцов (шлифов) определяют с помощью эпиграмм.'

43. Метод вращающегося кристалла и его видоизменения являются наиболее точными и универсальными при определении кристаллических структур.

44.метод дебая: Узкий параллельный пучок монохроматических рентгеновских лучей, падая на поликристаллический образец и отражаясь от кристалликов, из которых он состоит, даёт ряд коаксиальных, т. е. имеющих одну общую ось, дифракционных конусов (рис. 1). Осью конусов служит направление первичного пучка рентгеновских лучей. Вершины их лежат внутри исследуемого объекта, а углы раствора определяются согласно Брэгга — Вульфа условию: nl = 2dsin q (здесь n — целое положительное число, l — длина волны рентгеновских лучей, d — расстояние между параллельными плоскостями узлов пространственной решётки кристалла, q — угол между отражающей плоскостью и падающим лучом). Угол раствора конуса равен учетверённому углу отражения q . Интенсивность и положение дифракционных конусов фиксируются на фотоплёнке или одним из ионизационных методов (рис. 2). При попадании дифрагирующих лучей на фотоплёнку они оставляют след в виде ряда дифракционных линий, форма которых зависит от геометрии рентгеносъёмки: взаимного расположения образца, фотоплёнки и падающего пучка рентгеновских лучей. В некоторых камерах для съёмки рентгенограмм с поликристаллов фотоплёнка располагается по поверхности цилиндра, ось которого перпендикулярна падающему пучку рентгеновских лучей, а образец помещается на оси цилиндра.

Часть 6.

Рентгеновский количественный фазовый анализ основан на определении интенсивности линий исследуемой фазы, сравнении интенсивности линий определяемых фаз между собой или с интенсивностью линии эта-

лонного образца, полученной на одной рентгенограмме или дифрактограмме с линиями исследуемого образца (метод подмешивания эталона или метод независимого эталона).

53.сведения для количественного фаз.ан: Если образец содержит п фаз различной плотности, то относительная интенсивность линий какой-либо из этих фаз однозначно связана с количеством ее в образце. Это количество можно определить из сравнения интенсивности линий исследуемой фазы с интенсивностью линий независимого эталона. Для этого необходимо знать, как меняется отноше-

ние интенсивностей заданной пары линий эталона и определяемой фазы при изменении отношения количества эталона и исследуемой фазы

55.эталон: Затем по результатам фотометрирования следует построить график, связывающий размер эталона с отношением интенсивности линий сравнения, по которому легко найти значение а, соответствующее отношению интенсивностей, равному единице (см. рис. 56).

Часть 7.

Следует также обратить внимание на поло-

жение линии. При этом чем меньше углы дифракции первых линий, тем

больше элементарная ячейка и ниже симметрия данной фазы системы.

Раздел 8

61. Полюсной фигурой поликристаллического вещества называется стереографическая проекция нормалей (полюсов) к определенным атомным плоскостям (hkl), построенная для всех кристаллитов данного поли-

кристалла.

62. аксиальная стр-ра-зерна поликристалла выстраиваются определенным кристаллографическим направлением вдоль некоторого внешнего направления(текстура волочения)

63. Если бы рассматриваемая плоскость была не наклонной, а вертикальной (параллельной оси вращения), то вместо четырех отраженных лучей образовалось бы лишь два таких луча, лежащих на оси FF'.

64. Если же плоскость была бы горизонтальной (перпендикулярной оси вращения), то она не давала бы никаких отражений.

Рисунок 2 – Схема ППФ материала с аксиальной текстурой:

а) идеальная текстура; б) текстура с углом рассеяния 9ρ.

65.{100} (100) (010)(001)(-100)(0-10)(00-1)

<110> 45 45 90 45 45 90

66.{100} {110} того же образца

9 раздел

70.Причины уширения линии : наличие микронапряжений ,измельчение блоков мозаики

Зная истинные физические уширения двух линий одного и того же вещества, полезно провести качественную оценку доли влияния факторов блочности и микронапряжений. В самом деле, если блоки мозаики недисперсны (крупнее 0,1 мк), то уширение вызвано только микронапряжениями

Если же в образце нет искажений, но блоки малы (меньше 0,1 мк),то все уширение вызвано только дисперсностью блоков

71.плотность обр.проп ширине в кубе

Раздел 10.