Порядок расчета программируемых параметров
Задание характеристик:
![]() |
Задание варьируемых параметров:
![]() |
Результаты можно получить либо в виде графика, либо в виде таблицы.
Пример задания студенту
Студенту задано:
1. Парциальное давление силана
2. Парциальное давление фосфина
3. Температура
4. Габариты реактора
Задание:
1. При заданном полном давлении газа в реакторе определить максимальную скорость роста пленки поликремния при максимально возможном радиусе
пластины и при минимальном расстоянии между пластинами при соблюдении максимального выхода.
2. При заданном радиусе пластины определить максимальную скорость роста при минимальном расстоянии между пластинами и полном удалении
Практические указания
Моделирование процесса осаждения тонких пленок поликремния из химической паровой фазы при низком давлении (LPCVD-процесс) с одновременным легированием начинается с задания параметров процесса, таких как: радиус пластины, расстояние между пластинами, радиус реактора, длина реактора, температура пластины, полное давление газа в реакторе, парциальное давление силана и парциальное давление фосфина.
Далее студенту предстоит выбрать варьируемый параметр и его пределы: радиус пластины, расстояние между пластинами, радиус реактора, длина реактора, температура пластины, полное давление газа в реакторе, парциальное давление силана и парциальное давление фосфина, текущий радиус пластины. Имеется возможность начать процесс сначала, нажав кнопку «Назад». Программа предусматривает выдачу данных о величинах.
Совокупность всех получаемых в результате расчета данных позволяет выбрать оптимальный режим процесса получения поликремниевых слоев с заданными свойствами.
Требования к отчету
Отчет должен содержать:
1. Титульный лист.
2. Цель работы.
3. Краткий конспект.
4. Результаты выполнения лабораторной работы представить в виде описания используемых материалов и компонентов.
5. Выводы по работе.
Контрольные вопросы.
1. Какие функции выполняют полупроводниковые пленки в микроэлектронике?
2. Какой метод используется в микроэлектронике для создания пленки поликремния?
3. Опишите процесс восстановления тетрахлорида кремния водородом.
4. Опишите процесс восстановления трихлорсилана водородом.
5. Объясните конструкцию реакторов в процессе производства поликристаллических пленок.
6. Расскажите как определяется скоростьи осаждения пленки поликремния.
Список литературы:
1 Осадин Б. А, Шаповалов Г. И. Физика и химия обработки материалов, № 5, с. 43, 1976.
2 Холленд Л. Нанесение тонких пленок в вакууме. М., Госэнергоиздат, 1963.
3 Чистяков Ю. Д., Ивановский Т. Ф., Ушаков В. А., Попов Л. В., Кожитов Л. В. Электронная техника, сер. Материалы, вып. 6, с. 20, 1970.
4 Александров Л. Н. Процессы роста и структуры монокристаллических слоев полупроводников, ч. 1. Новосибирск, «Наука», 1988.
5 Иванов Р. Д. Катодный метод создания пленочных элементов микросхем. М., «Энергия», 1992
6 Колешко В. М., Ковалевский А. А., Калошкин Э. П., Рыжикова Н. Е. Кинетика осаждения и свойства тонких высоколегированных поликристаллических пленок кремния, полученных методом пиролиза моносилана. Изв. АН СССР, сер. Неорганические материалы, т.13, № 6, с.941, 1977.
7 Ковалевский А. А., Некарюкин И. В., Рыжикова Н. Е. Комплексная микроминиатюризация и повышение качества радиоэлектронной аппаратуры. Минск, МРТИ,1976
8 Колешко В. М., Ковалевский А. А., Некарюкин И. В. Влияние технологических факторов на величину поверхностного сопротивления поликристаллических пленок кремния. Электронная техника, сер. Материалы, вып. 7, с.45, 1985.
9 Волькенштейн Ф. Ф. Физико-химия поверхности полупроводников. М., «Наука», 1973.
10 Уикс В. Е Электроника (рус.пер.), т. 49, № 12, с.39, 1996.
11 Шварц Н., Берри Р. Физика тонких пленок, т.2. Под ред. Н. И. Елипсова и В. Б. Сандомирского. М., «Мир», 1976.
12 Кресин О. М., Харинский А. Л. Электронная техника, сер. Микроэлектроника, вып. 5, с. 24, 1967.
13 В.В.Нечаев, А.С.Турцевич. Моделирование процесса осаждения поликремния из газовой фазы. М., 1989.
14 http://avl.iatp.by/edu progs.htm
15 Нашельский А. Я. Технология полупроводниковых материалов. - М.: Москва: Металлургия, 1993.