Расчет конструкции теплоотвода для размещения двух транзисторов
Исходя из 
, зададимся размерами основания 
см, 
см и его толщиной 
мм.
Тепловой коэффициент проектируемого радиатора
Поскольку транзисторы марки КТ816А(КТ817А) имеют основание в виде прямоугольника, то для проведения дальнейших расчётов находим радиус эквивалентной окружности:
Определяем коэффициенты для дальнейших расчётов:
(В качестве материала радиатора выбирается алюминий, имеющий теплопроводность λ = 170 Вт/м⋅ град).
Выбираем 
по ближайшим к полученным значениям 
и 
по табл. 2.2 [1]. В результате принимаем 
.
Определяем коэффициент теплоотдачи поверхности радиатора 
и коэффициент 
:
По известным 
и 
из графика (рис. 2.6 [1]) принимаем 
.
Определяем величину перегрева радиатора в области монтажа транзистора, среднеповерхностный перегрев радиатора и максимальную температуру теплоотвода:
Принимаем коэффициент 
в соответствии с таблицей 2.3 [1].
Вычисляем коэффициенты 
и 
(для неокрашенного радиатора: 
):
и суммарный коэффициент 
:
и эффективный коэффициент теплоотдачи ребристой поверхности радиатора:
По найденному значению 
определяем площадь ребристой поверхности радиатора:
Определим число рёбер 
, приняв 
и 
:
Определяем высоту рёбер:
3.2 Расчет конструкции радиатора на каждый из двух
параллельно включенных транзисторов
В этом случае мощность, рассеиваемая одним транзистором, будет 
, а площадь основания теплоотвода 
. Тогда зададимся размерами основания радиатора H = 5 см, D = 3 см и его
толщиной d2 = 3 мм.
Тепловой коэффициент проектируемого радиатора
Находим радиус эквивалентной окружности для транзисторов КТ816А (КТ817А)
Затем определяем коэффициенты:
Выбираем по ближайшим к полученным значениям и по табл. 2.2 [1]. В результате принимаем 
.
Определяем коэффициент теплоотдачи поверхности радиатора и коэффициент :
По известным 
и 
из графика (рис. 2.6 [1]) принимаем 
.
Определяем величину перегрева радиатора в области монтажа транзистора, среднеповерхностный перегрев радиатора и максимальную температуру теплоотвода:
Принимаем коэффициент в соответствии с таблицей 2.3 [1].
Вычисляем коэффициенты и (для неокрашенного радиатора: ):
и суммарный коэффициент :
и эффективный коэффициент теплоотдачи ребристой поверхности радиатора:
По найденному значению определяем площадь ребристой поверхности радиатора:
Определим число рёбер , приняв и :
Определяем высоту рёбер:
Сравнивая полученные результаты, можно определить объем теплоотвода. В случае общего для двух транзисторов радиатора габаритный
объем составляет
а для двух отдельных радиаторов
Таким образом, с точки зрения габаритного объема, в данном случае целесообразно применить общий теплоотвод для двух транзисторов.
Рис.3. Устройство теплоотвода транзистора