Прямое смещение р-n перехода.
Если приложить внешнее напряжение так, чтобы созданное им электрическое поле было направленным противоположно направлению электрического поля между областями пространственного заряда, то динамическое равновесие нарушается, и дрейфовый ток преобладает над диффузионным током, быстро нарастая с повышением напряжения. Такое подключение напряжения к p-n-переходу называется прямым смещением.
Схема включения транзистора с общим эмиттером, параметры.
Каскад с общим эмиттеромобладает высоким усилением по напряжению и току. К недостаткам данной схемы включения можно отнести невысокое входное сопротивление каскада (порядка сотен ом), высокое (порядка десятков Килоом) выходное сопротивление. Отличительная особенность - изменение фазы входного сигнала на 180 градусов (то есть - инвертирование). Благодаря высокому коэффициенту усиления схема с ОЭ имеет преимущественное применение по сравнению с ОБ и ОК.
Разновидности тиристоров.
Тиристор на сегодняшний день является очень важным и незаменимым элементом. Он может использоваться в качестве выпрямителя или регулятора напряжения. По сути, он представляет собой полупроводниковый прибор, состоящий из четырёхслойной структуры, которая переключается из открытого состояния в закрытое, и наоборот. Главное их предназначение заключается в управлении электрическими сигналами.
Билет № 32
Обратное смещение р-n перехода.
Если же внешнее напряжение приложено так, чтобы созданное им поле было одного направления с полем между областями пространственного заряда, то это приведет лишь к увеличению областей пространственного заряда, и ток через p-n-переход не идёт. Такое подключение напряжения к p-n-переходу называется обратным смещением.
Статические характеристики транзистора с общим эмиттером.
Статическим режимом работы транзистора называется такой режим, при котором изменение входного тока или напряжения не вызывает изменение выходного напряжения.
Семейство входных характеристик схемы с ОЭ представляет собой зависимости IБ=f(UБЭ), причем параметром является напряжение UКЭ (рис. 5.14,а). Для р-n-р-транзистора отрицательное 
напряжение UБЭ (UБЭ < 0) означает прямое включение эмиттерного перехода так как UЭБ = – UБЭ > 0. Если при этом UКЭ = 0 (потенциалы коллектора и эмиттера одинаковы), то иколлекторный переход будет включен в прямомнаправлении: UКБ = UКЭ +UЭБ = UЭБ > 0. Поэтому входная характеристика при UКЭ = 0 будет соответствовать режиму насыщения (РН), а ток базы равным сумме базовых токов из-за одновременной инжекции дырок из эмиттера и коллектора. Этот ток, естественно, увеличивается с ростом прямого напряжения UЭБ. так как оно приводит к усилению инжекции в обоих переходах (UКБ = UЭБ) и соответствующему возрастанию потерь на рекомбинацию, определяющих базовый ток.
Источники света. Светодиод.
Источник света — любой объект, излучающий энергию в световом спектре. По своей природе подразделяются наискусственные и естественные. В физике идеализированы моделями точечных и непрерывных источников света. То́чечный исто́чник све́та — источник, излучающий свет по всем направлениям равномерно и размерами которого по сравнению с расстоянием, на котором оценивается его действие, можно пренебречь.
Светодио́д или светоизлучающий диод — полупроводниковый прибор с электронно-дырочным переходом, создающий оптическое излучение при пропускании через него электрического тока в прямом направлении. Излучаемый свет лежит в узком диапазоне спектра. Его спектральные характеристики зависят во многом от химического состава использованных в нём полупроводников. Иными словами, кристалл светодиода излучает конкретный цвет, в отличие от лампы, излучающей более широкий спектр и где конкретный цвет отсеивается внешним светофильтром.
Билет № 33