Полупроводниковые фоторезисторы
Фоторезисторы – это дискретные светочувствительные резисторы, принцип действия которых основан на изменении проводимости полупроводникового материала под действием светового излучения.
Фоторезисторы могут быть чувствительны к электромагнитному излучению в широком интервале длины волны (от ультрафиолетового до инфракрасного).
Для изготовления серийных фоторезисторов в настоящее время используют главным образом два типа материалов: сернистый кадмий и селенистый кадмий. Для изготовления резисторов типа ФСА применяют сернистый свинец.
Светочувствительный элемент фоторезистора изготавливается в виде прямоугольной или круглой таблетки, спрессованной из полупроводникового материала или тонкой пленки на стеклянной подложке. Элемент может быть выполнен также из монокристаллических образцов полупроводниковых материалов. Светочувствительный элемент фоторезисторов обычно помещают в пластмассовый или металлический корпус. Отдельные типы фоторезисторов выполняются в бескорпусном исполнении (ФСА-1а, ФСК-7а, ФСД-1а и т. д.). Светочувствительный элемент в них защищен от воздействия внешней среды прозрачной пластмассовой пленкой.
Основными параметрами фоторезисторов являются:
UP – рабочее напряжение – это постоянное напряжение, приложенное к фоторезистору, при котором обеспечены номинальные значения его параметров при длительной работе; Uтах – максимально допустимое напряжение – это максимальное значение постоянного напряжения, приложенного к фоторезистору, при котором обеспечена заданная надежность при длительной работе;
Iсв – световой ток – ток, протекающий через фоторезистор при рабочем напряжении и воздействии потока излучения заданных интенсивности и спектрального распределения; Iт – темновой ток – ток, протекающий через фоторезистор при рабочем напряжении в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности; Ррас.тaх – максимально допустимая мощность рассеяния – максимальное значение мощности, рассеиваемой фоторезистором, при которой обеспечена заданная надежность при длительной работе; Rт– темновое сопротивление – сопротивление фоторезистора в отсутствие падающего на него излучения в диапазоне его спектральной чувствительности; К,– кратность изменения сопротивления – отношение сопротивления фоторезистора при воздействии на него потока излучения заданных интенсивности и спектрального распределения к его сопротивлению в отсутствие падающего на него излучения; тсп – постоянная времени по спаду тока –время, в течение которого световой ток уменьшается до значения 37 % от максимума при затемнении фоторезистора; тн – постоянная времени по нарастанию тока – время, в течение которого световой ток увеличивается до значения 63 % от максимума при прямоугольной форме единичного импульса света; к„ах – максимум спектрального распределения – длина волны, соответствующая максимуму, спектральной чувствительности фоторезистора.
Основные характеристики фоторезисторов – спектральная, люкс-амперная, вольт-амперная.
Спектральная характеристика отображает чувствительность фоторезистора при действии на него излучения определенной длины волны. Чувствительность зависит от свойств материала светочувствительного элемента. Сернисто-кадмиевые фоторезисторы имеют высокую чувствительность в видимой области спектра, селенисто-кадмиевые – в красной и ближней инфракрасной областях, сернисто-свинцовые – в инфракрасной области спектра.
Люкс-амперная характеристика фоторезисторов показывает зависимость светового тока, протекающего через фоторезистор, от освещенности. Полупроводниковые фоторезисторы имеют обычно нелинейные люкс-амперные характеристики.
Вольт-амперная характеристика фоторезисторов показывает зависимость светового тока, протекающего через фоторезистор, от приложенного к нему напряжения. Вольт-амперная характеристика фоторезисторов линейна в широком интервале напряжения. Линейность нарушается только при малых значениях напряжения.
Зависимость светового тока фоторезистора от изменения окружающей температуры определяется температурным коэффициентом светового тока, который выражается формулой:
где IСВ1 — световой ток при окружающей температуре Т1, IСВ2 – световой ток при окружающей температуре Т2, Т2 – Т1 – заданный интервал окружающей температуры.
Кратность изменения сопротивления фоторезисторов вычисляют по формуле:
Темповой ток измеряют при Токр.ср.= +20 °С, постоянном напряжении, равном Up, и полном затемнении фоторезистора, а световой – при освещенности 200 ± 20 лк. Значение IСВ снимают после воздействия света в течение 15 с, а IТ после выдержки фоторезистора затемненным в течение 30 с.
Полупроводниковые фоторезисторы допускают работу и в импульсном режиме, при условии непревышения десятикратной максимальной мощности рассеяния фоторезистора в импульсе, при средней мощности, не превышающей допустимого значения. Фоторезисторы могут работать при большой интенсивности света при условии непревышения допустимого значения мощности рассеяния.
Фоторезисторы обозначаются буквами СФ (сопротивление фоточувствительное) или ФС (старое обозначение). Буквами А, К, Д обозначается материал, используемый для светочувствительного элемента (А – PbS\ К – CdS; Д – CdSe). В новом обозначении буквы заменены цифрами 1,2 или 3 соответственно после индекса СФ. Цифры, стоящие после дефиса, характеризуют конструктивное оформление фоторезистора. Перед цифрой может стоять буква Г, обозначающая герметизированную конструкцию.
КОНДЕНСАТОРЫ
Общие сведения
Электрический конденсатор – это элемент электрической цепи, предназначенный для использования его емкости. Конденсатор представляет собой систему из двух электродов (обкладок), разделенных диэлектриком, и обладает способностью накапливать электрическую энергию.
Емкость конденсатора – электрическая емкость между электродами конденсатора (ГОСТ 19880-74), определяемая отношением накапливаемого в нем электрического заряда к приложенному напряжению. Емкость конденсатора зависит от материала диэлектрика, формы и взаимного расположения электродов C=q/U, где С – емкость, Ф; q – заряд, Кл; U – разность потенциалов на обкладках конденсатора, В.
За единицу емкости в Международной системе СИ принимают емкость такого конденсатора, у которого потенциал возрастает на один вольт при сообщении ему заряда один кулон (Кл). Эту единицу называют Фарадой (Ф). Для практических целей она слишком велика, поэтому на практике используют более мелкие единицы емкости: микрофараду (мкФ), нанофараду (нФ) пикофараду (пФ). 1 Ф =106мкФ = = 109 нФ= 1012 пФ.
Классификация
В основу классификации конденсаторов положено деление их на группы по виду применяемого диэлектрика и по конструктивным особенностям, определяющим использование их в конкретных цепях аппаратуры. Классификация конденсаторов приведена на рис. 3.1.
Вид диэлектрика определяет основные электрические параметры конденсаторов: сопротивление изоляции, стабильность емкости, величину потерь и др. Конструктивные особенности определяют характерные области применения: помехоподавляющие, подстроечные, дозиметрические, импульсные и др.
Дальнейшее деление групп конденсаторов по виду диэлектрика связано с использованием их в конкретных цепях аппаратуры, назначением и выполняемой функцией, например, низковольтные и высоковольтные, низкочастотные и высоко частотные, импульсные и др.
В зависимости от назначения можно условно разделить конденсаторы на конденсаторы общего и специального назначения. Конденсаторы общего назначения используются практически в большинстве видов и классов аппаратуры. Традиционно к ним относят наиболее распространенные низковольтные конденсаторы, к которым не предъявляются особые требования. Все остальные конденсаторы являются специальными. К ним относятся: высоковольтные, импульсные, помехоподавляющие, дозиметрические, пусковые и др.
По характеру изменения емкости различают конденсаторы постоянной емкости, переменной емкости и подстроечные.
Из названия конденсаторов постоянной емкости вытекает, что их емкость является фиксированной и в процессе эксплуатации не регулируется.
Конденсаторы переменной емкости допускают изменение емкости в процессе функционирования аппаратуры. Управление емкостью может осуществляться механически, электрическим напряжением (вариконды) и температурой (термоконденсаторы). Их применяют для плавной настройки колебательных контуров, в цепях автоматики и т. п.
Емкость подстроечных конденсаторов изменяется при разовой или периодической регулировке и не изменяется в процессе функционирования аппаратуры. Их используют для подстройки и выравнивания начальных емкостей, сопрягаемых контуров, для периодической подстройки и регулировки цепей схем, где требуется незначительное изменение емкости.
Рис. 3.1. Классификация конденсаторов
Неизолированные конденсаторы (с покрытием или без покрытия) не допускают касания своим корпусом шасси аппаратуры. Напротив, изолированные конденсаторы имеют достаточно хорошее изоляционное покрытие (компаунды, пластмассы) и допускают касания корпусом шасси или токоведущих частей аппаратуры.
Уплотненные конденсаторы имеют уплотненную органическими материалами конструкцию корпуса.
Герметизированные конденсаторы имеют герметичную конструкцию корпуса, который исключает возможность сообщения окружающей среды с его внутренним пространством. Герметизация осуществляется с помощью керамических и металлических корпусов или стеклянных колб.
По виду диэлектрика также можно разделить конденсаторы с органическим, неорганическим, газообразным и оксидным диэлектриком, который является также неорганическим, но в силу особой специфики характеристик выделен в отдельную группу.