Компоновочные схемы приемоусилительных ФЯ МЭА IV поколения

4.6.1. Основным отличием компоновки ФЯ IV поколения приемоусилительных устройств является то, что как усилительные узлы, так и частотно-избирательные, выполняются в виде бескорпусных МСБ, компонуемых на печатной плате или металлическом основании и герметизируемых в корпусе-экране типа “пенал ”. Конструкции в этих случаях более планарны и более компактны (рис. 4.27). Для ИФ на ПАВ связь между его конструктивными и электрическими параметрами определяется скоростью ( Компоновочные схемы приемоусилительных ФЯ МЭА IV поколения - student2.ru ) распространения поверхностных акустических колебаний, их длиной волны ( Компоновочные схемы приемоусилительных ФЯ МЭА IV поколения - student2.ru ), числом пар пленочных излучателей N, а также расстоянием между ними, равная Компоновочные схемы приемоусилительных ФЯ МЭА IV поколения - student2.ru .

Резонансная частота фильтра равна Компоновочные схемы приемоусилительных ФЯ МЭА IV поколения - student2.ru , а его добротность Q=N; отсюда видно, что верхний предел рабочей частоты определяется разрешающей способностью получения зазора между излучателями, которая зависит от технологии изготовления фильтра. Нижний предел Компоновочные схемы приемоусилительных ФЯ МЭА IV поколения - student2.ru частоты фильтра определяют геометрические ограничения при большой площади, занимаемой излучателем на подложке фильтра. Отсюда, рабочий диапазон для ИФ ПАВ находится от 10-1000 МГц при Q=10-1000

4.6.2. Компоновочная схема ФЯ на печатной плате показана на рис. 4.28.

Компоновочные схемы приемоусилительных ФЯ МЭА IV поколения - student2.ru

Рис. 4.28. Конструкция аналоговой ФЯ из МСБ и тонкопленочных индуктивных элементов: 1 – МПП; 2 - б/к МСБ; 3 - навесной ЭРЭ; 4 - тонкопленочный элемент;

5 - корпус-экран; 6 - выводные штыри ячейки

Бескорпусные усилительные схемы выполнены на ситалловых подложках с навесными компонентами (бескорпусными транзисторами или универсальными ЛИС, конденсаторами серии К10). На печатной плате вместе с ними компонуются пленочные катушки индуктивности на рабочие частоты десятки...сотни МГц и с добротностью до десятков единиц, а также навесные дискретные ЭРЭ , невыполняемые в гибридно-пленочном варианте (электролитические конденсаторы фильтров питания, мегоомные резисторы, выходные и согласующие трансформаторы). Печатная плата крепится к корпусу на втулках-“бобышках”. Высокочастотные разъемы, разъемы питания (“слезки ”), земляной штырь и штенгель-трубка запаяны в боковой стенке корпуса. Несмотря на планарную конструкцию, ФЯ имеет значительные потери как по площади компоновки на печатной плате (до 50...60%), так и по высоте конструкции Последнее вызвано необходимостью удаления верхней крышки корпуса (экрана) от пленочных катушек индуктивностей на 3...3,5 мм, чтобы значительно не снижать их добротность.

4.6.3. Компоновочная схема ФЯ на металлическом основании (рис. 4.29) выполнена на алюминиевой рамке в герметичном корпусе типа “пенал”.

Герметизация осуществлена “паяным швом”. Бескорпусные МСБ приклеены к планке с одной стороны, а сдругой стороны- приклеена печатная плата и расположены навесные дискретные ЭРЭ (конденсаторы, резисторы, тероидальные катушки индуктивности). По торцам пенала выведены высокочастотные и низкочастотные разъемы, трубка-штенгель и имеются “лапки ” крепления пеналов в пакет. Компоновка типа “пенал” может осуществляться также размещением МСБ и бескорпусных ЧИМ типа ИПФ и фильтров ПАВ непосредственно на анодированном алюминиевом основании с двух сторон по принципу “непрерывной микросхемы”. В этом случае анодированное основание выполняет роль коммутационного уровня II типа. Отсутствие печатной платы и двухсторонняя планарная компоновка значительно снижают потери объема и массы конструкции ФЯ.

Компоновочные схемы приемоусилительных ФЯ МЭА IV поколения - student2.ru

Рис. 4.29. Пенальная компоновка приемоусилительных ячеек

Наши рекомендации