Полевой транзистор с встроенным каналом.

Условное обозначение:

с n - каналом

Канал - тонкий слой полупроводникаn– типа, соединяющий исток и сток. В зависимости от полярности приложенного напряжения Полевой транзистор с встроенным каналом. - student2.ru , в канале может изменяться концентрация носителей заряда (здесь электроны). При отрицательном значении напряжения Полевой транзистор с встроенным каналом. - student2.ru , электроны выталкиваются из канала в области истока и стока, канал обедняется носителями заряда, и ток стока Полевой транзистор с встроенным каналом. - student2.ru снижается. При положительном напряжении на затворе электроны втягиваются из n – областей в канал и ток стока Полевой транзистор с встроенным каналом. - student2.ru увеличивается. Таким образом, напряжение может быть положительным и отрицательным.

Стокозатворные характеристики Выходные характеристики

Полевой транзистор с индуцированным каналом.

При отсутствии напряжения на затворе Полевой транзистор с встроенным каналом. - student2.ru канал отсутствует, так как n–области образуют с подложкой два p – n–перехода, включённые навстречу друг другу, а значит, при любой полярности напряжения Полевой транзистор с встроенным каналом. - student2.ru один из переходов заперт.

Если на затвор подать напряжение Полевой транзистор с встроенным каналом. - student2.ru , то созданное им электрическое поле вытягивает электроны из n – областей, образуя тонкий слой n – типа в приповерхностной области p – подложки. Этот слой объединяет исток и сток, являясь каналом n – типа. От подложки он изолирован обеднённым слоем. Таким образом, полевые транзисторы с индуцированным каналом управляются только положительным напряжением Полевой транзистор с встроенным каналом. - student2.ru . Значение порогового напряжения у них 0,1 – 0,2 В (у МОП транзисторов 2 – 4 В).

Стокозатворные характеристики Выходные характеристики

Тиристоры

Условное обозначение

ДинисторТринистор

Тиристор – полупроводниковый прибор с тремя и более p – n – переходами, ВАХ имеет участок отрицательного сопротивления. Тиристор - прибор с двумя устойчивыми режимами работы (включен, выключен).

Тиристор по принципу действия — прибор ключевого типа. Во включенном состоянии он подобен замкнутому ключу, а в выключенном — разомкнутому ключу.

При включении в цепь переменного тока тиристор открывается и начинает пропускать ток в нагрузку лишь тогда, когда значение напряжения достигает определённого уровня, либо при подаче отпирающего напряжения на специальный управляющий электрод.

Тиристоры подразделяются на двухэлектродные (диодные) и трёхэлектродные (триодные). Тиристоры имеют четырёхслойную структуру полупроводника с электропроводимостями разного типа. Крайние слои – анод и катод. У триодных тиристоров третий электрод служит управляющим

К аноду и катоду тиристора подключается источник внешнего напряжения Полевой транзистор с встроенным каналом. - student2.ru . Средние слои Полевой транзистор с встроенным каналом. - student2.ru и Полевой транзистор с встроенным каналом. - student2.ru – базовые области. База Полевой транзистор с встроенным каналом. - student2.ru имеет контакт, называемый управляющим электродом (УЭ). Управляющий электрод подключается к внешнему источнику управляющего напряжения Полевой транзистор с встроенным каналом. - student2.ru . Таким образом, четырёхслойная структура – сочетание двух транзисторов в одном приборе: Полевой транзистор с встроенным каналом. - student2.ru – один транзистор и Полевой транзистор с встроенным каналом. - student2.ru – второй транзистор.

Переход Полевой транзистор с встроенным каналом. - student2.ru – коллекторный для обоих транзисторов, а переходы Полевой транзистор с встроенным каналом. - student2.ru и Полевой транзистор с встроенным каналом. - student2.ru – эмиттерные переходы.

Если ток в цепи управляющего электрода равен нулю ( Полевой транзистор с встроенным каналом. - student2.ru = 0), а между анодом и катодом приложено напряжение указанной на ВАХ полярности, меньше напряжения Полевой транзистор с встроенным каналом. - student2.ru , то переходы Полевой транзистор с встроенным каналом. - student2.ru и Полевой транзистор с встроенным каналом. - student2.ru сместятся в прямом направлении, а переход Полевой транзистор с встроенным каналом. - student2.ru - в обратном. При этом большая часть приложенного напряжения будет восприниматься переходом Полевой транзистор с встроенным каналом. - student2.ru .

С повышением внешнего напряжения ток растёт, так как увеличивается смещение переходов Полевой транзистор с встроенным каналом. - student2.ru и Полевой транзистор с встроенным каналом. - student2.ru в прямом направлении. При этом снижение потенциального барьера перехода Полевой транзистор с встроенным каналом. - student2.ru приводит к инжекции электронов из эмиттера Полевой транзистор с встроенным каналом. - student2.ru в базу Полевой транзистор с встроенным каналом. - student2.ru , часть которых, избежав рекомбинации достигает перехода Полевой транзистор с встроенным каналом. - student2.ru и перебрасывается его полем в базу Полевой транзистор с встроенным каналом. - student2.ru . Рост концентрации носителей в базе Полевой транзистор с встроенным каналом. - student2.ru приводит к уменьшению потенциального барьера Полевой транзистор с встроенным каналом. - student2.ru , в результате увеличивается инжекция дырок из Полевой транзистор с встроенным каналом. - student2.ru в Полевой транзистор с встроенным каналом. - student2.ru . Дырки, продиффундировав через базу Полевой транзистор с встроенным каналом. - student2.ru достигают перехода Полевой транзистор с встроенным каналом. - student2.ru и перебрасываются его полем в Полевой транзистор с встроенным каналом. - student2.ru . При этом концентрация их возрастает, что ведёт к уменьшению потенциального барьера. Таким образом, в структуре развивается лавинообразный процесс увеличения тока (участок оа).

Когда внешнее напряжение станет Полевой транзистор с встроенным каналом. - student2.ru = Полевой транзистор с встроенным каналом. - student2.ru , происходит резкое увеличение концентрации электронов в базе Полевой транзистор с встроенным каналом. - student2.ru и дырок в базе Полевой транзистор с встроенным каналом. - student2.ru , что приводит к быстрому снижению напряжения Полевой транзистор с встроенным каналом. - student2.ru , следовательно, напряжение на тиристоре уменьшается, так как Полевой транзистор с встроенным каналом. - student2.ru . Поэтому на прямой ветви вольт – амперной характеристики появляется участок отрицательного сопротивления (аb), где рост тока обусловлен уменьшением напряжения. С развитием лавинообразного процесса, при котором происходит включение тиристора, ток в его внешней цепи растёт до значения, определяемого Полевой транзистор с встроенным каналом. - student2.ru и Полевой транзистор с встроенным каналом. - student2.ru (участок сd). При этом напряжение между анодом и катодом невелико, так как все переходы смещены в прямом направлении.

Для выключения тиристора необходимо уменьшить ток до значения, не превышающего некоторого удерживающего Полевой транзистор с встроенным каналом. - student2.ru (точка с). Кроме этого можно подать на тиристор напряжение обратной полярности. При этом переходы Полевой транзистор с встроенным каналом. - student2.ru и Полевой транзистор с встроенным каналом. - student2.ru смещаются в обратном направлении, а Полевой транзистор с встроенным каналом. - student2.ru – в прямом направлении. Вольт – амперная характеристика при этом получается такой же, как и для обычного диода при обратном включении (участок ое).

Наши рекомендации