Мероприятия по увеличению устойчивости откосов.

1)Устранение причин,нарушаюших естестенную опору опору грунта(устр-о подпорных стен,прошивка оползневого участка,).

2)Осушение оползневого участка.(дренаж,вентиляция).

3)Регулирование естественных водооттоков.

4)Уменьшение градиента нагрузок.

52. Определение давления идеально сыпучего грунта (с ≠ 0) на вертикальную абсолютно гладкую подпорную стенку при го­ризонтальной засылке. На гори­зонтальную и вертикальную площадки этой призмы при трении

Мероприятия по увеличению устойчивости откосов. - student2.ru

Схемы для определения давления грунта на гладкую подпорную

стенку

a— идеально сыпучего; б — то же, с учетом равномерно распределенной нагрузки;в — обладающего сцеплением

о стенку, будут действовать главные напряжения σ1 (большее) и σз (меньшее).

На глубине z: Мероприятия по увеличению устойчивости откосов. - student2.ru ; Мероприятия по увеличению устойчивости откосов. - student2.ru .

Эпюра давления грунта на подпорную стенку будет треугольной (рис. 8.13, а). Площадь этой эпюры соответствует равнодействующей активно­го давления грунта Еа на подпорную стенку: Мероприятия по увеличению устойчивости откосов. - student2.ru с учетом, что z = H, получим Мероприятия по увеличению устойчивости откосов. - student2.ru

Точка приложения равнодействующей Еа находится в центре тяжести эпюры давления σ3.

Равнодействующая пассивного отпора при заглублении на величину Н конструкции, передающей давление на грунт, составит: Мероприятия по увеличению устойчивости откосов. - student2.ru .

53. Учет равномерно распределенной нагрузки, приложенной к поверхности грунта.

Пусть к поверхности грунта приложена равномерно распределенная нагрузка q (рис. 8.13,6). Действие этой нагрузки можно заменить действием слоя грунта толщиной h = q/γ

Значение σ3 на глубинах h и H+h : Мероприятия по увеличению устойчивости откосов. - student2.ru ; Мероприятия по увеличению устойчивости откосов. - student2.ru

По этим значениям построим эпюру активного давления на подпорную стенку и определим суммарное активное давление Еа как площадь трапеции с основанием АВ: Мероприятия по увеличению устойчивости откосов. - student2.ru

Верхняя треугольная часть эпюры не создает давления на стен­ку. Сила Еа приложена в центре тяжести эпюры а3.

54. Определение давления связного грунта (φ≠ 0 и с ≠0) на вертикальную абсолютно гладкую подпорную стенку при го­ризонтальной засыпке.

всесторонние силы связности pe = c*ctgφ, которые приложим к поверхности грунта и по контакту грунт — подпор­ная стенка (рис. 8.13,в).

Мероприятия по увеличению устойчивости откосов. - student2.ru ; следовательно Мероприятия по увеличению устойчивости откосов. - student2.ru

Для определения суммарного активного давления целесооб разно построить треугольную эпюру давления σз, приняв z=H, и прямоугольную эпюру давления интенсивностью σс3. Геометрическим суммированием (наложением) получим эпюру активного давления на подпорную стенку в виде заштрихованного треугольника (см. рис. 8.13,в). В верхней части стенки грунт теоретически не давит, а удерживает подпорную стенку.

57. Расчет осадки фундамента методом послойного суммирования.

производится исходя из условия S<SU,

где S - величина конечной осадки отдельного фундамента, определяемая расчетом;

Su- предельная величина деформации основания фундаментов зданий и сооружений, принимаемая по табл. Б.1 [2]

Для определения осадки фундамента составим схему(см рис. 7.1) Ординаты эпюры σzqiвычисляются в характерных горизонтальных сечениях (на нижней границе каждого слоя, под подошвой фундамента, на уровне грунтовых вод) по формуле:Мероприятия по увеличению устойчивости откосов. - student2.ru

где γi- удельный вес i - го слоя грунта, кН/м3; hi – толщина i- го слоя грунта,

Для водонасыщенных слоев грунта, расположенных ниже уровня грунтовых вод, необходимо определять удельный вес грунта с учетом взвешивающего действия воды.

Для построения эпюры дополнительных вертикальных напряжений тол­ща грунта ниже подошвы фундамента в пределах глубины, приблизительно равной четырехкратной ширине фундамента, разбивается на ряд слоев мощностью не более 0,4b

Величина дополнительного вертикального напряжения для любого сечения ниже подошвы фундамента вычисляется по формуле

Мероприятия по увеличению устойчивости откосов. - student2.ru

где а - коэффициент, учитывающий изменение дополнительного вертикаль­ного напряжения по глубине и определяемый по табл П-16[1] в зависимо­сти от Мероприятия по увеличению устойчивости откосов. - student2.ru (Z - глубина рассматриваемого сечения ниже подошвы фундамента, b - ширина фундамента) и Мероприятия по увеличению устойчивости откосов. - student2.ru (l - длина фундамента);

Рср- среднее фактическое давление под подошвой фундамента, кПа;

σzq0- вертикальное напряжение от собственного веса грунта на уров­не подошвы фундамента от веса вышележащих слоев, кПа.

Построив эпюры σzq и σzpiопределяtv нижнюю границу сжимаемой (активной) зоны грунта, которая находится на глубине Нсниже подошвы фундамента, где Мероприятия по увеличению устойчивости откосов. - student2.ru .

Осадка отдельного фундамента на основании, расчетная схема кото­рого принята в виде линейно-деформируемого полупространства с услов­ным ограничением глубины сжимаемой толщи, определяется по формуле

Мероприятия по увеличению устойчивости откосов. - student2.ruгде β- коэффициент, равный 0,8; n- число слоев, на которое разделена по глубине сжимаемая толща основания; hi - толщина i - го слоя грунта, см;σzpi- среднее дополнительное (к бытовому) напряжение в i - ом слое грунта, равное полусумме дополнительных напряжений на верхней и нижней границах i- го слоя, кПа;Еi-модуль деформации i-го слоя, кПа.

Метод эквивалентного слоя.

Во многих случаях осадки фундаментов можно рассчитывать простым методом эквивалентного слоя, разработанным Н.А. Цытовичем. Основные допущения этого метода при мощном слое однородного грунта: грунт однороден в пределах полупространства; грунт представляет собой линейно деформируемое тело; деформация грунта в пределах полупространства принимаются по теории упругости. Эквивалентным слоем грунта наз-ся слой, осадка которого при сплошном нагружении в точности равна осадке фундамента на мощном массиве грунта.S = hэ*mvm *Р . hэ = Аvw*b,Произведение Аvw*b,можно рассматривать как толщину эквивалентного слоя hэ, осадка поверхности которого при сплошной нагрузке равна осадке фундамента. Произведение Аvw,наз-ся коэф. эквивалентного слоя для абсолютно жестких фундаментов .Mvm = 1/2ha (Σhi*mvi*zi); mvi = Bi/Ei; pi = 1-2V2/1-V.

Т.к. S зависит в большей степени от деформации верхних слоев грунта, залегающих на небольшой глубине под подошвой фундамента, чем от деформации подстилающих слоев, Н.А.Цытович считает возможным определять значение mvm только для активной зоны, а напряжение в пределах этой зоны принимать распределенными по эквивалентной треугольной эпюре

Мероприятия по увеличению устойчивости откосов. - student2.ru

59.Развитие осадок во времени.Опты строительства на плевато-глинистых грунтах показывает что осадки происходят не мгновенно,а развиваються постепенно.в некоторых случаях несколько лет,десятелетий и даже столетий.В то же время осадки на песчаных грунтах происходят в основном во время строительства.Медленое нарастание осадок пылевато-глинистых грунтах связано с тем,что при полном заполнении пор водой добиться уменьшения объема пор можно только путем вытеснения воды.Однако вследствии незначительной водопроницаемости пылевато-глинистых грунтов процесс отжатия поровой вод происходит очень медленно.Таким образом если необходимо определить осадку полностью насышенного пылевато глинистого грунта,необходимо рассмотреть его деформацию во времени в результате фильтрационной консолидации(уплотнение,связанное с выдавливанием воды из пор).также существует вторичная консолидация(объсняеться ползучестью пылевато-глинистых грунтов,которое связано с ползучестью тонких тонких пленок воды,окружающих твердые частицы,с ползучестью цементирующего вешества в точках контактовотдельных частиц).

Наши рекомендации