Лабораторная работа N 4. Полупроводниковые приборы

Исследование выпрямительных полупроводниковых диодов

Порядок выполнения работы

4.1.1 Собрать схему для снятия вольт-амперной характеристики (ВАХ) выпрямительного диода (рисунок 2.7). Тип диода задаётся преподавателем. Амперметр установить в режим измерения постоянного тока.

Лабораторная работа N 4. Полупроводниковые приборы - student2.ru

Вид схемы измерения в программе Electronics Work Bench показан на рисунке 2.8.

Лабораторная работа N 4. Полупроводниковые приборы - student2.ru

Рисунок 2.8 – Вид схемы в программе Electronics WorkBench

4.1.2 Изменяя напряжение источника постоянного напряжения Е от 0 до 0,8 - 1 В с шагом 0,1 В, измерять ток в цепи (примерно до того значения, когда ток превысит 1 А).

4.1.3 Изменить полярность подключения диода (или источника ЭДС) и, изменяя напряжение источника от 0 до 10 В с шагом 1 В, измерять ток в цепи.

4.1.4 Результаты измерений занести в таблицу.

Uпр, В Iпр, мА Uобр, В Iобр, мкА
   
0,1    
0,2    
   
0,7    
0,8    
       

4.1.5 По таблице построить график ВАХ I = f(U) (прямую и обратную ветви).

Исследование биполярных транзисторов

Исследование входной характеристики в схеме с общим эмиттером (ОЭ)

Порядок выполнения работы

4.2.1 Собрать схему (рисунок 2.9). Тип транзистора задаётся преподавателем. Амперметр установить в режим измерения постоянного тока.

Схема измерения в программе EWB показана на рисунке 2.10.

Лабораторная работа N 4. Полупроводниковые приборы - student2.ru

Лабораторная работа N 4. Полупроводниковые приборы - student2.ru

Рисунок 2.10 – Схема измерения входной характеристики

в программе Electronics WorkBench

4.2.2 Установить при помощи источника Е2 напряжение на коллекторе Uк = 0.

4.2.3 Изменяя напряжение на базе Е1 от 0 до 1 В с шагом 0,1 В, измерять ток базы.

4.2.4 Провести аналогичные измерения, установив напряжение коллектора Uк = 5 В при помощи источника Е2.

Примечание: в зависимости от типа транзистора (p-n-p или n-p-n) полярности напряжений и направления токов будут меняться.

4.2.5 Результаты измерений занести в таблицы.

4.2.6 По таблице построить графики двух входных характеристик Iб = f(Uбэ) при Uкэ = 0 и 5 В.

Исследование выходной характеристики в схеме с ОЭ

Лабораторная работа N 4. Полупроводниковые приборы - student2.ru 4.2.7. Собрать схему (рисунок 2.11). Схема измерения в программе EWB показана на рисунке 2.12

Лабораторная работа N 4. Полупроводниковые приборы - student2.ru

Рисунок 2.12 – Схема исследования выходной характеристики

в программе Electronics WorkBench

4.2.8 Задать ток источника в цепи базы равным 0.

4.2.9 Изменяя напряжение на коллекторе при помощи источника напряжения Е от 0 до 10 В с шагом 1 В, измерять ток коллектора.

4.2.10 Провести аналогичные измерения тока коллектора, задавая ток базы равным 0,2 мА, 0,4 мА, 0,6 мА…1 мА.

4.2.11 Построить семейство графиков Iк = f (Uкэ) при разных токах базы Iб.

4.2.12 Определить по выходной характеристике параметр h21Э. Рассчитать также параметр h21Б.

Содержание отчёта

- Схемы измерений;

- Таблицы измерений;

- Графики характеристик;

- Рассчитанные значения h21Э и h21Б.

Контрольные вопросы

Типы диодов, их условные обозначения, основные параметры диодов, ВАХ диодов, пробой p-n-перехода.

Биполярные и полевые транзисторы, режимы работы, схемы включения транзисторов, параметры и характеристики.

Лабораторная работа N 5

Наши рекомендации