Усилители с непосредственными связями на транзисторах
Малошумящий низкоомный предварительный усилитель.
Усилитель (рис. 437) имеет входное сопротивление 5 Ом. Низкое входное сопротивление каскада получено в результате применения в определенных отношениях ПОС и ООС. Часть эмиттерного сигнала транзистора VT2, поступающая на базу транзистора VT1, создает ООС, а коллекторный сигнал транзистора VT3 — ПОС.
Низкое входное сопротивление усилителя позволяет значительно уменьшить шумы усилителя Спектральная платность собственных шумов при разомкнутом входе составляет 2-10-4 мкВ/Гц. Коэффициент усиления каскада равен примерно 40. Полоса пропускания определяется емкостью конденсатора С1.
Усилитель с непосредственной связью.Усилитель с непосредственной связью (рис. 4.38) имеет коэффициент усиления 100 — 8000. Нестабильность коэффициента усиления в диапазоне температур от — 15 до +50 °С не более 2 %. Уровень шумов при закороченном входе не более 5 мкВ. Эти характеристики усилителя обеспечиваются за счет глубокой ООС по постоянному току с помощью резистора R5. Малые напряжения между базами и коллекторами транзисторов обеспечивают низкий уровень шумов. Частотная характеристика уси-лителя в основном определяется входным конденсатором С1. Низ-шая граничная частота, на которой сигнал падает на 3 дБ, определяется по формуле f=0,2/СRВХ, где емкость — в микрофарадах, сопротивление — в килоомах, частота — в герцах. Входное сопротивление усилителя зависит от сопротивления резистора R5. Для различных сопротивлений R5 в табл. 4.1 приведены значения входного сопротивления и коэффициента усиления.
Рис. 4.37 Рис. 4.38
Таблица 4.1
R5, Ом | ||||||||
RВХ( кОм | ||||||||
К |
Выходной неискаженный сигнал составляет 30 — 50 % от напряжения источника питания. Для устранения возбуждения усилителя первые два каскада следует питать от стабилитрона или применять в цепи питания конденсатор емкостью более 100 мкФ. Регулировка усилителя осуществляется подбором сопротивления резистора R7. Напряжение в эмиттере транзистора VT4 должно равняться половине напряжения питания.
Рис. 4.39
Малошумящнй усилитель с непосредственной связью.Усилитель (рис. 4.39), предназначен для усиления сигнала с головки магнитофона. Сигнал составляет несколько милливольт. Коэффициент передачи усилителя равен приблизительно 70 дБ. Максимальное выходное напряжение равно 6 В. Для уменьшения собственных шумов транзисторы работают в режиме микротоков. Частотная характеристика усилителя может регулироваться в широких пределах резистором R7. При этом меняется верхняя граничная частота.
Широкополосный малошумящий усилитель. Усилитель (рис. 4.40) предназначен для работы с сигналами до 10 мВ и в полосе частот от 10 Гц до 30 кГц. Для уменьшения собственных шумов в двух первых каскадах применены высокочастотные транзисторы в режиме малых коллекторных токов. Ток транзистора VT1 равен 40 мкА, а ток транзистора VT2 — 100 мкА. Включение в третьем каскаде транзисторов разных типов проводимости упростило межкаскадное соединение и улучшило температурную стабильность. Включение в эмиттер транзистора VT3 стабилитрона позволило увеличить напряжение в коллекторе транзистора VT2 и тем самым увеличить коэффициент усиления усилителя. Напряжение пробоя стабилитрона определяет динамический диапазон выходного сигнала. Коэффициент усиления может составлять до 5-104. В полосе пропускания уровень собственных шумов, приведенный ко входу, лежит в пределах от 1,5 до 2,5 мкВ.
Усилитель с большим входным сопротивлением. В усилителе (рис. 4.41) применена гальваническая связь между каскадами. Транзисторы VT1 — VT3 работают при нулевом напряжении коллектор — база. Параметры усилителя стабилизированы ООС через резистор R1. Рабочая точка траизистора VT1 устанавливается резисторами R4 и R5. Усилитель рассчитан на работу в диапазоне частот от50 Гц до 10 кГц. Коэффициент усиления равен 700 при входном сопротивлении 50 кОм. Максимальная амплитуда входного сигнала равна 3 В. Напряжение шума на выходе менее 10 мкВ. Усилитель может работать при температуре от — 50 до +50 °С. При температуре — 50° С коэффициент усиления уменьшается в два раза.
Рис. 4.40 Рис. 441