Система обозначений диодов
Система обозначений полупроводниковых диодов установлена отрасле-
вым стандартом ОСТ 11336.919-81, а силовых полупроводниковых прибо-
ров – ГОСТ 20869.1-89. В основу системы обозначений положен буквенно-
цифровой код, состоящий из пяти элементов (рисунок 11).
Первый элемент (цифра или буква) обозначает исходный полупроводниковый
материал: Г (или 1) – германий или его соединения; К (или 2) – кремний или его
соединения; А (или 3) – соединения галлия; И (или 4) – соединения индия.
Второй элемент (буква) обозначает подкласс приборов: Д – диоды вы-
прямительные, импульсные и универсальные; Ц – выпрямительные столбы
и блоки; В – варикапы; И – туннельные диоды; А – сверхвысокочастотные;
С – стабилитроны; Г – генераторы шума; Л – излучающие оптоэлектронные
приборы; О – оптопары.
Третий элемент (цифра) – основные функциональные возможности при-
бора, то есть уточняет назначение прибора или подразделяет по дополни-
тельным параметрам. Для выпрямительных диодов используются следую-
щие цифры: 1 – диоды выпрямительные со средним значением прямого тока
не более 0,3 А; 2 – со средним значением прямого тока более 0,3 А, но не
свыше 10 А. Для стабилитронов мощностью не более 0,3 Вт: 1, 2, 3 – с на-
пряжением стабилизации соответственно менее 10 В, от 10 до 100 В, более
100 В; мощностью от 0,3 В до 5 Вт: 4, 5, 6 – с напряжением стабилизации
соответственно менее 10 В, от 10 до 100 В, более 100 В; мощностью более
5 Вт, но не более 10 Вт: 7, 8, 9 – с напряжением стабилизации соответствен-
но менее 10 В, от 10 до 100 В, более 100 В.
Четвертый элемент – двухзначное число от 01 до 99, обозначающее по-
рядковый номер разработки.
Пятый элемент – буква, условно определяющая классификацию (раз-
браковку по параметрам) приборов, изготовленных по единой технологии.
В качестве квалификационной литеры используются буквы русского алфа-
вита (за исключением букв З, О, Ш, Щ, Ч, Ъ, Ы, Ь, Э, Ю, Я).
До введения в 1982 г. отраслевого стандарта применялась иная система услов-
ных обозначений, состоящая из двух или трех элементов. Первым элементом яв-
ляется буква «Д», характеризующая весь класс полупроводниковых диодов. Вто-
рой элемент – число, определяющее область применения: 1–100 – для точечных
германиевых диодов; 101–200 точечных кремниевых диодов; 201–300 – для пло-
скостных кремниевых диодов; 301–400 – для плоскостных германиевых диодов;
401–500 – для смесительных СВЧ детекторов; 501–600 – для умножительных
диодов; 601–700 – для видеодетекторов; 701–749 – для параметрических герма-
ниевых диодов; 750–800 – для параметрических кремниевых диодов.
Третьим элементом является буква, характеризующая разновидность
диода в данной группе.
Справочные данные по диодам и стабилитронам, используемым в лабо-
раторных работах, приведены в приложении А.
Рисунок 11 – Система обозначений диодов согласно ОСТ 11336.919-81
КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ
1 Какие вещества относят к полупроводникам?
2 Отличительная особенность полупроводников.
3 Виды электропроводимости в полупроводниках.
4 Какие материалы используются в качестве полупроводников?
5 Какой полупроводник называется собственным?
6 Что такое примесный полупроводник?
7 Как изменяется удельное сопротивление полупроводника при внесении примеси?
8 Как образуется полупроводник n-типа?
9 Как образуется полупроводник p-типа?
10 Как образуется p-n-переход?
11 Почему p-n-переход при отсутствии воздействия на него внешнего напряжения находит-
ся в равновесном состоянии?
12 Какие физические процессы происходят при прямом включении p-n-перехода?
13 Основные причины возникновения токов утечки.
14 Что такое полупроводниковый диод?
15 Чем обусловлены выпрямляющие свойства диодов?
16 Технология изготовления полупроводниковых диодов.
18 В зависимости от каких свойств p-n-перехода различают плоскостные и точечные дио-
ды? Как это отражается на электрических параметрах этих диодов?
19 Что такое вольт-амперная характеристика?
20 Какие электронные приборы называются линейными? Привести примеры.
21 Теоретическая ВАХ полупроводникового диода.
22 Реальная ВАХ диода.
23 Чем обусловлено наличие линейного участка в прямой ветви ВАХ диода?
24 Что такое пробой p-n-перехода?
25 Виды пробоя p-n-перехода.
26 Какие физические процессы происходят при лавинном пробое p-n-перехода?
27 Является ли допустимой работа полупроводникового диода при электрическом пробое?
28 Почему тепловой пробой является необратимым?
29 Влияние температуры на ВАХ диода.
30 Общие параметры диодов.
31 Почему необходимо ограничивать температуру p-n-перехода?
32 Что произойдет с диодом при прямом токе, превышающем допустимое значение?
33 Почему необходимо ограничивать значение обратного напряжения?
34 Как образуется емкость p-n-перехода?
35 Как определить статическое сопротивление диода?
36 Как определить динамическое сопротивление диода?
37 Полная эквивалентная схема полупроводникового диода.
38 Упрощенная эквивалентная схема диода на низких частотах (при прямом и обратном
включении).
39 Упрощенная эквивалентная схема диода на высоких частотах (при прямом и обратном
включении).
40 Классификация полупроводниковых диодов.
41 Система обозначения полупроводниковых диодов.
42 По каким параметрам классифицируются выпрямительные диоды?
43 Назначение и система обозначения выпрямительных диодов.
44 Назначение выпрямительных столбов.
45 Назначение и система обозначения импульсных диодов.
46 Назначение и система обозначения СВЧ-диодов.
47 Классификация СВЧ-диодов.
48 Какие свойства p-n-перехода используются при работе диодов специализированного на-
значения (стабилитрон, варикап, туннельный диод и т.п.)?
49 Что такое стабилизация напряжения?
50 Какое свойство p-n-перехода используется при работе стабилитрона?
51 ВАХ стабилитрона.
52 Назначение и система обозначения стабилитронов.
53 Какой полупроводниковый диод называется стабистор?
54 Какая емкость p-n-перехода (барьерная или диффузионная) используется при работе ва-
рикапа? Почему?
55 Назначение и классификация варикапов.
56 Вольт-фарадная характеристика варикапа.
57 У каких типов диодов в прямой ветви ВАХ имеется участок с отрицательным сопротив-
лением? Как объяснить наличие такого участка?
58 Какое сопротивление диода (статическое или динамическое) может принимать отрица-
тельное значение? Почему?
59 Назначение и классификация туннельных диодов.
60 ВАХ туннельного диода.
61 Назначение обращенных диодов.
62 ВАХ обращенного диода.
63 На основе какого физического явления работают излучающие диоды?
64 Назначение и система обозначения излучающих диодов.
65 Принцип работы и область применения оптронов.
66 Принцип работы и область применения диодов Шотки.
67 В чем выражаются частотные свойства полупроводниковых диодов?
68 Импульсный режим работы диодов.
69 Какой из диодов может использоваться в качестве усилительного элемента?
70 Как включаются (в прямом или обратном направлениях) диоды различных типов (вы-
прямительный, стабилитрон, варикап, туннельный, излучающий)? Объясните почему.
71 Почему полупроводниковые диоды получили широкое распространение в РЭА?
72 Недостатки полупроводниковых диодов.
Л а б о р а т о р н а я р а б о т а № 1
ИССЛЕДОВАНИЕ