По каким критериям выбираются топологические формы и определяются размеры конденсаторов и катушек индуктивности ГИС?
Проектными параметрами плёночных конденсаторов являются:
– рабочее напряжение конденсатора Uр, В (влияет на выбор минимальной толщины диэлектрика между обкладками, но не на топологию или размеры);
– номинальная ёмкость С, пФ;
– допустимое относительное отклонение ёмкости δC;
– допустимый температурный диапазон ∆Т, град;
– временной интервал эксплуатации конденсатора ∆Тв, час;
– допустимые потери (добротность Q) в конденсаторе;
– граничная частота конденсатора Fгр, Гц.
К проектированию катушек формируется перечень исходных данных:
– функциональные параметры:
а) индуктивность, L;
б) добротность, Q;
в) рабочая частота, f, МГц;
– конструктивно-технологические ограничения:
а) погрешность линейных размеров ∆L (или минимально допустимые размеры зазора между проводниками и ширины проводника) и совмещения ∆С для компоновки вывода от внутреннего витка;
б) допустимая толщина проводника, h;
в) максимально-допустимый наружный диаметр катушки Dн max;
г) наличие и вид экранирующих элементов.
18. Какие показатели конструкций корпусов, как средств защиты и электромонтажа кристаллов и плат интегральных микросхем нормируются стандартами?
Нормируются стандартами по ГОСТ 17467 «Микросхемы интегральные. Корпуса».
- шаг вывода (2,5мм 1,25мм 0,625мм);
- ориентация выводовотносительно корпуса (5 модификаций);
Шаг выводов в приведенных типах корпусов чётно кратен размеру 0,625 мм и там, где это допустимо, принимается равным 1,25 и 2,50 мм. Расстояние от центра крайнего вывода корпуса до линии обреза тела корпуса принимается в среднем на 0,5 мм менее шага выводов.
Модификации ориентации выводов:
1. размещение выводов корпуса в пределах проекции тела корпуса на монтажную плоскость и перпендикулярных ей.
2. размещение выводов корпуса за пределами проекции тела корпуса на монтажную плоскость и перпендикулярных ей.
3. тоже что и первая, только форма тела микросхемы – круглая.
4. выводы выходят за пределы проекции тела корпуса на монтажную плоскость и параллельны ей (планарные выводы).
5. выводы размещаются по торцевым граням тела корпуса перпендикулярны монтажной плоскости и находятся на внешней границе проекции тела корпуса.
19. Перечислите и приведите комментарий к типовым вариантам конструкций компонентов ГИС по форме и способам электромонтажа.
Навесные компоненты.
Поскольку при помощи плѐночных технологий можно реализовать ограниченный набор функциональных компонент, приходится применять навесные радиоэлементы изготавливаемые по собственной технической документации. К таковым относятся:
– полупроводниковые приборы и кристаллы микросхем;
– моточные изделия при индуктивности обмоток более (10–20) мкГн;
– конденсаторы ѐмкостью более (1000–2000)пФ;
–одиночные резисторы с сопротивлением существенно (десятки раз) отличным от сопротивления квадрата слоя материалов.
Компоненты, подлежащие выносу за пределы платы ГИС:
– перестраиваемые резисторы, индуктивности и ѐмкости;
– силовые полупроводниковые приборы и резисторы при рассеиваемой мощности более (0,2–0,5) Вт, если для отвода тепла недопустимо применение тепловых шин, радиаторов;
– конденсаторы ѐмкостью более (1–2) мкФ при рабочих напряжениях более (6–10) В;
– переключатели с механическим управлением;
– трансформаторы и катушки с индуктивностью более 1020 мГн;
– резисторы с сопротивлением более (200–300)кОм.
Конструкции навесных элементов разнообразны, но исполнение компонентов должно удовлетворять требованиям:
– совместимости их конструкций с плоским монтажным пространством плат ГИМС;
– однозначного соответствия ориентации и базировке при монтаже;
– удобства и возможности автоматизации монтажа и электромонтажа.
Кристаллы
В конструкциях гибридных микросхем применяются три варианта исполнений
полупроводниковых приборов кристаллов и плат:
– с гибкими выводами от кристаллов;
– конструкции с жесткими выводами в пределах проекции кристалла;
– конструкции с жесткими выводами, выступающими за пределы проекции кристалла.
На рисунках 4.22, а, б приведены варианты конструкций кристаллов с гибкими выводами. Отличие изображѐнной на рисунке 4.22, б конструкции состоит в полном обволакивании кристалла защитным покрытием, тогда как в исполнении 4.22, а покрытие нанесено на кристалл со стороны присоединения гибких выводов. В качестве защитного покрытия преимущественно применяются компаунды на органической основе. Кроме защиты от механических повреждений и загрязнения поверхности кристалла, покрытие выполняет функцию теплоотводящей оболочки и дополнительной механической связки между кристаллом и гибкими проводниками его выводов. Вариант конструкции, изображѐнный на рисунке 4.22, а, потенциально соответствует более совершенному отводу тепла при установке кристалла на теплоотводящие шины, благодаря более высокой теплопроводности кремния в сравнении с компаундами и клеями. Размеры конструкции с полным обволакиванием (см. рис. 4.22, б) по высоте (Н) более чем в два раза превосходят высоту конструкции с односторонним покрытием, а по диаметру (D) приблизительно сравнимы с диагональю кристалла этого исполнения.
Кристаллы с гибкими выводами монтируются (см. рис. 4.23) на платах ГИМС с помощью клея. Электромонтаж выполняется пайкой или одним из способов термо компрессионной сварки. Для применения автоматизированного оборудования монтажа и электромонтажа кристаллы и платы, как компоненты, могут исполняться с открытыми к электромонтажу контактными площадками на кристаллах и платах. Электромонтаж таких компонент выполняется в процессах производства микросборок на коммутационных платах с оснащением производственных участков необходимым для этих целей оборудованием.
Компоненты с жесткими выводами (см. рис. 4.24, рис. 4.25) позволяют применить при монтаже и электромонтаже автоматизированное и автоматическое оборудование.