Типовая величина напряжения отпирания кремниевого полупроводникового диода составляет

0,6…0,8 В;

30. Через стандартно-включенный стабилитрон протекает постоянный ток 10 mА. Параметры стабилитрона: Uст = 7,5 В, Iст.min = 3 mA, Iст.max = 30 mA. Оценочная величина мощности, рассеиваемой на этом стабилитроне, составляет

75 мВт;

31. Через стандартно-включенный стабилитрон, протекает постоянный ток 1 mА. Параметры стабилитрона: Uст = 7,5 В, Iст.min = 3 mA, Iст.max = 30 mA. Падение напряжения на стабилитроне составляет

меньше 7,5 В, но больше 0 В.

32. Возможно ли использовать выпрямительный диод, имеющий паспортные значения Uобр.max = 160 В, Iпр.max = 1.0 A для построения выпрямителя напряжения 36 В частотой 50Гц, работающего на нагрузку 20 Ом?

нет;

Транзистор на рисунке включен по схеме

VT
R
Eп
Uвых
Uвх

ОК.

34. Один из усилительных каскадов называется "эмиттерный повторитель". Это каскад

ОК.

35. Для максимально-возможной амплитуды выходного напряжения усилителя, работающего в режиме А и питающегося от однополярного источника ЕП, справедливо неравенство

Типовая величина напряжения отпирания кремниевого полупроводникового диода составляет - student2.ru ;

36. Для максимально-возможной амплитуды выходного напряжения усилителя, работающего в режиме А и питающегося от двухполярного источника ± Еп, справедливо неравенство

1) Типовая величина напряжения отпирания кремниевого полупроводникового диода составляет - student2.ru ;

37. Максимальный КПД (Рнагробщ) имеет усилитель, работающий

в режиме В;

Схема усилителя, приведенная на рисунке, называется

R1
R2
+
Uвх
Uвых

неинвертирующий усилитель;

Минимальный коэффициент гармоник (уровень нелинейных искажений) имеет усилитель, работающий

в режиме А;

40. Коэффициент усиления по напряжению Ku усилителя, схема которого приведена на рисунке, определяется выражением

R1
R2
+
Uвх
Uвых

Типовая величина напряжения отпирания кремниевого полупроводникового диода составляет - student2.ru ;

41. В схеме, представленной на рисунке, Iк = b · Iб < Iк max. Это соответствует состоянию, когда транзисторный ключ

Eп
VT
R
Rк
Uвх
С

Uвых

находится в промежуточном состоянии (режим усиления).

Импульсное устройство, в котором амплитуда напряжения выходных импульсов может существенно превышать напряжение питания, называется

блокинг-генератор;

VT
R
Rк
Uвх
С
43. Транзисторный ключ, изображенный на рисунке, замкнут. Напряжение Uк равно

Eп

Uвых

Типовая величина напряжения отпирания кремниевого полупроводникового диода составляет - student2.ru ;

44. Минимальная частота усиления сигнала в транзисторном усилителе переменного тока ограничивается параметрами:

VT
Rэ
Eп
Ср1
Rб1
Rб2
Ср2

емкостью разделительных конденсаторов Ср1, Ср2 и сопротивлениями Rвх, Rвых;

45. Линия нагрузки и ВАХ диода приведены на рисунке. U1 и U2 представляют собой:

U

U2
U1

U1 – падение напряжения на диоде, U2– падение напряжения на нагрузочном резисторе;

Линия нагрузки и ВАХ диода приведены на рисунке. Мощность, рассеивается на диоде, определяется выражением

Im
IA
А
I

U

U2
U1

Типовая величина напряжения отпирания кремниевого полупроводникового диода составляет - student2.ru ;

Im
IA
А
I
47. Линия нагрузки и ВАХ диода приведены на рисунке. Мощность, потребляемая всей цепью (диод и нагрузочный резистор), определяется выражением

U2
U1

Типовая величина напряжения отпирания кремниевого полупроводникового диода составляет - student2.ru ;

48. Из усилительных каскадов одновременно имеет Ku > 1 и Кi >1

только ОЭ;

Семейство выходных ВАХ транзистора, включенного по схеме ОЭ, приведено на рисунке; рабочей точкой является точка А. Мощность, рассеиваемая на транзисторе, определяется выражением

Uкэ
А
IA
Im
Iк

UА
E

Типовая величина напряжения отпирания кремниевого полупроводникового диода составляет - student2.ru

Наши рекомендации