Исследование входных характеристик транзистора в схеме ОЭ

Задачей является исследование серии входных характеристик, аналогичных представленным на рис. 4.3, а, 4.6, а. Обратим внимание, что исследуются серии характеристик I_б(U_бэ) при фиксированных значениях напряжения U_кэ между коллектором и эмиттером.

Первоначально установите значение U_кэ = 0. Изменяя напряжение U_бэ от нулевого значения до (примерно) 1 В (не менее 8–10 точек), измеряйте значения токов I_б(U_бэ)|_{Uкэ = 0} (табл. 4.6).

Таблица 4.6

Параметр	Uбэ, В	Iэ, мА	Iк, мА	Iб, мА
Uкэ = ?		?	?	?
?	?	?	?
…	…	…	…
?	?	?	?

2.3. Установите значение U_кэ = 10-12 В. Изменяя напряжение U_бэ от нулевого значения до U_бэ ≈ 1 В (не менее 8–10 точек), измеряйте значения токов I_б(U_бэ)|_{Uкэ = 10} (аналогично, табл. 4.6).

2.4. Установите значение U_кэ = 15-17 В. Изменяя напряжение U_бэ от нулевого значения до U_бэ ≈ 1 В (не менее 8–10 точек), измеряйте значения токов I_б(U_бэ)|_{Uкэ = 15} (аналогично, табл. 4.6).

2.5. Постройте и объясните серию входных I_б(U_бэ)|_Uкэ характеристик (на одном графике).

Исследование выходных характеристик транзистора в схеме ОЭ

Задачей является исследование серии выходных характеристик, аналогичных представленным на рис. 4.3, б, 4.6, б. Исследуются серии характеристик I_к(U_кэ) при различных фиксированныхзначениях тока базы I_б.

2.7. Первоначально установите U_бэ = 0, так что I_б = 0. Изменяя U_кэ от нулевого значения до U_кэ ≈ 20 В (не менее 8–10 точек), измеряйте значения токов I_к(U_кэ)|_{Iб = 0} (табл. 4.7). По мере изменения U_кэ значение I_б должно оставаться постоянным, и если значение изменяется, то регулируйте U_бэ.

Таблица 4.7

Параметр	Uкэ, В	Iк, мА	Iэ, мА	Пара-метр	Uкэ, В	Iк, мА	Iэ, мА	Параметр	Uкэ, В	Iк, мА	Iэ, мА
Iб = ?, мА		?	?	Iб = ?, мА		?	?	Iб = ?, мА		?	?
?	?	?	?	?	?	?	?	?
…	…	…	…	…	…	…	…	…
?	?	?	?	?	?	?	?	?

2.8. Установите произвольное значение тока I_б базы. Изменяя U_кэ от нулевого значения до U_кэ ≈ 20 В (не менее 8–10 точек), измеряйте значения I_к(U_кэ)|_Iб (табл. 4.7). По мере изменения U_кэ значение I_б должно оставаться постоянным.

2.9. Установите следующее значение тока I_б базы. Изменяя U_кэ от нулевого значения до U_кэ ≈ 20 В (не менее 8–10 точек), измеряйте значения токов I_к(U_кэ)|_Iб (табл. 4.7). По мере изменения U_кэ значение I_б должно оставаться постоянным.

2.10. Постройте серию выходных характеристик I_к(U_кэ)|_Iб при различных токах базы.

2.11*. Исследование характеристики обратной связи в схеме ОЭ

Характеристика обратной связи U_бэ(U_кэ) в схеме ОЭ показывает, как необходимо изменять напряжение U_бэ при возрастании напряжения U_кэ, чтобы ток I_б оставался постоянным.

Для исследования зависимости U_бэ(U_кэ) установите фиксированное значение тока базы I_б, и, удерживая его постоянным по мере возрастания U_кэ от 0 до 20…25 В, снимите значения U_бэ (табл. 4.8).

Таблица 4.8

Параметры	Iб = ? мА
Uкэ, В	?	8-10 точек	?
Uбэ, В	?	?	?
Коэффициент обратной связи mкб|ОЭ	?

2.12. Постройте характеристику обратной связи U_бэ(U_кэ) в схеме ОЭ и рассчитайте значение коэффициента обратной связи m_кб|ОЭ.

Исследование характеристики передачи тока в схеме ОЭ

Для построения серии статических характеристик передачи тока I_к(I_б)|_Uкэ в схеме ОЭ первоначально установите произвольное фиксированное значение U_кэ = 10…15 В и, изменяя ток I_б, измеряйте значения тока коллектора I_к (табл. 4.9).

Таблица 4.9

Параметры	Uкэ = ? В
Iб, мА	?	8-10 точек	?	?
Iк, мА	?	?	?	?
bсред	?

2.14. Рассчитайте значение коэффициента передачи тока b_сред по графику функции I_к(I_б): b_сред =DI_к/DI_б.

2.15. Выключите установку.

Отчетные материалы

В лабораторной тетради представляются:

– заполненные таблицы;

– экспериментальные входные и выходные характеристики в схеме с общей базой (ОБ);

– экспериментальные входные и выходные характеристики в схеме с общим эмиттером (ОЭ);

– переходные характеристики в схемах ОБ и ОЭ;

– характеристики обратной связи в схемах ОБ и ОЭ;

– расчетные значения и зависимости коэффициента передачи тока a и b в разных схемах.

К защите представляется РГЗ с задачами по теме: ″Биполярные транзисторы″.

Тема 5. Полевые транзисторы

Лабораторная работа № 5.1

″Статические характеристики полевого транзистора″

Цель работы: исследование принципа работы и статических характеристик полевого транзистора с управляющим p-n-переходом (ПТУП).

Приборы и принадлежности: испытательный стенд, источники питания; схема с общим истоком на основе полевого транзистора КП302А.