Помехоустойчивость цифровых модулей и систем на их основе. Общие сведения
Содержание
Стр.
1 Введение........................................................... 4
2 Помехоустойчивость цифровых модулей и систем на их основе. Общие сведения 5
3 Излучения от жгутов и кабелей...................................... 8
4 Помехи в сигнальных линиях связи.................................. 10
4.1 Перекрестные помехи............................................. 10
4.2 Электромагнитные наводки........................................ 10
4.3 Паразитные колебания в несогласованных линиях................... 11
5 Восприимчивость логических схем и элементов к радиоизлучениям..... 12
6 Защита логических схем и элементов от перегрузок.................. 13
7 Типы шин заземления в печатных платах............................. 14
8 Особенности конструирования многослойных печатных плат............ 15
8.1 Общие требования................................................ 15
8.2 Трассировка дифференциальных пар................................ 16
8.3 Заземление в многослойных печатных платах....................... 18
8.4 Паразитные параметры МПП........................................ 19
8.5 Диэлектрические потери......................................... 19б
8.6 Электрические соединители....................................... 20
8.7 Шероховатость поверхности материалов МПП....................... 20а
9 Электростатический разряд......................................... 21
10 Защита от вторичных разрядов..................................... 22
11 Снижение импульсных токов помех от работы логических элементов... 23
12 Снижение напряжения помех от индуктивных нагрузок................ 24
13 Критерии выбора компонентов для развязки по электропитанию....... 25
14 Снижение уровня помех от работы импульсных источников электропитания 27
15 Требования к электропитанию быстродействующих схем............... 29
16 Помехоустойчивость аналоговых схем............................... 30
17 Кабели, электрические соединители и их экранирование............. 32
18 Элементы индикации, смотровые окна и вентиляционные отверстия.... 34
19 Полное экранирование............................................. 35
19.1 Критерии выбора материала для полного экранирования............ 35
19.2 Неоднородность электромагнитного экрана........................ 36
19.3 Эффективность экранирования.................................... 38
20 Принцип соответствия............................................. 39
21 Объемный резонанс................................................ 40
22 Радиолокационные станции как источники ЭМП....................... 41
23 Электромагнитный импульс как источник ЭМП........................ 42
24 Линии электропередач как источник ЭМП............................ 43
25 Асимметрия фронтов импульсов переключения........................ 44
26 Неиспользуемые входные цепи логических интегральных схем........ 45
27 Интермодуляционные составляющие ЭМП.............................. 46
28 Неиспользуемое пространство памяти программ...................... 47
29 Излучения и помехи в волоконно-оптических линиях................ 47а
30 Нормативные ссылки............................................... 48
31 Перечень принятых сокращений..................................... 49
32 Перечень принятых терминов и определений......................... 50
33 Список используемой технической литературы...................... 50а
Приложение А Рспределение возвратных токов в МПП ................... 51
Приложение Б Влияние разрыва в полигоне на распределение возвратных
токов в МПП......................................................... 52
Приложение В Трассировка цепей электропитания больших Ис на МПП..... 53
Приложение Г Паразитная связь через изолированные металлические крышки ИС 54
Приложение Д Размещение полигонов аналоговых и цифровых сигналов.... 55
Приложение Е Петля, образованная прямым и возвратным током.......... 56
Приложение Ж Компоновка эсементов схемы зависимости от быстродействия ЭРИ 57
Приложение И Изменение собственной индуктивности и емкости электрических проводов.................................................................... 58
Приложение К Децибелы............................................... 59
Приложение Л Примеры, иллюстрирующие работу экрана.................. 60
Приложение М Заземление электрических проводов...................... 62
Приложение Н Электромонтаж конденсаторов ........................... 63
Приложение П Требования стандартов по воспиимчивости авионики ЛА к ЭМП 64
Приложение Р Варианты согласования электрических линий связи........ 65
Приложение С Взаимодействие возвратных токов дифференциальной пары проводников 66
Приложение Т Разделение шин заземления цифровых и аналоговых схем... 67
Приложение У Шероховатость поверхности МПП.......................... 68
Введение
Настоящее руководство предназначено для разработчиков электронной и оптико-электронной аппаратуры самолетов и вертолетов. Руководство дает общие и некоторые частные представления о проблемах помехоустойчивости, ЭМС и помехоэмиссии составных частей и готовых изделий, позволяет определить критерии, влияющие на электромагнитную обстановку изделия, его помехоустойчивость и выбрать правильные пути, направленные на снижение помехоэмиссии, обеспечения хорошей ЭМС на этапе проектирования новых изделий, их составных частей, и модернизации старых образцов.
Руководство снабжено графическими приложениями для наглядной иллюстрации и понимания правильных и ошибочных путей решения поставленной задачи.
Конкретные рекомендации по разработке конструкций бортового РЭО с учетом присущей ему специфики в части ЭМС должны быть изложены в ТЗ на конструирование.
Перекрестные помехи
Как уже отмечалось, помехоустойчивость модуля или системы снижают перекрестные помехи в близлежащих шинах, передающих импульсные сигналы, из-за наличия паразитной индуктивной и емкостной связи. Если считать фронт помехи линейным, изменяющимся по закону:
a=(U1 - U0)/tф = U/tф, то напряжение помехи на входе соседней ИС будет определяться соотношением:
Uвх2(t)= a[1-exp(-t/RC)]*RC, иными словами напряжение помехи пропорционально крутизне фронта.
Методы борьбы с перекрестными помехами:
- запрещение параллельной трассировки сигнальных линий;
- увеличение длительности фронтов передаваемых сигналов;
- размещение между параллельными сигнальными шинами линий связи заземленных проводников;
- применение коаксиальных электрических кабелей, витых пар электрических проводов и других мер, направленных на взаимную компенсацию магнитных потоков, уменьшение площади контура и снижение значений паразитных параметров линий связи.
Электромагнитные наводки
Электромагнитные наводки являются следствием воздействия внешних электромагнитных полей.
Методы борьбы с этим видом помех преимущественно конструктивные – экранирование аппаратуры и линий связи.
Паразитные параметры МПП
При перекрытии полигонов и(или) шин МПП, находящихся на разных слоях, возникает емкостная связь, возрастающая с ростом частоты передаваемого сигнала. Полигоны или проводники, расположенные в смежных слоях в этом случае образуют пленочный конденсатор, емкость которого можно определить по следующей формуле:
С = 0,0085´ER´A/d (пФ),
где С – межслойная емкость;
ER – диэлектрическая постоянная;
A – площадь перекрытия, мм²;
d – расстояние между слоями, мм.
Типовое значение ER для МПП на основе широко распространенного материала FR-4 составляет 4,5.
При близком параллельном расположении проводников в слое МПП, между ними образуется емкостная и индуктивная связь. Этот фактор
приобретает особое значение для входов ОУ, большая емкостная связь между которыми может привести к самовозбуждению схемы.
Переходные отверстия, формируемые для осуществления межслойного электрического соединения, вносят паразитную индуктивность, значение которой можно приближенно рассчитать по приведенной ниже формуле:
L ≈ h/5´(1+ln(4h/d)) (нГн),
где L – индуктивность переходного отверстия;
d – диаметр отверстия после металлизации (мм);
h – длина канала переходного отверстия (мм).
Индуктивность отверстия с емкостью электрической схемы образует резонансный контур, резонансная частота которого, как правило, лежит в диапазоне СВЧ из-за очень малого значения индуктивности отверстия. Однако, при большом числе переходов на пути распространения сигнала, резонансная частота паразитного контура снижается и этот фактор должен быть учтен дизайнером МПП. Другим негативным фактором при большом количестве переходных отверстий в полигоне слоя GND является образование петлевых участков – неконтролируемых контуров.
При повороте проводника в слое МПП на угол 90º, сигнал, передаваемый по нему, частично отражается. Этот эффект происходит, главным образом, из-за изменения ширины проводника МПП в месте его поворота на пути прохождения тока. Линия передачи изменяет свои характеристики поскольку в вершине прямого угла ширина трассы увеличивается в 1,414 раза, что приводит к рассогласованию, особенно распределенной емкости и собственной индуктивности трассы. Возможность большинства современных CAD-пакетов сглаживать углы проведенных трасс или проводить трассы в виде дуги является необходимостью для достижения качественного дизайна МПП и хороших электрических характеристик последних.
Диэлектрические потери
В любой конструкции линии передачи электрических сигналов применяется диэлектрик с теми или иными техническими характеристиками. На высоких частотах и при передаче высокоскоростных сигналов диэлектрические потери приводят к ослаблению передаваемых сигналов и оказывают существенное влияние на целостность информационного потока.
Этот фактор определяет широкую номенклатуру зарубежных материалов для изготовления МПП, кабелей, СВЧ-устройств.
Диэлектрические потери характеризуются слабой зависимостью волнового сопротивления электрической линии связи от частоты, в то время, как коэффициент затухания передаваемого информационного потока в дБ прямо пропорционален частоте.
На вполне определенной для данного диэлектрика частоте ωθ потери в диэлектрике становятся равными потярям, обусловленным поверхностным эффектом, а на частотах выше ωθ – значительно превосходят их.
Частота ωθ называется пороговой частотой области диэлектрических потерь. Для большинства наиболее широко распространенных диэлектриков частотаωθ составляет около 800 МГц.
При топологическом конструировании МПП для высокоскоростного обмена и передачи информационных потоков необходимо применять материалы МПП и связующие межслойные диэлектрики (препрег) с низким показателем тангенса угла диэлектрических потерь - tg(θ). Чем меньше значение tg(θ), тем меньне уровень диэлектрических потерь в электрической линии связи и тем шире полоса пропускания этой линии.
Кроме того, снижение диэлектрической проницаемости материала εr даже, если tg(θ) остается неизменным тоже имеет положительные стороны – возрастает скорость распространения сигнала, что приводит тоже к снижению уровня диэлектрических потерь.
Конструктор МПП должен учитывать не только технологичность, стойкость к климатическим ВВФ, механическую прочность и доступность материала у поставщика, но и специфику МПП, соответствие выбранного
материала МПП требованиям разработчика к целостности передаваемых сигналов, постоянству импеданса для отдельно обозначенных разработчиком схем электрических линий связи, минимизацию диэлектрических потерь. Материалы типа СФ- или FR- обладают значительными диэлектрическими потерями и для конструирования МПП с высокоскоростными сигналами не пригодны.
Электрические соединители
Электрические соединители давно стали непременным атрибутом многофункциональных систем с хорошей ремонтопригодностью. Качество электрических связей через контакты электрического соединителя более актуально для аналоговых схем и высокоскоростной передачи информационных потоков, чем для обычной цифровой логики. Особую значимость качество таких электрических связей приобретает в схемах ЦАП и АЦП. Предположим, что электропитание схемы АЦП осуществляется через контакты электрического соединителя, при этом для подключения к общей шине обеспечивается контактное сопротивление 0,02 Ом. Сопротивление остальных участков этих цепей для наглядности примера примем равными нулю. Предположим, что ток, потребляемый схемой АЦП, составляет 0,8 А. Если аналоговая часть схемы содержит двенадцатиразрадный АЦП с диапазоном входного напряжения 10 В, то младший значащий разряд АЦП будет иметь значение 2,44 мВ, а падение напряжения на сопротивлении контактов электрического соединителя составит 16 мВ. В случае, если только 30% от падения напряжения на сопротивлении контактов электрического соединителя (5,33 мВ) будут воздействовать на аналоговый сигнал, это приведет к маскированию двух младших разрядов АЦП напряжением ЭМП, что повлечет потерю точности обработки аналогового сигнала и ухудшит качественные характеристики схемы, модуля и конечного устройства, в состав которого входит АЦП. Решение дизайнера МПП – отвести возможно большее количество контактов электрического соединителя в МПП, содержащих ЦАП и(или) АЦП, для подключения к общему проводу и уменьшения контактного сопротивления цепи.
При топологическом проектировании МПП для высокоскоростного обмена и передачи информации конструктор должен предусмотреть не только достаточные зазоры вокруг сквозных отверстий контактов электрического соединителя в МПП, но и множество металлизированных дорожек вокруг них, соединенных со слоем GND. В идеале – каждый слой МПП должен содержать эти заземленные дорожки. Отсутствие таких конструктивных мер приводит к довольно большим значениям
перекрестных помех между выводами электрического соединителя, которые могут достигать значения более 2 В.
Электростатический разряд
Интенсивное развитие микроэлектроники в последние два десятиле-тия в направлении увеличения плотности размещения в ИС полупроводни-ковых элементов, снижения логических уровней информационных сигна-лов, уменьшения значений входных токов, напряжений электропитания, сужения зон металлизации на кристаллах и уменьшения оксидных слоев ИС привело к повышению порога чувствительности ИС нового поколения к ЭСР.
До 50% всех отказов ИС в процессе эксплуатации обусловлено в первую очередь следствием воздействия на аппаратуру, узлы или компо-ненты ЭСР.
ЭСР являются источником кондуктивных и излучаемых ЭМП. Излучае-мые ЭМП представляют собой импульсные магнитные, электромагнитные и электрические поля. Кондуктивные ЭМП в свою очередь подразделяют на прямые и косвенные (вторичные). Прямые кондуктивные ЭМП представляют собой импульсный перенос потенциала электростатического электричест-ва на проводящие участки электронных узлов или компонентов РЭО.
Из-за многообразия потенциальных точек проникновения ЭСР, пути токов ЭСР к общей шине заземления будут разнообразны. Ток ЭСР протекает по пути, обладающему низкой индуктивностью. Из-за малой длительности фронтов ЭСР, которые измеряются долями наносекунды, распределенные емкости представляют очень малое полное сопротивление в то время, как очень короткий проводник с индуктивностью в единицы наногенри будет обладать для ЭСР высоким полным сопротивлением. Ввиду этого наличие или отсутствие шин заземления, которые имеют высокое значение индуктивности, не вносит существенного влияния на реакцию системы или логической схемы на ЭСР.
При отсутствии каких – либо мер защиты печатных плат, рекомендуется формирование в слоях МПП отдельных “охранных” шин по всему периметру МПП. Эти шины, расположенные во всех слоях должны быть электрически объединены, не иметь каких – либо связей с другими цепями и отдельно соединяться с общей шиной заземления (корпусом) только в одной точке.
Требования к электропитанию быстродействующих схем
Для достижения положительных результатов в обеспечении ЭМС с использованием высокоскоростных схем и быстродействующей логики необходимо соблюдение ряда специфических требований.
К числу таких требований относятся:
- применение малошумящих источников электропитания с низкими пульсациями. Линейные источники стабилизированного напряжения с термокомпенсацией предпочтительны для питания высокоскоростных схем. Импульсные стабилизированные источники в большинстве своем отвечают этим критериям, включая требования к пульсациям. Пульсации импульсных источников обычно описываются единицами среднеквадратического отклонения, а выбросы, создаваемые их работой, как правило, дают трудно фильтруемые, неконтролируемые броски напряжения амплитудой несколько сотен милливольт. Высокочастотные компоненты этих выбросов чрезвычайно трудно отфильтровать и не допустить в общий провод питания.
В тех случаях, когда для электропитания высокоскоростных схем и схем с быстродействующей логикой невозможно отказаться от импульсных источников электропитания, они должны быть тщательно экранированы и удалены насколько это возможно от остальных частей схемы, а их вторичные выходные напряжения подлежат в обязательном порядке хорошей фильтрации.
Полное экранирование
Полное экранирование и фильтрация цепей – меры взаимодополняющие. Полное экранирование обеспечивает защиту от непосредственного воздействия электромагнитного поля на внутренние трассы и электрические линии связи, а также снижение напряженности поля ЭМП, создаваемого работой узла, сборочной единицы и изделия в целом до необходимого уровня.
Несмотря на то, что теоретически можно ослабить влияние ЭМП более чем на 200 дБ в диапазоне частот от десятков герц до оптического диапазона, практически эти значения будут гораздо меньше расчетных. Любой экран имеет отверстия, щели, неоднородность проводимости на стыке сопрягаемых деталей.
Эффективность экранирования
Эффективность экранирования электрических полей почти полностью определяется наличием короткого замыкания между собственно экраном и корпусом аппаратуры. Качество металлизации экрана с корпусом изделия при этом играет практически определяющую роль. Для получения высокоэффективного экрана и хорошего экранирования внешних и внутренних электромагнитных излучений металлизация составных частей экрана должна осуществляляться конструктивными элементами из материала с высокой электропроводностью и низким значением собственной индуктивности. Это положение справедливо для всех корпусов пультов, индикаторов, блоков и другой аппаратуры. Корпус аппаратуры выполняет не только функции несущей конструкции, но и функции экрана электромагнитных полей, защищая внутренние элементы, МПП и электромонтажные соединения от вредного воздействия внешних электромагнитных полей и обеспечивая экранирование собственных радиоизлучений в окружающее пространство.
В общем виде под эффективностью экранирования понимают отношение токов, напряжений, напряженностей электромагнитных полей в экранируемом пространстве или на конце фильтруемого электрического проводника при отсутствии и наличии экрана:
Э = I/I´ = U/U´ = E/E´ = H/H´
В радиотехнике эффективность экранирования дают в децибелах:
A = 20 lg Э [дБ]
Полное экранирование является в первую очередь конструктивным решением и здесь в полном объеме не рассматривается.
Принцип соответствия
Ввиду того, что пути и механизмы паразитных связей применительно к помехоустойчивости и помехоэмиссии одинаковы, представляя собой в основном резонансные явления, усиливающие эти связи на определенных частотах, можно утверждать, что:
- частоты, на которых помехоэмиссия превышала нормируемый уровень, будут те же, на которых имеют или могут иметь место проблемы с помехоустойчивостью;
- соответственно, изменив параметры механизма паразитных связей, снизив помехоэмиссию в определенном диапазоне частот, будет увеличена помехоустойчивость в том же диапазоне частот.
Однако из-за различий в фактических характеристиках функционирования источника и рецептора ЭМП, а также того, насколько они линейны и какова связь между ними, придавать стопроцентную достоверность этому принципу не стоит.
Объемный резонанс
В любом корпусе изделия и отдельно экранированного узла возникают резонансы. Резонансная частота определяется геометрическими размерами этого объема. Стоячие волны формируются между противоположными сторонами этих экранированных объемов. Напряженность электрического поля максимальна в середине такого объема, а магнитного поля – на сторонах.
Эти явления напрямую отражаются на максимумах помехоэмиссии в определенных частях экранированного объема, поскольку ухудшают эффективность экранирования на резонансных частотах. Кроме того по стенкам корпуса на резонансных частотах протекает максимальный ток ЭМП.
Применение электромагнитных поглотителей и специальных красок с ферритовым наполнителем снижает уровень объемного резонанса. Заполнение объема модулями, жгутами и другими компонентами сдвигает резонансную частоту этого экранированного объема и снижает амплитуду резонансов, но не исключает явление объемного резонанса полностью.
Нормативные ссылки
В настоящем Руководстве использованы ссылки на следующие нормативные документы:
ГОСТ 14777-76 Радиопомехи индустриальные. Термины и определения
ГОСТ 30372-95/ГОСТ Р 50397-92 Совместимость технических средств электромагнитная. Термины и определения
ГОСТ В 25232-82 Совместимость радиоэлектронных средств электромагнитная
ГОСТ Р 51317.4.2-99 Совместимость технических средств электромагнитная. Устойчивость к электростатическим разрядам. Требования и методы испытаний
ОСТ В1 02696-90 Оборудование бортовое. Общие требования на допустимые уровни создаваемых электромагнитных помех и методы их измерений
ОСТ В1 02763-95 Оборудование бортовое авиационное. Общие требования восприимчивости к электромагнитным помехам и методы контроля
ЕНЛГС Единые нормы летной годности самолетов П.8.1.4.1. Технические требования к характеристикам элементов функциональных систем самолета, определяющим электромагнитную совместимость (подраздел 1)
KT-160D Квалификационные требования. Условия эксплуатации и окружающей среды для бортового авиационного оборудования. Квалификационный базис требований к аппаратуре гражданской авиации и методы испытаний.
ГОСТ 24375-80 Радиосвязь. Термины и определения
ГОСТ В 20.39.308-76 раздел 5
Приложение Б
(справочное)
 |
Влияние разрыва в полигоне на распределение возвратных токов в МПП
Правильно расположенный вырез в полигоне способен защитить чувствительные элементы схемы от воздействия низкочастотных возвратных токов. Однако при этом возратстает плотность тока особонно вблизи выреза со стороны точки А.
Приложение В
(справочное)
Трассировка цепей электропитания больших ИС на МПП
Примеры, иллюстрирующие неправильную и правильную концепцию подхода конструктора при топологическом проектировании МПП, в части трассировки цепей электропитания больших ИС.
Приложение Г
(справочное)
Паразитная связь через изолированные металлические крышки микросхем
 |
Очень многие разработчики радиоэлектронной аппаратуры за рубежом отдают предпочтение микросхемам в керамическом или пластмассовом корпусе без металлических крышек из-за наличия паразитной емкостной связи, показанной на рисунке. Этот фактор особенно актуален для быстродействующих цифровых и аналоговых схем.
Приложение Д
(справочное)
Размещение полигонов аналоговых и цифровых сигналов
Конденсаторы на рисунке символизируют не физическое наличие компонентов, а паразитную емкостную связь полигонов.
Приложение Е
(справочное)
Петля, образованная прямым и возвратным током
 |
Сигнальные токи всегда возвращаются к своему источнику, т.е. путь тока представляет собой петлю
Токи высокой частоты протекают по наикратчайшему пути с минимальной индуктивностью. От площади петли, образованной прямым и возвратным током, зависит напряженность электромагнитного поля радиопомех, излучаемого в окружающее пространство.
Приложение Ж
(справочное)
Компоновка эсементов схемы зависимости от быстродействия ЭРИ
Пример правильного размещения компонентов в зависимости от быстродействия ЭРИ и функционального назначения частей схемы
 |
Наличие на рисунке трех электрических соединителей условно, служит для более наглядной иллюстрации правильного размещения компонентов по отношению к электрическому соединителю в зависимости от быстродействия ЭРИ.
Приложение И
(справочное)
Изменение собственной индуктивности и емкости электрических проводов
Зависимость собственной индуктивности и емкости электрических проводов от расстояния до металлических заземленных конструктивных элементов шасси, корпуса и т.п. изделия
| Диаметр прово-да, мм | Индуктивность на 100 мм длины, нГн, при различных расстояниях между проводом и металлическим корпусом, мм | Емкость на 100 мм длины, пФ, при различных расстояниях между проводом и металлическим корпусом, мм | ||||
| 0,1 | 1,5 | 0,9 | 0,7 | |||
| 0,5 | 2,7 | 1,4 | 0,8 | |||
| 1,0 | 4,0 | 1,6 | 0,9 | |||
| 2,0 | 8,0 | 1,8 | 1,0 |
Приведенные значения ориентировочны; каждая конкретная марка провода будет обладать своими физическими свойствами. При использовании данных таблицы необходимо помнить, что индуктивность провода связана нелинейной зависимостью с его длиной. Значения индуктивности приводятся без учета поправочного коэффициента частотной зависимости.
Таблица иллюстрирует общую тенденцию зависимости собственной индуктивности и емкости электрических проводов от расстояния до металлических заземленных конструктивных элементов.
Приложение К
(справочное)
Децибелы
Децибел (дБ) – безразмерная величина, которая представляет логарифм отношения двух значений. Если берется отношение двух специальных величин, то это определяется суффиксом, а именно: дБмкВ при отношении относительно 1 мкВ, дБм – относительно 1 мВт.
| Суффикс | Относится к | Суффикс | Относится к |
| дБВ | 1 вольт | дБА | 1 ампер |
| дБмВ | 1 милливольт | дБмкА | 1 микроампер |
| дБмкВ | 1 микровольт | дБмкА/м | 1 микроампер на метр |
| дБВ/м | 1 вольт на метр | дБВт | 1 ватт |
| дБмкВ/м | 1 микровольт на метр | дБм | 1 милливатт |
| дБмкВт | 1 микроватт |
Отношение напряжений или токов через постоянное сопротивление дается в виде:
дБ = 20·1og(V1/V2) или 20·1og(I1/I2)
Преобразование между напряжением в дБмкВ и мощностью в дБм на полном сопротивлении Z=50 Ом, задается в виде:
V(дБмкВ) = 90+10·1og(Z)+P(дБм)
| дБмкВ | мкВ | дБм | дБмкВ | мкВ | дБм |
| -20 | 0,1 | -127 | 31,623 | -77 | |
| -10 | 0,3162 | -117 | 100,0 | -67 | |
| 1,0 | -107 | 316,23 | -57 | ||
| 1,7783 | -102 | -47 | |||
| 2,2389 | -100 | 3162,3 | -37 | ||
| 3,162 | -97 | -27 | |||
| 5,623 | -92 | -17 | |||
| 10,0 | -87 | 100,0 мВ | -7 | ||
| 1,0 В | +13 |
Приложение Л
(справочное)
Примеры, иллюстрирующие работу экрана
|
 |
Между точками а и б существует емкостная паразитная связь Сп.
Приложение М
(справочное)
 |
Заземление электрических проводов
НЕПРАВИЛЬНО
Заземление экранирующего слоя (оплетки) электрических проводов при помощи электрического провода резко снижает эффективность экранирования. Элекрический провод, используемый для заземления оплетки электрических проводов или жгутов обадает значительной собственной индуктивностью.
 |
ПРАВИЛЬНО
Заземление экранирующего слоя (оплетки) электрических проводов должно осуществляться конструктивным элементом с низким значением собственной индуктивности и высокой электропроводностью. Этот элемент должен охватывать экранирующий слой (оплетку) электрических проводов на 360º и непосредственно металлизироваться с полсклстью заземления.
Приложение Н
(справочное)
 |
Электромонтаж конденсаторов
Неправильно выполненный электромонтаж может резко ухудшить рассчетную степень фильтрации электрической цепи. Необходимо стремиться к уменьшению длины электромонтажных соединений на участках a – b и d – e для снижения инуктивности этих участков электрической цепи.
Приложение П
(справочное)
Требования стандартов по восприимчивости авионики ЛА к ЭМП
| Год | Гражданские | Военные | |
| Великобритания | США | ||
| 3,7 мВ/м, 1 ГГц | 0,82 В/м, 1 ГГц | - | |
| - | - | 1 В/м, 10 ГГц | |
| - | - | 5 В/м, 10 ГГц 20 В/м, 40 ГГц | |
| 0,1 В/м, 1 ГГц | 5 В/м, 10 ГГц, 20 В/м, 18 ГГц модулированным сигналом до 200 В/м включительно | - | |
| 1 В/м, 1,215 ГГц | - | - | |
| - | - | 20 В/м, 40 ГГц до 200 В/м включительно | |
| 200 В/м, 18 ГГц | - | - | |
| 6,8 кВ/м, 18 ГГц | - | - | |
| 7,2 кВ/м, 18 ГГц | - | - |
Приложение Р
(справочное)
Варианты согласования электрических линий связи
 |
Различия между основными вариантами согласования электрических линий связи
Время (нс)
1- электрическая линия согласована на обеих концах;
2- электрическая линия согласована на стороне источника сигнала;
3- электрическая линия согласована на стороне нагрузки.
Приложение С
(справочное)
Взаимодействие возвратных токов дифференциальной пары проводников МПП
При расстоянии между проводниками дифференциальной пары МПП равном или меньшем, чем ширина этих проводников, возникает частичное перекрытие и взаимодействие возвратных токов, индуцированных в ближайшем полигоне.
Приложение Т
(справочное)
Разделение шин заземления цифровых и аналоговых схем
НЕПРАВИЛЬНО
 |
ПРАВИЛЬНО
Наличие в схеме резисторов и индуктивностей условно символизирует активное сопротивление и собственную индуктивность электрических линий связи.
Приложение У
(справочное)
Шероховатость поверхности МПП
 |
1 – слой металлизации (полигон) МПП;
2 – связующий диэлектрик; 3 – основание (материал) МПП.
При передаче высокоскоростных потоков информации на высоких частотах из-за усиления поверхностного эффекта максимум плотности тока передаваемого сигнала следует вдоль поверхности проводника и толщина такого слоя может измеряться единицами, десятыми или сотыми долями мкм в зависимости от частоты передаваемого сигнала. В этом случае наблюдается повышение сопротивления высокочастотному току, следующему вдоль рельефа, образованного шероховатостью основного материала и подложки, которое может достигать значений 50-100% относительно исходного сопротивления этого проводника постоянному току или сигналу НЧ. Это приводит к значительному ослаблению передаваемого сигнала на нагрузке и серьезному сужению полосы пропускания такой электрической линии связи.
|