Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти

Рассмотрим схему трехуровневого элементарного искусственного нейрона на МУСП (рис. 12.6) и его работу.

Рис. 12.6.Трехуровневое устройство элементарного нейрона
Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru

Каждая МФСП Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru (j = 1, 2, 3) состоит из четырех (n = 4) логических элементов ИЛИ-НЕ, разбитых на mj (2 ≤ mj≤ 4) групп. Элементы Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru и Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru разбиты на три группы так, что в одной группе находится два логических элемента ИЛИ-НЕ, а в двух остальных группах по одному. Элементы МФСП Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru разбиты на две группы по два элемента ИЛИ-НЕ в каждой. Число Mj запоминаемых состояний в каждой МФСП Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru определяются по формуле (4.4) и (4.10):

М1 = М2 = (22 -1) + (21 -1) + (21 -1) = 5;

М3 = (22 -1) + (22 -1) = 6.

В тех группах, где число БА больше 1 (Ri > 1)i, выходы БА взаимосвязаны с входами БА других групп через логический элемент ИЛИ, что сокращает межгрупповые связи в МФСП Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru .

Выходы БА тех групп, где Ri = 1, и логических элементов ИЛИ тех групп, где Ri > 1, МФСП Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru и Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru поступают на тактируемые управляющим входом z0 логические элементы И комбинационных схем I1 и I2.

Числа re сохраняющих входных сигналов в МФСП Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru и Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru определяются по формуле (4.14):

re2 = (22 -1) × (21 -1) × (21 -1) =3;

re3 = (22 -1) × (22 -1) =6.

Зная число rej сохраняющих входных сигналов e(Δ), которые управляют МФСП Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru , можно определить необходимое число rуi логических элементов И комбинационных схем I1 и I2 по формуле (5.9).

rу1 = 3 – 1 = 2; rу2 = 9 – 1 = 8.

Число М3 запоминаемых состояний трехуровневой памяти определяется по формуле (5.3):

М3 = 3 × 3 × 2 = 18.

Выходы комбинационных схем I1 и I2 поступают на входы БА управляемых МФСП Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru тех групп, где число БА более одного (Ri > 1). Связи между выходами элементов И схемы I1 и входами БА МФСП Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru и между выходами элементов И схемы I2 и входами БА МФСП Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru определяются из значений ej(Δ) входных сигналов МФСП Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru и Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru . Сохраняющие ej(Δ) входные сигналы характеризуются тем, что хотя бы в двух группах БА на входных узлах значение должно быть равно одному логическому нулю. Сохраняющие ej(Δ) входные сигналы МФСП Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru и Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru представлены в табл. 12. 1 и 12.2.

Таблица 12.1

Сохраняющие ej(Δ) входные сигналы МФСП Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru

  Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru Значение сигналов Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru на входах элементов yi
y5 y6 y7 y8
Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru
Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru
Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru

Таблица 12.2

Сохраняющие ej(Δ) входные сигналы МФСП Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru

Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru Значение сигналов Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru на входах элементов yi
y9 y10 y11 y12
Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru
Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru
Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru
Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru
Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru
Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru
Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru
Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru
Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru

В соответствии с табл. 12.1 и 12.2 выходы элементов И схем Ij (j = 1, 2) и входами соответствующих МФСП Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru (j = 1, 2) определяются единичными значениями ej(Δ) входных сигналов МФСП Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru . Например, вход y17 элемента И схемы I1 соединяется в соответствии с табл. 12.1 со входом элемента y5, а выход y18 второго элемента И схемы I1 соединяется со входом элемента y6 МФСП Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru . Таким образом, в соответствии с табл. 12.2 (рис. 12.6) соединяются выходы элементов y9 – y12 МФСП Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru . Устанавливающие xi(t) входные сигналы имеют на входе только одной группы значении логического нуля, а на входах всех остальных групп МФСП значения логических единиц. Входные сигналы xi(t) МФСП Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru представим в табл. 12.3, 12.4 и 12.5.

Таблица 12.3

Устанавливающие xi(t) входные сигналы МФСП Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru

Входные сигналы xi Значение входных узлов zj Значение выходных узлов уj   Состояния Аj
z1 z2 z3 у1 у2 у3 у4
x1 А1
x2 А2
x3 А3
x4 А4

При значении управляющего входа z0 = 0 трехуровневая память работает как трехразрядный параллельный регистр. Сигналы x1, x2, x3 устанавливают соответственно запоминаемые состояния А1, А2 и А3 (табл. 12.3), которые сохраняются при одном входном сигнале, когда на всех входных узлах zj (j = 1, 2, 3) значения равны логическому нулю (x1= x2= x3 =0). Состояние А4, однозначно установленное входным сигналом x4, не сохраняется ни при каких входных сигналах. Поэтому в детерминированном режиме работы входной сигнал x4 является запрещенным.

Таблица 12.4

Устанавливающие xi(t) входные сигналы МФСП Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru

Входные сигналы xi Значение входных узлов zj Значение выходных узлов уj   Состояния Аj
z4 z5 z6 у5 у6 у7 у8
x5 А5
x6 А6
x7 А7
x8 А8

Сигналы x5, x6, x7 устанавливают соответственно запоминаемые состояния А5, А6, А7 (табл. 12.4), которые сохраняются при входном сигнале, когда z4 = z5 = z6 = 0. Состояние А8, установленное входным сигналом x8, не сохраняется при других входных сигналах. Поэтому в детерминированном режиме входной сигнал x8 является запрещенным.

Таблица 12.5

Устанавливающие xi(t) входные сигналы МФСП Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru

Входные сигналы xi Значение входных узлов zj Значение выходных узлов уj   Состояния Аj
z7 z8 у1 у2 у3 у4
x9 А9
x10 А10
x11 А11

Входные сигналы x9 и x10 устанавливают соответственно запоминаемые состояния А9 и А10 (табл. 12.5), сохраняемые при входном сигнале z7 = z8 = 0. Входной сигнал x11 является запрещенным, потому что установленное состояние А11 не сохраняется ни при каком входном сигнале МФСП Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru .

Таким образом, при z0 = 0 каждая МФСП Aj (j = 1, 2, 3) работает как элементарный автомат 2-го рода в параллельном трехр2азрядном регистре и их работа не зависит друг от друга. Общее число МN запоминаемых состояний данного регистра можно определить по формуле (6.2):

МN = 3 × 3 × 2 = 18.

При z0 = 1 трехуровневая память преобразуется в объединенный элементарный автомат А, в котором работа управляемых МФСП Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru в определенных блоках их состояний зависит от состояний автоматов стратегии Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru и их выходных функций, реализованных на комбинационных схемах выходов I1 и I2.

Представим в табл. 12.3 блоки состояний МФСП Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru , сохраняемые при вполне определенных состояниях МФСП Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru .

В табл. 12.4 блоки состояний МФСП Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru , сохраняемые при вполне определенных объединенных состояниях автомата стратегии Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru .

Объединенный трехуровневый элементарный автомат А способен функционировать как девять RS-триггеров (рис. 12.7). При функционировании по алгоритму RS-триггера МФСП Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru и Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru , реализующие автомат стратегии Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru , не изменяют свои состояния. В этом случае состояния триггера могут изменяться только под воздействием входных сигналов х9 и х10, поступающих на входные узлы z7 и z8 управляемой МФСП Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru .

Состояния всех девяти триггеров способны сохраняться при одном входном сигнале е(Δ), когда на всех входных узлах zj (j = 1, 2, …, 8) значения равны логическому нулю. При неизменном состоянии автомата стратегии Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru объединенный трехуровневый автомат способен функционировать в детерминированном режиме как шести устойчивый элемент памяти в следующих блоках πj (j = 1,2,3) состояний: π121 – А 26), π227 – А 32), π333 – А 38),

Переходы из одного состояния в другое в каждом из блоков π121 – А26), π227 – А32), π333 – А38). Могут происходить только под действием входных сигналов хi(t), поступающих на входные узлы zj(j= 4 - 8) управляемых МФСП Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru и Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru (рис. 12.8 – 12.10).

Таблица 12.6

Сохраняемые объединенные состояния автомата Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru

  Состояние МФСП Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru Выходные сигналы МФСП Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru Выходные сигналы МФСП Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru   Объединенные состояния автомата Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru
у1 у2 у3 у4 у5 у6 у7 у8
А1 А12
А13
А14
А2 А15
А16
А17
А3 А18
А19
А20

Таблица 12.7

Объединенные состояния трехуровневого автомата А

Объединен- ное состоя- ние автома- та Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru Выходные сигналы МФСП Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru Выходные сигналы МФСП Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru Выходные сигналы МФСП Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru Объединен- ное состоя- ние автома- та А
у1 у2 у3 у4 у5 у6 у7 у8 У9 У10 У11 У12
А12 А21
А22
А13 А23
А24
А14 А25
А26
А15 А27
А28
А16 А29
А30
А7 А31
А32
А18 А33
А34
А19 А35
А36
А20 А37
А38

Установка входным сигналом х1, х2 или х3 одно их трех состояний автомата Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru . Автомат А способен функционировать в определенных блоках πj (j = 1, 2, 3) состояний под воздействием сигналов х5, х6, х7, х9 и х10.

Под одновременном появлении соответствующих триад из входных сигналов х1, х2, х3, х5, х6, х7, х9 и х10 автомат способен функционировать как 18-значный элемент памяти во всем множестве своих состояний А21 – А38. Например, при появлении на входных узлах zj (j = 1, 2, …, 8) входных сигналов х1, х5 и х10 автомат переходит в состояние А21, а при появлении сигналов х3, х7 и х9 – в состояние А38 и т.д.

Таким образом, трехуровневое устройство памяти в этих детерминированных режимах функционирует как элементарный автомат 2-го рода и способен работать как девять RS-триггеров (рис. 12.7), как три шестеричных элемента (рис. 12.8-12.10) или как один 18-ричный элемент памяти, используя все свои 18 состояний.

Трехуровневое устройство памяти способно осуществлять укрупненные переходы в схемах управляемых МФСП Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru при изменениях состояний стратегии, под воздействием устанавливающих хМ (t) входных сигналов автоматов стратегии Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru .

При изменении состояний в двухуровневом автомате стратегии Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru трех-уровневое устройство способно функционирует в двух своих блоках µi (i = 1,

2) состояний: в блоке µ1, содержащем девять состояний А21, А23, А25, А25, А27, А29, А31, А33, А35, А37 и в блоке µ2, содержащем девять таких состояний А22, А24, А26, А28, А30, А32, А34, А36, А38.

При изменении состояний в автомате стратегии Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru трехуровневое устройство памяти способно функционировать в трех блоках µi (i = 1, 2, 3), соответственно содержащих по шесть состояний µ1{A21-A26}; µ2{A27-A32}; µ3{A33-A38}. Укрупненные переходы, зависимые от входных сигналов х(t) и е(Δ), представлены в табл. 12.8.

Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru

Рис. 12.6.Закон работы трехуровневого устройства памяти как девяти RS-триггеров

Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru

Рис.12.7. Закон работы трехуровневого устройства памяти, как шести устойчивого элемента в блоке е1 состояний

Таким образом, во время укрупненных переходов в детерминированном режиме трехуровневое устройство памяти функционирует как элементарный автомат 3-го рода [3].

Переходы во всех детерминированных режимах трехуровневого автомата А происходят под воздействием элементарных однозначных слов p0(T), состоящих из входных сигналов xi(t), которые однозначно устанавливают запоминаемые состояния в МФСП Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru , Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru и Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru , и одного входного сигнала е(Δ), то есть p0(T) = xi(t), е(Δ).

Методы проектирования одного разряда искусственного нейрона на многоуровневых схемах памяти - student2.ru

Рис.12.8. Закон работы трехуровневого устройства памяти, как шести устойчивого элемента в блоке е2 состояний  

Таблица 12.8

Наши рекомендации