Коэффициент передачи ЭП равен

Коэффициент передачи ЭП равен - student2.ru (14)

где RЭКВ Н эквивалентное сопротивление нагрузки ЭП, состоящее из параллельно включенных R и RН.

Входное сопротивление

RВХ Э= h11Э+ (h21Э+1)RЭКВ Н× (15)

Выходное сопротивление ЭП равно

Коэффициент передачи ЭП равен - student2.ru , (16)

где RИСТ – сопротивление источника сигнала, стоящего перед ЭП. Если перед ЭП стоит ССУ, то RИСТ≈R.

Коэффициент передачи ЭП равен - student2.ru

Рисунок 7 – Эмиттерный повторитель

Таким образом, коэффициент передачи ЭП немного меньше единицы, но он обладает высоким входным и малым выходным сопротивлениями.

ПОРЯДОК РАСЧЕТА УСИЛИТЕЛЯ

1 Расчет усилителя начинается с расчета выходного каскада, т.е. эмиттерного повторителя.

Вычисляем ток нагрузки

IН~ = UВЫХ / RН (15)

Затем определяем постоянную составляющую тока эмиттера ЭП, который должен превышать ток нагрузки в 2-3 раза IЭП-=(2-3)∙IН.

Отсюда сопротивление в цепи эмиттера ЭП составит

RЭ= UП2 / IЭП- (16)

Определяется мощность рассеивания на коллекторе транзистора

PК =UКЭ· IК0, (17)

где можно принять IК0≈ IЭП-.

Выбирается бескорпусной БТ, у которого максимальная мощность рассеивания на коллекторе РК max больше, чем рассчитанная выше.

По выходным характеристикам транзистора в рабочей точке (РТ) при UКЭ=UП1 определяем ток базы. Затем в этой же точке определяем коэффициент передачи тока базы h21Э= ΔIК / ΔIБ , и по входным характеристикам определяем входное сопротивление транзистора

h11Э=ΔUБЭ /ΔIБ .

Из входных характеристик определяем также постоянное напряжение база-эмиттер транзистора UБЭП-.

Рассчитываем коэффициент передачи ЭП по формуле

Коэффициент передачи ЭП равен - student2.ru , (18)

где RНЭ=(RЭ ∙RН)/(RЭ+RН)

и входное сопротивление по переменному току

RВХ ЭП~=h11Э+(h21Э+1)∙RН Э

Напряжение сигнала на входе ЭП должно составлять

UВХ ЭП= UВЫХU ЭП

Переменный входной ток ЭП составляет

Коэффициент передачи ЭП равен - student2.ru Коэффициент передачи ЭП равен - student2.ru (19)

2 Затем рассчитывается ССУ (рис 5).

Ток коллектора IК VT2C источника тока VT2C (он же ток эмиттера транзистора VT1C) должен примерно на порядок превышать амплитуду входного переменного тока ЭП IВХ Э~.

Падение напряжения на резисторе R рекомендуется брать примерно 1/3 от напряжения питания UП2.

Мощность рассеивания на коллекторе PК VT2C = UКЭ· IК VT2C.

Выбираем транзистор, у которого РК max > PК VT2C.

Из выходных характеристик в РТ определяется ток базы транзистора VT. А по входным характеристикам определяем постоянное напряжение база-эмиттер транзистора VT UБЭ- и h11Э VT1C.

Напряжение UКЭ дифференциального каскада составляет примерно половину напряжения питания UП1. А напряжение между коллектором дифференциального усилителя и выходом ЭП (которое равно нулю) составляет

0,5∙UП1= UЭБ VT+ IЭ VT∙ R + UЭБ ЭП.

Принимаем, что UЭБ VT= UЭБ VT. Тогда резистор

R = (0,5∙UП1 - UЭБ VT1 -UЭБ ЭП)/ (IЭ VT1 + IБ ЭП)

Коэффициент передачи схемы смещения равен коэффициенту передачи ЭП на транзисторе VT1C умноженному на коэффициент передачи цепочки R и RВХ ЭП. Считаем, что сопротивление источника тока транзистор (VT2C) равно бесконечности. Для определения коэффициента передачи ЭП на транзисторе VT1C находим h21Э, и h11Э.

Коэффициент передачи ЭП равен - student2.ru ,

где RНЭ=R3C+RВХ ЭП

Если необходимо увеличить коэффициент передачи, то можно увеличить ток источника тока (VT), это приведет к уменьшению величины резистора R и, следовательно, возрастет KU СС.

RВХ СС=h11Э +(h21Э +1)∙RН Э

Для того, что бы использовать один делитель напряжения Rи R для источников тока схемы смещения и дифференциального каскада (см. схему рис. 8) берем напряжение на базе транзистора равным UБVT2C=(0,6-0,7)UП2. Тогда напряжение на резисторе R4C будет равно UR4C =UП2 - UБVT2C- UЭБ VT. Величина резистора в цепи эмиттера определяется R= UR4C/(IКVT2C +IБVT).

Расчет ДК.

В качестве дифференциальной пары транзисторов VT1 и VT2 следует брать сдвоенные транзисторы, т.к. парные транзисторы имеют минимальный разброс параметров.

Расчет ДК рекомендуется начинать с построения зависимости

h11Э =f(IБ) (рис.8), используя для этого входные характеристики транзисторов VT1 и VT2.

Коэффициент передачи ЭП равен - student2.ru

Рис. 8 -

Затем в соответствии с заданным значением входного сопротивления усилителя (2) определить значение тока базы IБ0Д (индекс Д означает, что данный параметр транзистора используется для ДК).

Если по характеристикам транзистора в области малых токов базы нельзя определить ток IБ0Д для получения заданного значения h11Э0, то его можно определить следующим образом. Определяем значения IБ и h11Э в какой-нибудь точке характеристики и по формуле IБ0Д = IБ ∙ h11Э / h11Э0 находим необходимый ток базы IБ0Д.

По выходным характеристикам транзистора находится ток коллектора IК0Д. Для полученной рабочей точки определяется h21Э.

Если РТ находится в области малых токов базы и коллектора и параметр h21Э0 сложно определить по характеристикам, то для его определения можно воспользоваться следующим соотношением

Коэффициент передачи ЭП равен - student2.ru

Определяем h21Э в доступной области малого тока коллектора IК. Принимая, что

IК0 ≈ h21Э0 ∙IБ0

получаем Коэффициент передачи ЭП равен - student2.ru и окончательно h21Э0 ≈ h221Э∙IБ0 / IК.

Задаваясь напряжением UКЭД≈0,5∙UП1 определяем величину сопротивления в цепи коллектора R2 =0,5∙UП1/ IК0Д.

Проверить транзистор на допустимую мощность рассеивания. Для этого определяем PК=UКЭД∙IК0Д. Эта мощность должна быть меньше, чем PК max. Если это условие не выполняется, то взять транзистор с большей мощностью рассеивания на коллекторе.

Рассчитываем КU Д по формуле (1). Затем рассчитываем коэффициент передачи всего устройства

КU= КU Д∙KU CC∙KU ЭП

Если ток через один транзистор ДК составляет IК0, то ток источника тока (VT3) должен составить I0VT3 =2∙IК0. Выбираем транзистор такого же типа, что и VT.

Как уже говорилось, используется один делитель напряжения Rи R для источников тока схемы смещения и дифференциального каскада (см. схему рис. 9). Напряжение на базе транзистора равным UБVT3=(0,6-0,7)UП2. Тогда напряжение на резисторе R3 будет равно UR3 =UП2 - UБVT2C- UЭБ VT. Величина резистора в цепи эмиттера определяется R= UR4C/(IКVT2C +IБVT).

Напряжение на эмиттере VT3 составит UЭ3= UБ3 + UБЭ

Сопротивление R3= (UП2- UЭ3)/ I0 VT3

Ток IД делителя напряжения R4, R5 выбирается примерно на порядок больше, чем сумма токов базы VT3 и VT5, т.е. он равен.

Тогда R4= UБ3/( IД + IБ3+ IБ5 ).

Принципиальная схема всего устройства приведена на рис. 9.

Коэффициент передачи ЭП равен - student2.ru

Рис. 9- Принципиальная схема усилителя

4 Расчет корректирующей ёмкости С1.

4.1 Определяем влияние БТ на АЧХ в заданном диапазоне частот. Для этого по параметрам, взятым из справочника определить предельную частоту

Коэффициент передачи ЭП равен - student2.ru

и по формуле

Коэффициент передачи ЭП равен - student2.ru

найти на сколько снизится |h21Э| и соответственно коэффициент усиления БТ на высокой частоты (КU БТ В). Определим относительный коэффициент частотных искажений за счет БТ

Коэффициент передачи ЭП равен - student2.ru

Определим на сколько надо снизить коэффициент усиления на ВЧ за счет корректирующей ёмкости (коэффициент М в разах)

Коэффициент передачи ЭП равен - student2.ru

и величина корректирующей ёмкости равна

Коэффициент передачи ЭП равен - student2.ru .

Рассчитываем АЧХ

а) от влияния корректирующей ёмкости

Коэффициент передачи ЭП равен - student2.ru

б) от влияния БТ

Коэффициент передачи ЭП равен - student2.ru

в) результирующая АЧХ

МВБТ В ∙МС В

г) вычисляем обратную величину

Y=1/МВ

Вычисления проводим до частоты, на которой коэффициент передачи снижается в 10 раз

д) строим зависимость Y=F(f)

4.2 Определяем влияние ПТ на АЧХ в заданном диапазоне частот. Для этого по параметрам, взятым из справочника определить предельную частоту

Коэффициент передачи ЭП равен - student2.ru

и по формуле

Коэффициент передачи ЭП равен - student2.ru

найти на сколько снизится |h21Э| и соответственно коэффициент усиления БТ на высокой частоты (КU БТ В). Определим относительный коэффициент частотных искажений за счет БТ

Приложение А. Параметры и характеристики бескорпусных транзисторов.

Таблица А1

Тип БТ РК max, мВт UКЭ max, В h21Э | Н21Э| f, МГц Размер, мм
КТ307А 2,5 0,7х0,7
КТ307Б 2,5 0,7х0,7
КТ307В 2,5 0,7х0,7
КТ307Г 2,5 0,7х0,7
КТ331А 2,5 1,2х1,2
КТ331Б 2,5 1,2х1,2
КТ331В 2,5 1,2х1,2
КТ359А 0,7х0,7
КТ359Б 0,7х0,7
КТ359В 0,7х0,7
КТ369А 2х2
КТ369Б 2х2
КТ384А 4,5 2х2
КТС394А 2∙150 4х4
КТС394Б 2∙150 4х4
КТС395А 2∙125 4х4
КТС395Б 2∙125 4х4
КТ396А 1,2х1,4
КТ397А 2,2х2,2
КТС398А-1 2∙30 1,5х1,5
КТС398Б-1 2∙30 1,5х1,5

Тип ПТ n-канальн РСmax, мВт UСИmax, В IC0, мА UЗИ0, В S0, мА/В | S|, мА/В f, МГц Размер, мм
КПС 202 А-2 2∙30 0,5 0,1 2,2х2,6
КПС 202 Б-2, 2∙30 0,75 1,5 0.2 ''
КПС 202 В,2 2∙30 1,5 1,5 0.2 ''
КПС 202 Г-2 2∙30 2,5 2,5 0,2 ''
КП 202 Д-1, 1,2 1,2 0.6 2,2х2,2
КП 202 Е-1 0,1 ''
КП 308 А, 0,8 0,8 0.2 1х1
КП 308 Б, 1,2 2,4 0.2 ''
КП 308 В, 2,8 1,4 0,4 ''
КП 308 Г, 4,5 0,4 ''
КП 308 Д 0,4 ''

Коэффициент передачи ЭП равен - student2.ru

Коэффициент передачи ЭП равен - student2.ru

Коэффициент передачи ЭП равен - student2.ru

Коэффициент передачи ЭП равен - student2.ru

Коэффициент передачи ЭП равен - student2.ru

Коэффициент передачи ЭП равен - student2.ru

Коэффициент передачи ЭП равен - student2.ru

Коэффициент передачи ЭП равен - student2.ru

Коэффициент передачи ЭП равен - student2.ru

Коэффициент передачи ЭП равен - student2.ru

Коэффициент передачи ЭП равен - student2.ru

Коэффициент передачи ЭП равен - student2.ru

Коэффициент передачи ЭП равен - student2.ru

Коэффициент передачи ЭП равен - student2.ru

Коэффициент передачи ЭП равен - student2.ru

Коэффициент передачи ЭП равен - student2.ru

Коэффициент передачи ЭП равен - student2.ru

Коэффициент передачи ЭП равен - student2.ru

Коэффициент передачи ЭП равен - student2.ru

Коэффициент передачи ЭП равен - student2.ru

Коэффициент передачи ЭП равен - student2.ru

Коэффициент передачи ЭП равен - student2.ru

Литература

1 Игнатов А.Н.,Фадеева Н.Е., Савиных В.Л. и др. Классическая электроника и наноэлектроника. Учебное пособие/изд. «Флинта», М., 2009. Стр.177-184.

2 Игнатов А.Н. и др. Основы электроники: Учебное пособие /СибГУТИ.-Новосибирск, 2005. Стр.123-128.

3 Справочники по биполярным и полевым транзисторам.

4 Савиных В.Л. Конспект лекций по электронике. 2012. Электронная версия.

Св. План 2013, поз.

Валерий Леонидович Савиных

Курсовая работа

по дисциплине Электроника

(методические указания).

Редактор доцент

Корректор

Лицензия №020475, январь 1998 г. Подписано в печать

Формат бумаги 62 84 1/16

Бумага писчая № 1. Уч. изд. л. Тираж 00 экз.

Заказ №

Типография СибГУТИ, 630102, г. Новосибирск, ул. Кирова, 86.

Наши рекомендации