Дифференциальные малосигнальные параметры транзистора

Дифференциальные малосигнальные параметры транзистора - student2.ru Дифференциальные малосигнальные параметры транзистора - student2.ru p-n-p, ОБ

 
  Дифференциальные малосигнальные параметры транзистора - student2.ru

Дифференциальные малосигнальные параметры транзистора - student2.ru

Способ линеаризации (при малых сигналах отрезок нелинейной характеристики около рабочей точки заменяем прямой) при разных рабочих точках разные углы наклона прямых, следовательно разные малые сигналы.

 
  Дифференциальные малосигнальные параметры транзистора - student2.ru

Дифференциальные малосигнальные параметры транзистора - student2.ru Дифференциальные малосигнальные параметры транзистора - student2.ru

 
  Дифференциальные малосигнальные параметры транзистора - student2.ru

mэк показывает какая часть выходного напряжения передается во входную цель

Дифференциальные малосигнальные параметры транзистора - student2.ru - коэффициент передачи обратной связи по напряжению

mэк= 0.005

Дифференциальные малосигнальные параметры транзистора - student2.ru

Дифференциальные малосигнальные параметры транзистора - student2.ru

Э
w
Дифференциальные малосигнальные параметры транзистора - student2.ru - емкость коллекторного перехода

Ik
       
    Дифференциальные малосигнальные параметры транзистора - student2.ru
  Дифференциальные малосигнальные параметры транзистора - student2.ru
 

Uk

+

­Uk Þ ­D Þ ширина базы w ¯ Þ ­коллекторного тока, что может привести к пробою коллектора.

Малосигнальная Т-образная схема замещения транзистора (для переменного сигнала).

Дифференциальные малосигнальные параметры транзистора - student2.ru Дифференциальные малосигнальные параметры транзистора - student2.ru

Скrk = const = Дифференциальные малосигнальные параметры транзистора - student2.ru - постоянная времени коллекторной цепи Þ Дифференциальные малосигнальные параметры транзистора - student2.ru

ОБ: Дифференциальные малосигнальные параметры транзистора - student2.ru

Дифференциальные малосигнальные параметры транзистора - student2.ru пренебрегаем

rвых = rк

ОЭ rвх = rб + rэ (1+b) (закарачиваем выход)

rвых @ (закарачиваем вход)

Малосигнальные Н – параметры

Дифференциальные малосигнальные параметры транзистора - student2.ru

Дифференциальные малосигнальные параметры транзистора - student2.ru Дифференциальные малосигнальные параметры транзистора - student2.ru I1 I2

       
    Дифференциальные малосигнальные параметры транзистора - student2.ru
  Дифференциальные малосигнальные параметры транзистора - student2.ru
 
  Дифференциальные малосигнальные параметры транзистора - student2.ru

U1 U2

Дифференциальные малосигнальные параметры транзистора - student2.ru

Дифференциальные малосигнальные параметры транзистора - student2.ru U1 = h11 I1 + h12 U2

I2 = h21 I1 + h22 U2

1. U2 = 0 Þ Дифференциальные малосигнальные параметры транзистора - student2.ru – входное сопротивления транзистора

Дифференциальные малосигнальные параметры транзистора - student2.ru – коэффициент передачи по току

2. I1 = 0 Þ Дифференциальные малосигнальные параметры транзистора - student2.ru – коэффициент по напряжению (коэффициент обратной связи mэк)

Дифференциальные малосигнальные параметры транзистора - student2.ru – выходная проводимость

Н-параметры зависят от схемы включения.

Связь Н-параметров с физическими параметрами Т-образной схемы замещения.

ОБ ОЭ

h11б = rэ+ rб (1-a) h11Э = rб+ rэ (1-b)

h22б = Дифференциальные малосигнальные параметры транзистора - student2.ru h22э = Дифференциальные малосигнальные параметры транзистора - student2.ru

h21б = a h22э = b

Дифференциальные малосигнальные параметры транзистора - student2.ru Дифференциальные малосигнальные параметры транзистора - student2.ru

Частотные свойства транзисторов.

В общем случае a и b - комплексные величины, зависящие от частоты.

Дифференциальные малосигнальные параметры транзистора - student2.ru

Дифференциальные малосигнальные параметры транзистора - student2.ru Дифференциальные малосигнальные параметры транзистора - student2.ru

Дифференциальные малосигнальные параметры транзистора - student2.ru

wт – предельная частота, частота, при которой b=1

wт @wa

ta - постоянная времени

ta= Дифференциальные малосигнальные параметры транзистора - student2.ru (ОБ)

tb= Дифференциальные малосигнальные параметры транзистора - student2.ru (ОЭ)

tp= (1+ р)ta - схема с ОБ более высокочастотна.

Предельные эксплутационные параметры транзистора.

1. Тп – предельная температура перехода

Для Cu: Тп = 900 С Tmin = -600 С

Si: Tп = 1500 С Тmin = -850 С

2. Rт = Дифференциальные малосигнальные параметры транзистора - student2.ru – тепловое сопротивление перехода, который показывает на сколько изменилась Тп перехода при изменении температуры окружающей среды.

Электрические параметры:

1. Uк доп;Uk<Uk доп

2. Ik доп;Ik<I k доп

3. Рк доп ; IkUk = Pk , Pk<Pk доп

 
  Дифференциальные малосигнальные параметры транзистора - student2.ru

мощность рассеивания

Усилительный каскад с общим эмиттером.

n-p-n

Дифференциальные малосигнальные параметры транзистора - student2.ru Дифференциальные малосигнальные параметры транзистора - student2.ru

Назначение элементов:

Сопротивление R1, R2, Rэ, Rk задают режим по постоянному току.

Rэ – служит для температурной стабилизации. Является отрицательной обратной связью по постоянному току.

Сэ – шунтируя Rэ, исключает отрицательную обратную связь по переменному току.

Сэ = Xcэ = 1/wcэ << Rэ

Ср1, Ср2 – разделительные емкости, позволяющие отделить постоянный ток от генератора (постоянную составляющую от переменной). Служат, чтобы не было связи с генератором и с нагрузкой.

Rк – определяет коэффициент усиления каскада.

Дифференциальные малосигнальные параметры транзистора - student2.ru

Есмещ = φб = Дифференциальные малосигнальные параметры транзистора - student2.ru Rб = R1 êêR2

Дифференциальные малосигнальные параметры транзистора - student2.ru

Наши рекомендации