Итого за семестр: 60 часов

Содержание дисциплины

1.4.1 Лекционные занятия, их содержание и объем в часах

№ недели	Тема	Кол-во часов
	Физические основы полупроводников. Полупроводниковые материалы. Электронно-дырочный переход и его свойства. ВАХ р-n-перехода
	Полупроводниковые диоды: выпрямительный, стабилитрон, варикап, диоды Шоттки, туннельные диоды, фотодиод, светодиод. Аналитическое выражение ВАХ диода
	Тиристор – управляемый полупроводниковый прибор с несколькими p-n-переходами. ВАХ тиристора и статические параметры прибора
	Биполярные транзисторы: p-n-p и n-p-n. Принцип усиления и схемы включения транзисторов. Классификация приборов и их параметры. h-параметры транзистора
	Полевые транзисторы: с управляющим p-n-переходом, со встроенным и с индуцированным каналом. Устройство, принцип действия, параметры и статические характеристики полевых транзисторов. Сравнительная оценка полевых и биполярных транзисторов
	Построение усилительных каскадов: однокаскадные усилители на биполярном и на полевом транзисторах. Назначение элементов усилителя. Понятие обратной связи. Выбор режима работы по постоянному току. Основные параметры усилителя
	Многокаскадные усилители: с конденсаторной связью, с трансформаторной связью, с непосредственной связью между каскадами. Принципы построения многокаскадных усилителей. Основные параметры
	Усилители постоянного тока: назначение, особенности построения, принцип действия. Дифференциальный усилитель
	Усилители мощности: назначение, принцип действия, особенности построения
	Избирательные усилители: назначение, принцип действия, особенности построения
	Вторичные источники питания: классификация, назначение, принципы построения, структурная схема, назначение функциональных узлов
	Выпрямители: классификация (однополупериодные, двухполупериодные; однофазные, трехфазные; управляемые и неуправляемые). Использование сглаживающих фильтров. Основные параметры. Применение.
	Стабилизаторы напряжения. Параметрические стабилизаторы. Компенсационные стабилизаторы. Назначение, принцип действия, основные параметры.
	Электронные генераторы и формирователи импульсов. Основные схемы и принципы работы генераторов гармонических колебаний. Понятие о релаксационных автогенераторах (генераторах несинусоидальных колебаний): мультивибраторах (генераторах прямоугольных импульсов)
	Микроэлектроника. Понятие интегральной схемы (ИС). Классификация интегральных схем: по функциональной сложности (ИС, СИС, БИС, МБИС), по технологии изготовления (полупроводниковые, совмещенные, гибридные и пленочные), по функциональному назначению (цифровые и аналоговые)
	Всего за семестр

1.4.2 Лабораторные работы, их содержание и объем в часах

№	Тема	Кол-во часов
	Исследование свойств п-р-перехода на примере полупроводниковых диодов
	Исследование биполярного транзистора
	Исследование полевого транзистора с управляющим п-р-переходом
	Исследование однокаскадного усилителя на биполярном транзисторе
	Исследование однокаскадного усилителя на полевом транзисторе
	Исследование схем выпрямителей
	Всего за семестр

1.4.3 Самостоятельная работа, содержание и объем в часах

(СРС(п))

№	Тема	Кол-во часов
	Изучение электрофизических свойств полупроводниковых материалов. Носители заряда в полупроводнике, собственная и примесная электропроводность
	Понятие электронно-дырочного перехода, его основные свойства. п-р-переход в прямом и обратном включении. ВАХ п-р-перехода
	Полупроводниковые диоды: классификация, основные параметры, условное графическое обозначение на электрических схемах, маркировка
	Биполярные транзисторы: классификация, основные параметры, условное графическое обозначение на электрических схемах, маркировка
	Схемы включения транзисторов: ОЭ, ОК, ОБ. Расчет h-параметров транзистора
	Полевые транзисторы: классификация, основные параметры, условное графическое обозначение на электрических схемах, маркировка.
	Резисторы конденсаторы: система условных обозначений, ряды номиналов и допустимые отклонения от номиналов
	Конденсаторы: система условных обозначений, ряды номиналов и допустимые отклонения от номиналов
	Формирование электрической принципиальной схемы однокаскадного усилителя и ее расчет
	Расчет узлов усилительных устройств согласно заданию курсовой работы
	Формирование электрической принципиальной схемы выпрямителя и ее расчет
	Расчет узлов вторичного источника питания радиоаппаратуры согласно заданию курсовой работы
	Построение схемы генератора гармонических колебаний
	Классификация микросхем и их условные обозначения
	Всего за семестр

1.4.4 Самостоятельная работа студентов, содержание и объем в

часах (СРС)

Самостоятельная работа студентов включает:

- выполнение курсовой работы: ИДЗ (индивидуальные домашние задания)

- подготовка к выполнению и защите лабораторных работ (тесты, устный коллоквиум)

- проработка тестов то текущим темам

- подготовка к текущим рубежным и итоговым контролям

- самостоятельное изучение тем, невошедших в аудиторные часы

1) ИДЗ (индивидуальные домашние задания) выполняются в соответствии с вариантом указанным преподавателем в методическом пособии по выполнению курсовой работы и контролируются преподавателем на СРС(п):

№	Выполненная работа	Номер раздела	Кол-во баллов	Неделя выполнения
	Получение задания на курсовую работу	-	-
	Подбор литературных источников, составление библиографического списка		-
	Анализ существующих способов решения и формирование структурной схемы устройства		-
	Расчет электрической принципиальной схемы устройства		-
	Моделирование электроической принципиальной схемы на ПЭВМ и описание принципа действия	4,5	-
	Оформление курсовой работы	-	-

2) Подготовка к тестовому контролю проводится самостоятельно, тестовый опрос проводится в часы лабораторных занятий. Банк тестовых вопросов предоставляется согласно календарному плану освоения дисциплины.

№	Тема	Номер теста	Кол-во баллов	Неделя выполнения
	Исследование свойств п-р-перехода на примере полупроводниковых диодов	Тест №1
	Исследование биполярного транзистора	Тест №2
	Исследование полевого транзистора с управляющим п-р-переходом	Тест №3
	Исследование однокаскадного усилителя на биполярном транзисторе	Тест №4
	Исследование однокаскадного усилителя на полевом транзисторе	Тест №5
	Исследование схем выпрямителей	Тест №6

3) Коллоквиум (устный опрос) проводится при защите лабораторных работ. Перечень вопросов для защиты лабораторных работ приведен ниже:

1 Нарисуйте ВАХ диода и объясните на ее примере свойства р-п-перехода. Запишите аналитическое выражение ВАХ идеального диода.

2 Укажите на ВАХ стабилитрона рабочий участок. Назовите основные параметры стабилитрона.

3 В каком направлении смещают р-п-переход светодиода в рабочем включении?

4 Объясните конструкцию биполярного транзистора и назначение его электродов.

5 Какие схемы включения биполярного транзистора используются на практике?

6 Что называют входными и выходными характеристиками транзистора?

7 Какова взаимосвязь между токами эмиттера, коллектора и базы транзистора?

8 Что такое h-параметры транзистора?

9 Что такое схема замещения транзистора и для каких целей она используется?

10 Какова взаимосвязь напряжений между электродами транзистора?

11 Покажите на экспериментальных графиках вольт-амперную характеристику эмиттерного перехода.

12 Покажите на экспериментальных графиках вольт-амперную характеристику коллекторного перехода.

16 Объясните назначение элементов в усилителе.

17 Какие параметры транзистора ограничивают рабочую область его выходных характеристик?

18 Как выбирается точка покоя транзистора?

19 Как влияет сопротивление нагрузки на коэффициент усиления по напряжению?

20 Как влияет входное сопротивление усилителя на коэффициент усиления по напряжению?

21 Какие элементы схемы определяют нижнюю и верхнюю граничные частоты?

2 РАСЧЕТ ТРАНЗИСТОРНЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ