Графики зависимости диэлектрической проницаемости

от температуры: 1 – для неполярных диэлектриков;

2– для ионных диэлектриков; 3– для полярных диэлектриков

Для модели плоского конденсатора, диэлектрик которого состоит из двух сплошных диэлектриков, имеющих различные e, запишем:

а) для параллельного соединения Графики зависимости диэлектрической проницаемости - student2.ru ;

б) для последовательного соединения Графики зависимости диэлектрической проницаемости - student2.ru , где e1, e2 – относительные диэлектрические проницаемости компонeнтов; y1, y2 – объемные концентрации компонентов (y1+y2=1) [7].

Во многих случаях (пластические массы, керамики и т.д.) диэлектрик представляет собой неупорядоченную статистическую смесь компонентов. Для расчета e* статистической смеси используется формула Лихтенекера, или логарифмический закон смещения: lge*=y1lge1+y2lge2. Для вспененных пластмасс (пенопласты):

Графики зависимости диэлектрической проницаемости - student2.ru (3.3)

где dn, dм – средние плотности вспененного материала и сплошного материала соответственно; eм – диэлектрическая проницаемость сплошного материала.

Реальные диэлектрики обладают конечным значением удельного сопротивления. Причиной этого является наличие подвижных ионов, как основного материала, так и примесей. Значение ионной электропроводности диэлектриков определяется таким же выражением, как и у полупроводников:

g=еmn, где n – концентрация свободных ионов; m – подвижность ионов. Ионная электропроводность происходит подобно диффузии по вакантным узлам. Поэтому, используя соотношение Эйнштейна D=jТm, можно выразить электропроводность диэлектриков

Графики зависимости диэлектрической проницаемости - student2.ru (3.4)

Электропроводность диэлектриков зависит в основном от быстро диффундирующих примесей, для которых Dn=10-5...10-7см2/с. К таким примесям относятся ионы меди, золота, серебра, калия, натрия, водорода. Ионы натрия и водорода при комнатной температуре легко проникают через тонкие пленки, а при высоких температурах – и через стенки кварцевой аппаратуры. Коэффициент диффузии экспоненциально увеличивается с повышением температуры. Поэтому температурная зависимость проводимости диэлектриков

Графики зависимости диэлектрической проницаемости - student2.ru (3.5)

где A – константа, Ө – энергия активации диффузии, такая же, как у собственных полупроводников.

Рассмотренная выше электропроводность является объемной. Однако благодаря неизбежному увлажнению, окислению и загрязнению поверхностных слоев твердых диэлектриков создается заметная поверхностная электропроводность.

В диэлектриках наблюдаются потери энергии приложенного электрического поля. Эти потери называются диэлектрическими. Они возникают как на постоянном, так и на переменном токе. Диэлектрик, находясь в электрическом поле, может потерять свойства изоляционного материала, если напряженность поля превышает некоторое критическое значение. Это явление называется пробоем. В диэлектриках возможны следующие виды пробоя: тепловой, электрический, электрохимический, ионизационный.

ПАРАМЕТРЫ ДИЭЛЕКТРИКОВ

Для полной характеристики свойств диэлектриков используются электрические, механические, тепловые, физические параметры.

Электрические параметры

1. Относительная диэлектрическая проницаемость (e). Значение e вакуума равно единице, а всякого диэлектрического материала – больше единицы. Если С0 – емкость вакуумного конденсатора произвольной формы и размеров, то емкость того же конденсатора с диэлектриком С=e∙С0.

Значения емкости C конденсаторов наиболее важных конфигураций приведены ниже. Для плоского конденсатора Графики зависимости диэлектрической проницаемости - student2.ru , где S – площадь обкладок; h – толщина диэлектрика. Для цилиндрического конденсатора

Графики зависимости диэлектрической проницаемости - student2.ru , (3.6)

где L – длина цилиндра; r1 – радиус внутреннего цилиндра; r2 – радиус внешнего цилиндра. При r2–r1»r1

Графики зависимости диэлектрической проницаемости - student2.ru , (3.7)

Для систем параллельных проводов вводят понятие удельной (погонной) емкости, т.е. емкости, отнесенной к единице длины Графики зависимости диэлектрической проницаемости - student2.ru , где С – емкость изоляции участка кабеля длиной L. Для одножильного кабеля удельная емкость (нФ/м) между жилой радиусом r1 и металлическим экраном с внутренним радиусом r2

Графики зависимости диэлектрической проницаемости - student2.ru (3.8)

При r2–r1<<r1: Графики зависимости диэлектрической проницаемости - student2.ru .

Для двух параллельных круглых проводов радиусом r при расстоянии h между осями проводов при условии 2r<<h [9]:

Графики зависимости диэлектрической проницаемости - student2.ru (3.9)

Для двух параллельных проводников прямоугольного сечения, расположенных на коммутационной плате (рис. 3.2), взаимная емкость (Ф/м) на единицу длины составляет:

при b/d>>1: Графики зависимости диэлектрической проницаемости - student2.ru ;

Графики зависимости диэлектрической проницаемости - student2.ru где Графики зависимости диэлектрической проницаемости - student2.ru ; e1 и e2 – диэлектрические проницаемости окружающей среды и платы соответственно. Внутри указанной области отношения b/d обе эти формулы обеспечивают точность, достаточную только для оценочных расчетов.

2. Удельное объемное сопротивление rV, измеряемое в ом-метрах (Ом×м). Сопротивление участка изоляции с поперечным сечением S и толщиной h

Графики зависимости диэлектрической проницаемости - student2.ru , (3.10)

Сопротивление участка изоляции коаксиального кабеля длиной L

Графики зависимости диэлектрической проницаемости - student2.ru , (3.11)

При r2–r1<<r1: Графики зависимости диэлектрической проницаемости - student2.ru .

Графики зависимости диэлектрической проницаемости - student2.ru 3. Удельное поверхностное сопротивление rS. Характеризует свойство электроизоляционного материала создавать в изготовленной из него изоляции поверхностное сопротивление. Поверхностное сопротивление между двумя электродами с параллельными обращенными друг к другу прямыми кромками (рис. 3.3) [8] равно

Графики зависимости диэлектрической проницаемости - student2.ru , (3.12)

Удельное поверхностное сопротивление равно сопротивлению квадрата (любого размера) на поверхности данного материала, если ток подводится к электродам, образующим две противоположные стороны этого квадрата. Единицей измерения rS является ом на квадрат (Ом/”) [8].

Графики зависимости диэлектрической проницаемости - student2.ru 4. Тангенс угла диэлектрических потерь tgd – количественная мера потерь в диэлектрике. Определение tgd следует из векторной диаграммы, показанной на рис. 3.4, где j – угол сдвига фаз между током и напряжением в реальном конденсаторе, j+d=p/2. Тангенс угла диэлектрических потерь определяется как отношение активной составляющей тока к реактивной составляющей: Графики зависимости диэлектрической проницаемости - student2.ru .

Добротность изоляционного материала есть величина, обратная тангенсу угла потерь

Графики зависимости диэлектрической проницаемости - student2.ru , (3.13)

Значение tgd для лучших диэлектриков, используемых в технике высоких частот и высоких напряжений, составляет тысячные, и даже десятитысячные доли единиц; для материалов более низкого качества, применяемых в менее ответственных случаях, tgd может быть много больше [5].

Практическое значение tgd как одного из важнейших диэлектрических параметров материала состоит в том, что он определяет потери мощности на переменном токе частотой f:

Графики зависимости диэлектрической проницаемости - student2.ru , (3.14)

где U – постоянное напряжение на участке изоляции; J – сквозной ток утечки через изоляцию.

5. Электрическая прочность (В/м, или кВ/м, или МВ/м) – способность диэлектрика сохранять высокое удельное сопротивление в полях большой напряженности:

Графики зависимости диэлектрической проницаемости - student2.ru (3.15)

где UПР – напряжение пробоя; d – толщина диэлектрика.

Графики зависимости диэлектрической проницаемости - student2.ru В большинстве случаев при возрастании d электрическая прочность уменьшается (рис. 3.5), так как UПР возрастает с увеличением толщины не линейно, а медленнее. Однако при переходе к особо тонким слоям (лаковые пленки, напыленные пленки диэлектрика) начинают сказываться неизбежные неоднородности материала и ЕПР снижается [5]. У неоднородных тонких материалов (бумага, лакоткань и т.д.) ЕПР уменьшается с увеличением площади электродов, что объясняется ростом вероятности попаданий под электроды слабых мест диэлектрика.

Для надежной работы любого электротехнического устройства рабочее напряжение изоляции UРАБ должно быть существенно меньше пробивного напряжения UПР. Отношение UПР/UРАБ называют коэффициентом запаса электрической прочности изоляции

Графики зависимости диэлектрической проницаемости - student2.ru (3.16)

Тепловые параметры

1.Нагревостойкость – это способность диэлектрических материалов без повреждения и существенного ухудшения практически важных свойств выдерживать воздействия повышенной температуры как кратковременно, так и длительно.

2.Холодостойкость – способность диэлектрических материалов работать при низких температурах, без недопустимого ухудшения эксплуатационных характеристик [7].

3.Теплопроводность – это способность отводить тепло, выделяющееся при работе радиокомпонента.

Уравнение установившегося процесса передачи теплоты через тело с полным термическим сопротивлением RT при разности температур на горячих и холодных поверхностях тела DT:

Графики зависимости диэлектрической проницаемости - student2.ru (3.17)

где P – мощность теплового потока, т.е. количество теплоты, проходящей через тело за единицу времени.

Для плоского слоя материала значение теплового сопротивления определяется по формуле

Графики зависимости диэлектрической проницаемости - student2.ru (3.18)

где rТ – удельное тепловое сопротивление; h – толщина слоя материала; S – площадь материала.

Величина Графики зависимости диэлектрической проницаемости - student2.ru обратная rТ, называется коэффициентом теплопроводности материала (Вт/(м×К)).

Расчет термического сопротивления производится по формулам, аналогичным формулам для расчета электрического сопротивления.

Величина y=lT/cd, где c – удельная теплоемкость, d – плотность материала, называется коэффициентом температуропроводности.

4.Температурный коэффициент линейного расширения ТКЛР Графики зависимости диэлектрической проницаемости - student2.ru :

Графики зависимости диэлектрической проницаемости - student2.ru (3.19)

Единицей измерения αl является кельвин в минус первой степени.

Физические параметры

1.Гигроскопичность – это способность материала впитывать в себя влагу из окружающей среды. Оценивается относительным изменением массы материала [7]

Графики зависимости диэлектрической проницаемости - student2.ru , (3.20)

где МВ – масса образца после увлажнения; МС – масса сухого образца.

2.Коэффициент влагопроницаемости П, измеряется с помощью основного уравнения влагопроницаемости

Графики зависимости диэлектрической проницаемости - student2.ru , (3.21)

где М – количество паров воды, проходящее при стационарном режиме за время t сквозь участок площадью S и толщиной h; p1 и p2 – парциальные давления водяного пара с двух сторон.

3.Коэффициент влагорастворимости,a – это коэффициент пропорциональности закона Генри

Графики зависимости диэлектрической проницаемости - student2.ru (3.22)

где С – равновесная влажность, отнесенная к единице объема материала; р – упругость водяного пара в воздухе, с которым соприкасается материал. Единицей измерения а является сантиметр в квадрате на метр в квадрате (см22).

Наши рекомендации