Электростатические ЗУ

Применяют как перепрограммируемые постоянные ЗУ, в которых хранится информация, изменять которую можно, но при наличии специального оборудования и изъятии ЗУ из работающей системы.

Используется МОП – транзисторы с плавающим затвором.

Транзистор с «плавающим затвором» подобен обычному МОП транзистору, (сток, исток, канал), но с иной конструкцией затвора, представляющего собой изолированное проводящее включение, отделенное от поверхности кристалла слоем окисла 100-120нм.

Электростатические ЗУ - student2.ru

Принцип действия ПЗ основан на образовании канала, если на проводящем включении находится достаточно большой электрический заряд (отрицательный для Электростатические ЗУ - student2.ru - канального).

Транзистор с зарядом в затворе и соответствующем проводящим каналом соответствует состоянию хранения логической единицы.

Состоянию «0» соответствует отсутствие заряда и проводящего канала. С течением времени заряд в затворе убывает и информация теряется. Состояние транзистора выявляют приложенные напряжения к выводам - сток-исток. При хранимой «1» ток имеет заметную величину.

Запись - в 2 этапа:

1) УФ стирание (15-20 мин) Электростатические ЗУ - student2.ru - прозрачен. На втором – запись логической единицы.

К стоковому Электростатические ЗУ - student2.ru переходу прикладывают обратное напряжение, достаточное для его пробоя.

Часть носителей возникающих при пробое имеет энергию достаточную для преодоления энергетического барьера между кристаллом и диэлектриком. Инжектированные в диэлектрик носители дрейфуют к плавающему затвору, создают в нем заряд (для Электростатические ЗУ - student2.ru канала – это электроны).

Из-за вероятностного характера инжекции величина накопления Электростатические ЗУ - student2.ru пропорциональна времени.

Выборка (адресация) МОП – транзисторов с плавающим затвором организуется с применением дополнительного ключа в каждом запоминающем элементе и оборудования, аналогично оборудованию статических триггерных ЗУ.

Структура одноразрядной БИС этого типа:

Электростатические ЗУ - student2.ru

Запоминающий элемент образован последовательным соединением запоминающего транзистора Электростатические ЗУ - student2.ru и транзистора выборки Электростатические ЗУ - student2.ru .

Посредством двух координатной системы шин ЗЭ организованы в матрицу, причем шины выборки ШВ соединяют затворы транзисторов выборки, а шины съема-управления записью ШС – стоки этих же транзисторов. ШВ получают сигналы от первой части адреса Электростатические ЗУ - student2.ru .

ШС связаны со входом ВХ и выходом ВЫХ ЗУ через коммутатор, управляемый второй частью адреса Электростатические ЗУ - student2.ru .

Шина питания ШП имеет отдельный вывод (чтобы при записи подать большее Электростатические ЗУ - student2.ru , чем при хранении и считывании).

Коммутатор содержит Электростатические ЗУ - student2.ru с инверсными выходами, ключевыми транзисторами и схему ИЛИ. Ключевые транзисторы открыты на ШС поддерживается близкий к нулю уровень потенциала. Если по входу Электростатические ЗУ - student2.ru логическая единица – режим считывания и получено Электростатические ЗУ - student2.ru - разрешение обращения, то Электростатические ЗУ - student2.ru коммутатора получает сигнал разрешения Электростатические ЗУ - student2.ru , выбранный ключевой транзистор открывается и уровень выходного сигнала ВЫХ обуславливается состоянием выбранного ЗЭ.

В режиме записи (после стирания старой информации через кварцевую линзу в корпусе МС, что ведет к стиранию всего массива) на шину ШП подают повышенное напряжение.

Если на входе ВХ единичный сигнал, то Электростатические ЗУ - student2.ru коммутатора получает разрешение и избранный транзистор закрывается. На соответствующей шине ШС появляется большой отрицательное напряжение, постоянное через Электростатические ЗУ - student2.ru . В ЗЭ, выбранном Электростатические ЗУ - student2.ru напряжение проходит через транзистор выборки Электростатические ЗУ - student2.ru и прикладываясь к Электростатические ЗУ - student2.ru переходу запоминается транзистором Электростатические ЗУ - student2.ru , вызывая рассмотренный выше процесс записи единицы.

Закрытые транзисторы выборки других ЗЭ должны иметь пробивные напряжения, превышающие модуль потенциала шины ШВ.

Расширение ППЗУ.

Если имеющиеся ППЗУ не имеют достаточной емкости прибегают к расширению (наращиванию) памяти.

Различают расширение по выходам и по входам.

По выходам: несколько МС включают параллельно по входам:

Электростатические ЗУ - student2.ru

При расширении по входам:

Электростатические ЗУ - student2.ru

Память с битовой организацией Электростатические ЗУ - student2.ru по поступающему на вход Электростатические ЗУ - student2.ru разрядному адресу формирует на выходе одноразрядный результат, 0 или 1, то есть выдает бит, хранящийся по данному адресу.

Этот способ функционирования непосредственно соответствует задаче воспроизведения булевой (переключательной) функции Электростатические ЗУ - student2.ru переменных – для каждого входного набора можно назначить необходимую входную переменную, запрограммировав ППЗУ согласно таблице истинности функции.

ППЗУ 1024´1 – для воспроизведения булевой функции 10 переменных.

Память Электростатические ЗУ - student2.ru - Электростатические ЗУ - student2.ru разрядное слово, хранящееся в ячейке с данным адресом.

Такое ЗУ воспроизводит систему переключения функций.

В ППЗУ реализуются совершенные дизъюнктивные нормальные формы (то есть не предусмотренная минимизации функции ).

Большие затраты элементной памяти, однако цена элемента ниже цены логического элемента в 5-10 раз.

Пример. 4 функции 4-х переменных.

Таблица программ ППЗУ.

Использование для конечных автоматов.

Другие использования будут рассмотрены позже.

Программируемые логические матрицы (ПЛМ).

(PLA - Programmable Logic Array; PLM – Programmable Logic Matrix).

Появились после разработки программируемых постоянных ЗУ и имеют с ними определенное родство.

ПЛМ представляет собой 2-х ступенчатую структуру. Первая ступень выполняет типовую операцию дешифрации и преобразует входной адресный код в возбуждение одной из многих выходных цепей. Электростатические ЗУ - student2.ru имеет стандартное устройство при разрядности входного кода Электростатические ЗУ - student2.ru число выходов – 2m .

Строится на элементах И, совокупность – матрица И.

Вторая ступень является накопителем, выходы Электростатические ЗУ - student2.ru служат ее входами.

Возбуждение одной из выходных цепей дешифратора вызывает считывание одной из ячеек накопителя, так что на выходах формируется слово, записанное в данную ячейку. Содержимое ячеек накопителя задается пользователем, составляющем программу для записи данных в накопитель. Согласно этой программы в структуру накопителя будут введены связи между элементами, аппаратно реализующие процесс программирования накопителя. Связи могут вводиться необратимо (с помощью технологических масок, или плавких перемычек) либо обратимо (например, с помощью плавающих затворов МОП транзисторов). Технологически накопитель выполняется на элементах ИЛИ и в сущности является шифратором. Шифраторы реализуются на элементах ИЛИ и представляют собой их совокупность, поэтому для них применяют название матрица ИЛИ.

ПЛМ представляет собой двухуровневую структуру, образованную последовательным соединением программируемых матриц И и ИЛИ.

Электростатические ЗУ - student2.ru

Структурная схема ПЛМ содержит блоки входных и выходных буферных каскадов БВх, Бвых и матрицы элементов И и ИЛИ ( Электростатические ЗУ - student2.ru и Электростатические ЗУ - student2.ru ).

Входные буферы разгружают входные цепи и преобразуют однофазные сигналы в парафазные. Выходные буферы обеспечивают необходимую нагрузочную способность ПЛМ и стробируют ее с помощью входа выборки кристалла ВХ, сигнал на котором либо разрешает работу ПЛМ, либо переводит выходы в состояние «отключено».

Основными параметрами ПЛМ являются число входов Электростатические ЗУ - student2.ru , число переходных цепей (термов) Электростатические ЗУ - student2.ru и число выходов Электростатические ЗУ - student2.ru .

ПЛМ воспроизводит систему Электростатические ЗУ - student2.ru логических функций от Электростатические ЗУ - student2.ru аргументов, причем функции могут быть образованы как дизъюнкции из Электростатические ЗУ - student2.ru различных термов от Электростатические ЗУ - student2.ru переменных, а затем из них скомбинировать не более Электростатические ЗУ - student2.ru функций.

Промышленностью освоены ПЛМ с различной схемотехнологией: с диодами в матрице И и биполярными транзисторами в матрице ИЛИ, с Электростатические ЗУ - student2.ru -МОП транзисторами в обеих матрицах и другие.

Структура и топология ПЛМ так же регулярны, как и в ППЗУ, в них имеются системы горизонтальных и вертикальных цепей, в узлы пересечения которых при программировании вводятся (или устраняются из них) элементы связи.

Устройство и функционирование ПЛМ рассмотрим на конкретном примере системы функций:

Электростатические ЗУ - student2.ru

Эта система имеет 4 аргумента, 7 различных термов и три функции.

Минимально необходимые параметры ПЛМ для этого примера: Электростатические ЗУ - student2.ru .

Для данного конкретного случая ПЛМ имеет структуру:

Электростатические ЗУ - student2.ru

Электростатические ЗУ - student2.ru

Элементами связей в матрице И служат диоды, в матрице ИЛИ – биполярные транзисторы.

Элементы связи упрощенно представляются точками в узлах пересечения цепей. Для примера – схема выработки терма Электростатические ЗУ - student2.ru на выходе матрицы И и функции Электростатические ЗУ - student2.ru на выходе матрицы ИЛИ.

Здесь каждая из вертикалей образует соответствующий терм, а каждая горизонталь дает дизъюнкцию термов.

Термы образуются обычными диодными схемами И для положительной логики, а схема ИЛИ построена на параллельном включении эмиттерных повторителей (рассматривали ранее).

При программировании ненужные связи удаляются выплавлением перемычек (удобно тем, что может выполняться самим пользователем) на специальном стенде, однако перемычки занимают много места на кристалле.

В ПЛМ с МОП транзисторами (масочное программирование) ненужные элементы связи остаются незавершенными.

Электростатические ЗУ - student2.ru

В Электростатические ЗУ - student2.ru -МОП транзисторах базовый элемент ИЛИ-НЕ применяется в обеих матрицах, на вход подают Электростатические ЗУ - student2.ru , так как Электростатические ЗУ - student2.ru , а на выходе получаем инверсное значение функции Электростатические ЗУ - student2.ru .

На ППЗУ реализуют развернутые формы представления функций СДНФ, для них не используется минимизация функций.

Для ПЛМ положение другое – реализуемую систему функций необходимо минимизировать. В рамках ДНФ минимизация не является в общем случае предельной, использование скобочных форм иногда позволяет получить еще более экономичное представление функции.

Скобочные формы получают на ПЛМ при введении в схему обратных связей.

Электростатические ЗУ - student2.ru

ПЛМ представлена схемой на уровне логических элементов, промежуточным по отношению к уровням, использовавшимися ранее.

Электростатические ЗУ - student2.ru

Для построения автоматов с памятью к ПЛМ добавляют триггеры (регистр). Целесообразно регистр выполнять на том же кристалле, так как в этом случае все цепи обратных связей останутся внутренними для микросхемы, а внешними будут только выводы для входов и выходов. ПЛМ с памятью имеет четвертый параметр Электростатические ЗУ - student2.ru - число элементов памяти Электростатические ЗУ - student2.ru - число разрядов регистра.

ПЛМ с памятью имеет структуру:

Электростатические ЗУ - student2.ru

Эта структура совпадает с классической структурой автомата с памятью.

Результат данного шага обработки информации зависит от результатов предыдущих шагов, это обеспечивается обратной связью регистра на вход матрицы И. Число внутренних состояний определяется числом триггеров (разрядностью Электростатические ЗУ - student2.ru ) и не превышает Электростатические ЗУ - student2.ru .

Обычно структура является синхронной – петля обратной связи активизируется по разрешению тактовых сигналов СИ.

В некоторых модификациях ПЛМ используются буферы – дешифраторы на входе; буферы – сумматоры по модулю два на выходе; сигналы «саморазрешения работы».

Буфер-дешифратор на входе формирует попарные конъюнкции, что (не увеличивая числа входов ПЛМ) может снизить необходимую емкость матрицы из-за уменьшения количества необходимых для реализации термов.

Выходные буферы-сумматоры по модулю 2 получают на один из входов сигналы с матрицы ИЛИ, а на другие – управляющий сигнал. При нулевом управляющем сигнале с выхода снимаются прямые значения переменных, при единичном – инверсные.

Сигнал «саморазрешение работы » формируется, когда входное слово или его часть совпадает с заданным для данной ПЛМ кодом (запрограммированным внутри ПЛМ). Сигнал саморазрешения работы подается на вход выборки кристалла. При его отсутствии все выходы ПЛМ находятся в состоянии «отключено» (в третьем состоянии).

Сложность ПЛМ принять оценивать сумматорной информационной емкостью (числом ячеек – узлов – пересечений линий в которых размещаются элементы связи).

Информационная емкость ПЛМ:

Электростатические ЗУ - student2.ru

коэффициент 2 перед Электростатические ЗУ - student2.ru отражает наличие прямых и инверсных значений входных переменных в матрице И.

Наши рекомендации