Модуляторы на полевых транзисторах
Линейный модулятор. Для управления коэффициентом усиления ОУ в модуляторе (рис. 7.1, о) в цепь ООС включен полевой транзистор. Отрицательная обратная связь выполнена на элементах R1 — R3 и Rт, где RT — сопротивление полевого транзистора Коэффициент усиления каскада определяется выражением K=[R2/R1(1+R3/Rт)+R3/Rт]. Линейный участок изменения коэффициента усиления от управляющего напряжения лежит в диапазоне от 0 до 2 В. Максимальный коэффициент усиления при нулевом управляющем напряжении равен приблизительно 100. Частота входного сигнала равна 50 кГц. На графике рис. 7.1,6 приведена зависимость коэффициента усиления ОУ от управляющего напряжения.
Рис. 7.1
Рис. 7.2
Управление коэффициентом усиления ОУ. Модулятор (рис. 7.2, а) использует управление коэффициентом усиления ОУ в схеме инвертирующего усилителя. Коэффициент усиления определяется отношением R3/RТ, где Rт — сопротивление полевого транзистора. Поскольку сопротивление полевого транзистора меняется по параболическому закону в зависимости от напряжения на затворе, то линейный участок изменения коэффициента усиления ОУ будет соответствовать изменению UBI2 в интервале от 2 до 3 В. Сигнал с несущей частотой подается на первый вход, а сигнал с модулирующей частотой — на второй. С помощью резистора R4 на затворе устанавливается запирающее напряжение 2,5 В. Амплитуда модулирующего сигнала должна быть меньше 0,5 В. На графике рис. 7.2, б приведена характеристика управления модулятором.
Модулятор ОУ. Управление коэффициентом усиления ОУ в модуляторе (рис. 7.3, а) осуществляется с помощью полевого транзистора, который подключен к неинвертирующему входу ОУ. Схема работает при входных сигналах меньше 1 В на частотах до 100 кГц. Для увеличения крутизны преобразования схемы желательно увеличение максимального коэффициента усиления ОУ. Для приведенных на схеме элементов коэффициент равен 2. На графике (рис. 7.3,6) приведена характеристика управления модулятором.
Рис. 7.3
Рис. 7.4
Модулятор с объединенными входами. Для управления амплитудой гармонического сигнала в модуляторе (рис. 7.4, а) ко входу ОУ подключен полевой транзистор. Этот транзистор совместно с резистором R3 образует управляемый делитель напряжения. Входной сигнал одновременно действует на два входа ОУ. При напряжении на затворе 3 В на обоих входах действуют сигналы, равные по амплитуде. Выходной сигнал равен нулю. При уменьшении напряжения на затворе транзистор открывается, его сопротивление уменьшается. Происходит разбаланс входных сигналов. Интегральная микросхема усиливает разность сигналов в 50 раз. На рис. 7.4, б приведена зависимость коэффициента усиления ОУ от управляющего напряжения.
Модулятор на полевом транзисторе. Модулятор (рис. 7.5, а) построен в виде Г-образного аттенюатора с полевым транзистором в вертикальном плече. Сопротивление транзистора изменяется управляющим сигналом. Учитывая передаточную характеристику применяемого транзистора, на его затвор необходимо подать постоянное напряжение смещения 3 В. Амплитуда переменной составляющей управляющего сигнала должна быть около 1 В. При этом получается 30%-пая модуляция. Входной сигнал может иметь амплитуду до 1 В. На графиках (рис. 7.5, б) представлены характеристики управления каскада, определенные для разных номиналов элементов схемы.
Рис. 7.5
Рис. 7.6
Балансный модулятор на полевых транзисторах. На вход модулятора (рис. 7.6, а) подается гармонический сигнал с частотой 10 кГц. Амплитуда сигнала может быть до 1 В. Модулятор построен по дифференциальной схеме на полевых транзисторах. Это позволяет обеспечить линейный участок передаточной характеристики от 0,5 до 1,25 В. Если в модуляторе применить полевые транзисторы с большим напряжением отсечки, то линейный участок увеличится. После дифференциального каскада сигнал усиливается ОУ в 10 раз. При нулевом управляющем сигнале схема балансируется с помощью резистора R1. На графике (рис. 7.6, б) представлена характеристика управления.