Исследование температурной зависимости передаточной характеристики германиевого транзистора

4.11.1 Установить германиевый транзистор.

4.11.2 Приблизительное значение напряжения U_кэ указывается преподавателем в интервале от 2 до 10 В.

4.11.3 Выбрать схему измерения №7.

4.11.4 Зафиксировать полученную характеристику на характериографе.

4.11.5 Записать полученную характеристику в рабочую тетрадь.

4.11.6 Включить нагреватель.

4.11.7 Через 20…25 ^оС повторять п.4.11.4…4.11.5.

4.11.8 Построить на одном графике полученные характеристики в координатах I_к = f(I_б).

4.11.9 Определить начальный температурный ток коллектора при максимальной температуре.

4.11.10 Определить максимальную рабочую температуру по соотношению максимально допустимого постоянного тока коллектора Iкmax и начального теплового тока коллектора Iк0. За максимальную рабочую температуру принять температуру корпуса транзистора при которой Iк0 достигает 10 % от значения Iк max. Для транзистора МП37 принять Iк max = 50 мА.

4.11.11 Сделать соответствующие выводы.

Сформировать и отпечатать отчет

Отчет должен содержать:

· схему измерения;

· расчетные формулы;

· графики экспериментальных и расчетных данных;

В отчете необходимо дать выводы по полученным результатам и сопоставить их со справочными данными.

КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ

1. Особенности формирования биполярных приборов в интегральном исполнении. Методы изоляции структур.

2. Схемы диодного включения транзисторной структуры, их характеристики.

3. Явление пробоя p-n-перехода. Лавинный, туннельный и тепловой механизмы пробоя.

4. Энергетические диаграммы p-n-перехода, высота потенциального барьера.

5. Рабочая точка. Прохождение малого переменного сигнала через диод.

6. Принцип работы биполярного транзистора.

7. Режимы работы транзистора.

8. Принцип усиления сигнала биполярным транзистором.

9. Характеристики транзисторов в схеме с ОЭ: входные, выходные, передаточные и обратной связи.

10. Температурные зависимости характеристик и параметров транзисторной структуры.

11. Основные электрические параметры биполярных транзисторов.

12. Отличие характеристик кремниевых и германиевых транзисторов.

13. Основные операции технологического процесса изготовления транзисторных структур в интегральном исполнении.

14. Отличие реальных полупроводниковых структур от идеальных.

ЛИТЕРАТУРА

1. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы: Учеб. для вузов. – 6-е изд., стер. // СПб: Лань, 2002.

2. Медведев С.П. Физика полупроводниковых и микроэлектронных приборов: Учеб. пособие. – Пенза: Изд-во Пенз. гос. ун-та, 2004.

3. Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем: Учеб. для вузов. – 4-е изд., перераб. и доп. // М.: Энергия, 1977.

ПРИЛОЖЕНИЕ А

КНОПКИ ПАНЕЛИ УПРАВЛЕНИЯ
И ИХ СООТВЕТСТВИЕ КОМАНДАМ МЕНЮ

Меню	Подменю	Кнопки	Значения
Рабочая тетрадь	Новая		Создать новую запись о «Рабочей тетради» в базе данных.
Открыть		Открыть существующую в базе данных «Рабочую тетрадь».
Удалить		Удалить запись о «Рабочей тетради» в базе данных. Эта команда доступна только тогда, пока не открыта ни одна «Рабочая тетрадь», т.е. только сразу же после запуска приложения.
Открыть отчет		Открыть существующий или создать новый отчет. Команда доступна только при открытой «Рабочей тетради».
Закрыть отчет		Команда доступна только при открытом отчете.
Выход		Выход из приложения.
Режим измерений	Диодное включение		Выбирает группу схем №1–4, предназначенных для измерения вольт-амперных характеристик p-n переходов.
Схема с ОЭ		Выбирает группу схем №5–8, предназначенных для измерения характеристик транзистора в схеме с общим эмиттером.
Инструменты	Параметры копирования	нет	Вызывает диалог представления графиков при копировании (в виде растра или в виде метафайла). Выбор представления зависит от возможностей Вашего принтера и определяется экспериментально.
Упорядочить		Возвращает окна всех инструментов в их положение по умолчанию.
Справка	Содержание		Запускает этот файл справки.
О программе		Выводит справочное окно «О программе».