1. Главная
  2. Логика
  3. Укрупненные переходы трехуровневого устройства памяти

Укрупненные переходы трехуровневого устройства памяти

хі A21 A22 A23 A24 A25 A26 A27 A28 A29 A30 A31 A32 A33 A34 A35 A36 A37 A38
х1x5 A21 A22 A21 A22 A21 A22 A21 A22 A21 A22 A21 A22 A21 A22 A21 A22 A21 A22
х1x6 A23 A24 A23 A24 A23 A24 A23 A24 A23 A24 A23 A24 A23 A24 A23 A24 A23 A24
х1x7 A25 A26 A25 A26 A25 A26 A25 A26 A25 A26 A25 A26 A25 A26 A25 A26 A25 A26
х2x5 A27 A28 A27 A28 A27 A28 A27 A28 A27 A28 A27 A28 A27 A28 A27 A28 A27 A28
х2x6 A29 A30 A29 A30 A29 A30 A29 A30 A29 A30 A29 A30 A29 A30 A29 A30 A29 A30
х2x7 A31 A32 A31 A32 A31 A32 A31 A32 A31 A32 A31 A32 A31 A32 A31 A32 A31 A32
х3x5 A33 A34 A33 A34 A33 A34 A33 A34 A33 A34 A33 A34 A33 A34 A33 A34 A33 A34
х3x6 A35 A36 A35 A36 A35 A36 A35 A36 A35 A36 A35 A36 A35 A36 A35 A36 A35 A36
х3x7 A37 A38 A37 A38 A37 A38 A37 A38 A37 A38 A37 A38 A37 A38 A37 A38 A37 A38
х1 A21 A22 A23 A24 A25 A26 A21 A22 A23 A24 A25 A26 A21 A22 A23 A24 A25 A26
х2 A27 A28 A29 A30 A31 A32 A27 A28 A29 A30 A31 A32 A27 A28 A29 A30 A31 A32
х3 A33 A34 A35 A36 A37 A38 A33 A34 A35 A36 A37 A38 A33 A34 A35 A36 A37 A38

Трехуровневый автомат А, как и двухуровневый, способен функциони-ровать в вероятностном и нечетком режимах [10–12].

Автомат А работает в вероятностном режиме под воздействием одного из вероятностных слов pd(T), состоявших из пар входных сигналов х1, х2, х3, х5, х6, х7 автомата стратегии Укрупненные переходы трехуровневого устройства памяти - student2.ru , устанавливающих соответствующие состояния

Рис.12.9. Закон работы трехуровневого устройства памяти, как шести устойчивого элемента в блоке е3 состояний  
Укрупненные переходы трехуровневого устройства памяти - student2.ru

Аj (табл. 12.3 и 12.4), и входного сигнала х11 управляемой МФСП Укрупненные переходы трехуровневого устройства памяти - student2.ru , устанавливающего незапоминаемое состояние А11 (табл. 12.5), а также второго входного сигнала е(Δ).

Вероятностные переходы в блоке πj состояний представлены в табл.12.9. Вероятностный переход осуществляется в одно из двух состояний вполне определенных блоков πj (j= 4, 5, …, 12). Теоретическая вероятность перехода Pe в одно из состояний πj равна 0,5. На практике оно колеблется от 0 до 1 (1 ≥ Pe ≥ 0). При исследовании вероятностного перехода обычно он переходит в одно из состояний при Pe ≈ 0,3, а в другое состояние – при Pe ≈ 0,7.

Таким образом, вероятностные переходы обеспечивают интегрированный переход из определенного состояния аi в одно из состояний определенногоблока πj (j= 4, 5, …, 12).

В рассматриваемом трехуровневом автомате А матричные (нечеткие) переходы представлены в табл. 12.10. Нечеткие переходы обеспечивают переходы из произвольного состояния Aj в состояние Ан матричного блока ei(Δ), состоящего из вполне определенных блоков πi, определяемых двухуровневым автоматом стратегии Укрупненные переходы трехуровневого устройства памяти - student2.ru с определенной мерой вероятности Рн.

Таблица 12.9

Вероятностные переходы трехуровневого устройства памяти

Входные сигналы хі(t) Переході в одно из состояния автомата А Блоки состояния πj
x1x5x11 A21, A22 π4
x1x6x11 A23, A24 π5
x1x7x11 A25, A26 π6
x2x5x11 A27, A28 π7
x2x6x11 A29, A30 π8
x2x7x11 A31, A32 π9
x3x5x11 A33, A34 π10
x3x6x11 A35, A36 π11
x3x7x11 A37, A38 π12

Таблица 12.10

Наши рекомендации

Концепция трехуровневого позиционирования Росситера – Перси

Тема: Понятие монтажа клипов. Понятие уровней звука и звуковых эффектов. Переходы. Видео и аудио переходы. Настройки переходов, титры. Правила сохранения проекта фильма

Устройства внутренней памяти

Извлечение кода команды или данных из памяти или внешнего устройства

Оператор загрузки образа памяти из файла или устройства - BLOAD

Устройства памяти на унт

Носители и устройства внешней памяти

Устройства на основе flash-памяти.

Общее представление о памяти. Виды и процессы памяти. Закономерности памяти. Тренировка и развитие памяти

Электронно-дырочный переход. Свойства большинства элементов электронных схем основаны на том, что в их составе имеются электронно-дырочные переходы (p–n-переходы)