Выпишите из 1-го абзаца все прилагательные и наречия, укажите их степень сравнения и переведите на русский язык.

Text В: WAS IST EIN TRANSISTOR?

1. Der Transistor ist ein verstärkendes Dreielektroden-Halbleiterbauelement. Die Bezeichnung Transistor, 1948 bekannt geworden, ist aus den Wörtern "Transfer" und "Resistor" entstanden und bedeutet etwa "Übertragungswiderstand". Die Transistoranschlüsse werden mit Emitter E, Basis B, Kollektor C, Schirm S bezeichnet.

2. Transistoren werden in zwei grundlegende Typen aufgeteilt:

1) Sperrschichttransistor (Bipolartransistor); der Name Bipolartransistor bedeutet, dass als Ladungsträger sowohl Minoritätsladungsträger als auch Majoritätsladungsträger auftreten;

2) Feldeffekttransistor (Unipolartransistor); der Name Unipo­lartransistor bedeutet, daß als Ladungsträger ausschließlich Majoritätsladungsträger auftreten.

3. Grundlage der Gruppe von Bipolartransistoren ist der pn-Übergang. Man kann z.B. in Germanium oder Silizium durch Fremdstoffzugabe (Dotierung) freie Leitungselektronen erzeugen. Da Elektronen negative Ladungen sind, spricht man von n-Leitung. Durch Dotierung kann aber auch Elektronenmangel entstehen. Es handelt sich dann um Löcher, Elektronenfehlstellen oder auch Defektelektronen, die positiven Ladungen gleichkommen (p-Leitung).

4. Erzeugt man in einem Kristall aneinandergrenzende p- und n-Zonen, bildet sich an der Grenzschicht ein sogenannter pn-Übergang. In ihm wandern Ladungsträger aus jeder Schicht in die jeweils andere, so dass im p-Gebiet Elektronen-, im n-Gebiet DefektelektronenüberschuB entsteht, was einer Potentialschwelle gleichkommt. Wenn man an die pn-Schichten eine äußere Spannung anlegt, werden, je nach deren Polarität, Ladungsträger in die Grenzschicht "hineingedrückt" oder abgezogen. Die Schicht wird damit gut oder nahezu nicht leitend, wirkt somit als Gleichrichter. Der Bipolartransistor besteht aus benachbarten, sich gegenseitig beeinflussenden pn-Übergängen mit der Zonenfolge pnp (üblich bei Germanium) oder npn (bei Silizium); danach richtet sich die Polarität der Betriebsspannungen. Strukturell besteht der Transistor aus der gegenpoligen Reihenschaltung zweier Dioden, "integriert" in einem Kristall.

5. Feldeffekt- oder Unipolartransistoren sind Halbleiterbauelemente, in denen die Leitfähigkeit eines halbleitenden Kanals durch ein elektrisches, auf den Kanal einwirkendes Feld gesteuert werden kann.

6. Der Arbeitspunkt des Transistors ist so zu wählen, dass die Grenzwerte der Ströme, Spannungen bzw. der Leistung nicht überschritten werden, da der Transistor sehr empfindlich gegen Überlastung ist.

Пояснения к тексту:

1. aneinandergrenzend - граничащий друг с другом

2. Bipolartransistor, Sperrschichttransistor m - биполярный транзистор

3. Feldeffekttransistor, Unipolartransistor m - униполярный (полевой) транзистор

4. Defektelektron n, Elektronenfehlstelle f -дырка

5. gleichkommen - быть равным, эквивалентным чему-либо

6. Leitwert m - проводимость

7. Majoritätsladungsträger m - основной носитель заряда

8. Minoritätsladungsträger m –неосновной носитель заряда

9. n-Leitung = negative Leitung f -отрицательная (электронная) электропроводность

10. p-Leitung = positive Leitung f -дырочная электропроводность

11. pn-Übergang m - pn - переход, переход pn - типа, дырочноэлектроный переход

12. Polarität f -полярность

13. Potentialschwelle f - потенциальный барьер, порог

14. Reihenschaltung f - последовательное включение

15. Übergang m - переход

16. Überlastung f - перегрузка

17. Überschuß m - излишек, избыток

18. Übertragungswiderstand m -сопротивление передачи

19. Zonenfolge f - чередование зон

20. Zugabe f, Dotierung f -легирование, введение примесей

21. Es handelt sich (um А) - речь идет (о ...)

Задания к тексту В

1. Прочитайте текст и переведите его устно. Затем переведите
письменно заглавие и абзацы 1-3.

2. Выпишите из текста предложения, подтверждающие следующие высказывания:

1. В pn-переходе имеются отрицательные и положительные носители зарядов.

2. Биполярный транзистор состоит из нескольких pn-переходов.

3. Электрическое поле может управлять проводимостью полупро­водникового канала.

3. Выпишите из текста немецкие слова, являющиеся эквивалентами следующих слов и словосочетаний:

1. носители зарядов; 2. недостаток электронов; 3. пограничный слой;

4. потенциальный барьер; 5. последовательное включение; 6. плоскостной транзистор; 7. избыток дырок; 8. рабочее напря­жение; 9. управлять;

10. электрическое поле.

4. Выпишите предложения, содержащие:

а) бессоюзное условное придаточное предложение - из 4-го абзаца;

б) сказуемое, выраженное глаголом в презенсе пассива - из 6-го абзаца;

в) распространенное определение - из 5-го абзаца.