Лавинно-пролетные диоды

Принцип действия лавинно-пролетных диодов (ЛПД) основан на ударной ионизации в слое умножения носителей заряда, временной задержке при пролете (дрейфе) в поле ОПЗ, приводящей к отставанию тока по фазе относительно переменного напряжения на величину p или по времени на полпериода, что эквивалентно появлению динамического отрицательного сопротивления в СВЧ диапазоне.

ЛПД предназначены для генерации, усиления СВЧ сигналов и умножения частоты. Различают два основных режима работы ЛПД: пролетный режим IMPATT и режим с захваченной плазмой TRAPATT.

Лавинно-пролетные диоды - student2.ru Рассмотрим принцип действия ЛПД на примере p+-n-n+-структуры. Пусть на диод подано постоянное обратное напряжение (несколько меньше напряжения лавинного пробоя UВ0), на которое накладывается небольшой переменный сигнал (рисунок 6.44). Ширина n-слоя мала, и весь он занят областью объемного заряда p-n-перехода. Амплитуду переменного сигнала выбираем такой, чтобы в момент максимума суммарное напряжение на диоде было больше UВ0.

Рисунок 6.44 - Зависимости от фазы: а – переменного напряжения, подаваемого на ЛПД;

б – тока во внешней цепи и инжекционного тока

В течение времени, когда напряжение на диоде больше UВ0, в части области объемного заряда около р+-слоя напряженность электрического поля выше значения Лавинно-пролетные диоды - student2.ru , необходимого для лавинного умножения, поэтому здесь происходит лавинное образование электронно-дырочных пар (рисунок 6.45). Эта часть области объемного заряда (0–xy) называется слоем умножения. Электроны и дырки разделяются электрическим полем и экстрагируются из области объемного заряда. Дырки сразу переносятся из слоя умножения в р+-область, а электроны проходят через область объемного заряда в n+-область. В момент максимума следующего положительного полупериода образуется новый сгусток электронов, который дрейфует к n+-области и т.д. Таким образом, ток через диод модулируется с частотой приложенного переменного напряжения.

Лавинно-пролетные диоды - student2.ru e e

eл

p+ 0 xy n d n+ x p+ n i n+ x

Рисунок 6.45 - Распределение напряженности электрического поля в p+-n-n+

и p+-n-i-n+-структурах при работе ЛПД в IMPATT-режиме

В данном случае ток в цепи отстает по фазе относительно напряжения на время пролета электронов через область дрейфа (xy – d). Частоту переменного сигнала можно выбрать так, что электроны попадут в n+-область в момент окончания периода Т переменного сигнала. При запаздывании лавины, равном Т/4 (см. рисунок 6.44), электроны сразу попадают в замедляющий участок волны и находятся в нем в течение всего времени пролета, если последнее равно Т/2. При таких условиях Rд максимально.

Как всякий прибор с отрицательным сопротивлением, ЛПД, помещенный в резонатор, может генерировать колебания. Так как время дрейфа электронов и дырок через область объемного заряда мало, то Rд становится отрицательным на СВЧ-частотах. Поэтому ЛПД в основном используются для генерации СВЧ-колебаний. Рассмотренный лавинно-пролетный режим работы ЛПД называется IMPATT-режимом (Impact Avalanche Transit Time).

В качестве ЛПД могут использоваться любые структуры: p+-n-n+, p+-i-n+, p+-n-i-n+, p+-p-n-n+, а также барьеры Шоттки. Размеры промежуточных областей таковы, что они полностью занимаются объемным зарядом при обратном напряжении. Поскольку ЛПД используется для генерации СВЧ-колебаний, общим требованием является малая зарядная емкость, т.е. малая площадь перехода.

Величина Rд более стабильна, если время пролета не меняется при изменении напряжения на ЛПД. Это возможно только тогда, когда скорость движения носителей в области дрейфа не зависит от напряженности электрического поля (рисунок 6.46).

При больших e скорость дрейфа слабее зависит от напряженности электрического поля, а при напряженностях выше Лавинно-пролетные диоды - student2.ru достигает насыщения. Таким образом, Rд не зависит от внешнего напряжения, если в области дрейфа Лавинно-пролетные диоды - student2.ru . В этом отношении удобна p+-n-i-n+-структура с тонкой n-областью, которая является слоем умножения, а областью дрейфа служит i-слой (см. рисунок 6.45). Постоянство скорости дрейфа обеспечивается Лавинно-пролетные диоды - student2.ru .

Лавинно-пролетные диоды - student2.ru t0 t1

v

vнас

t2

0 eнас e p+ 0 xy n n+

Рисунок 6.46 - Зависимость скорости дрейфа носителей заряда в полупроводнике от напряженности электрического поля Рисунок 6.47 - Распределение напряженности электрического поля при работе ЛПД в TRAPATT-режиме

В p+-p-n-n+-структуре (ЛПД с двойным пролетным пространством) одновременно с дрейфом электронов в n-области происходит синфазный дрейф дырок в p-области. Дополнительно рост мощности в таких ЛПД можно получить за счет увеличения площади перехода, т.к. область объемного заряда d здесь шире (Сз ~ S/d), и одновременное увеличение S и d не увеличивает емкость диода.

При больших токах через ЛПД он может работать в режиме с «захваченной плазмой» - TRAPATT-режиме (Traped Plasma Avalanche Triggered Transit). На рисунке 6.47 показано распределение напряженности электрического поля в p+-n-n+-структуре при подаче напряжения, значительно большего UВ0. В первый момент после включения диода t0 распределение напряженности электрического поля линейно. В последующий момент концентрация электронов и дырок в прилегающей к p+-области части n-слоя резко увеличивается за счет лавинного умножения, а напряженность электрического поля соответственно уменьшается. Это приводит к перераспределению падения напряжения между частями n-слоя, увеличению напряженности электрического поля выше Лавинно-пролетные диоды - student2.ru в части n-слоя за точкой xy(t1) и перемещению слоя умножения по области объемного заряда.

Движение фронта волны ионизации происходит быстрее, чем движение электронов в электрическом поле, поэтому вся n-область заполняется электронно-дырочной плазмой быстрее, чем она из нее выносится. Напряжение на диоде резко уменьшается, что приводит к задержке экстракции носителей из области объемного заряда. Такое состояние и получило название режима с «захваченной плазмой».

Время рассасывания электронно-дырочной плазмы определяется сопротивлением последовательно включенных с ЛПД резисторов (в том числе и собственных сопротивлений потерь). После рассасывания электронно-дырочной плазмы период повторяется. Так как скорости экстракции носителей заряда из области объемного заряда в этом режиме значительно ниже скорости насыщения, то частота колебаний меньше, чем в собственно лавинно-пролетном режиме. Амплитуда колебаний и КПД, наоборот, увеличиваются и достигают 40%.

Поскольку при лавинном пробое ток запаздывает относительно напряжения, то реактивное сопротивление ЛПД имеет индуктивный характер. Так как сопротивление потерь rп и сопротивление утечки тока p-n перехода уменьшают отрицательную часть полного активного сопротивления p-n перехода, то он может быть использован в качестве ЛПД лишь при малом rп и большом ry. Значительно ухудшает параметры ЛПД неоднородность лавинного пробоя по площади p-n перехода (микроплазмы и т. д.). Она приводит к размытию сгустка носителей заряда в лавине и уменьшению глубины модуляции сопротивления p-n перехода.

В СВЧ-диапазоне в ЛПД преобладают дробовые шумы, которые при лавинном умножении усиливаются в М раз. Поэтому уровень собственных шумов ЛПД значительно выше, чем других СВЧ-диодов, например диодов Ганна. Большой уровень собственных шумов не позволяет использовать ЛПД в качестве усилителей слабых сигналов. Широкое применение ЛПД находят в генераторах СВЧ-сигналов диапазона 0,5...100 ГГц и генераторах шума.

Наши рекомендации