Рентгенограмма обычного транзистора, не прошедшего испытаний
И транзистора высокой надежности
Рис. 2
Цена нового транзистора, конечно, несколько выше, чем старого, но отношение его цены к продолжительности его жизни показывает его явные несоизмеримые ценовые преимущества перед обычным.
Результаты отбора и проведенных тестов доказывают, что продолжительность безотказной работы транзистора увеличена до такого уровня, когда система может работать безотказно на протяжении 30 лет и более. Такую надежность компонента можно обеспечить только при соответствующем отборе исходных материалов и последующей отбраковке. Здесь компания Semelab является законодателем процедур тестирования компонентов.
Характеристика надежности и справочные данные отдельных типов
полупроводниковых приборов
Т а б л и ц а 1 - Электрические параметры транзисторов при приемке и поставке
| Наименование параметра, (режим измерения), единица измерения | Буквен- ное обозна- чение | Норма | ||||
| 2П305А/ИУ | 2П305Б/ИУ | 2П305В/ИУ | 2П305Г/ИУ | Темпера-тура, °С | ||
| Напряжение затвор-исток, (Uси=10 В, Ic=5 мА), В | Uзи | от 0,2 до 1,5 | от 0,2 до 2,0 | от минус 0,5 до 0,5 | от минус 1,5 до минус 0,25 | |
| Крутизна характеристики, (Uси=10 В, Ic=5 мА, f=1000 Гц), мА/В | S | от 6 до 10 ∆ S= -35 % ∆ S= +50 % | от 6 до 10 ∆ S= -35 % ∆ S= +50 % | от 6 до 10 ∆ S= -35 % ∆ S= +50 % | от 6 до 10 ∆ S= -35 % ∆ S= +50 % | минус 60 |
| Напряжение отсечки, (Uси=7 В, Iс=1·10-2 мА), В | Uзи.отс | ≥ -6 | ≥ -6 | ≥ -6 | ≥ -6 | |
| Ток утечки затвора, (Uзи= -30 В, Uси=0), нА | Iз.ут | ≤1 | ≤0,001 | ≤1 | ≤1 | |
| Коэффициент шума (Uси=15 В, Iс=5 мА, f=250 МГц), дБ | Кш | ≤6,5 | ─ | ≤6,5 | ─ | |
| Входная емкость, (Uси=10 В, Iс=5 мА, f=10 МГц), пФ | С11и | ≤5,5 | ≤5,5 | ≤5,5 | ≤5,5 | |
| Проходная емкость, (Uси=10 В, Iс=5 мА, f=10 МГц), пФ | С11и | ≤0,8 | ≤0,8 | ≤0,8 | ≤0,8 |
Т а б л и ц а 2 - Предельно допустимые значения параметров электрических режимов эксплуатации транзисторов
| Наименование параметра, (условия измерения), единица измерения | Буквенное обозначение | Норма | Номер пункта примечания |
| Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, В | Uзи макс | ±30 | |
| Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, подложка, В | Uси макс | ||
| Максимально допустимый постоянный ток стока, мА | Iс макс | ||
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность, мВт от минус 60 °С до 40 °С при 125 °С | Рс макс | ||
| Максимально-допустимая температура перехода, °С | Тпер макс | ||
| П р и м е ч а н и я 1 Значение Uзи макс указано для диапазона температур от минус 60 °С до 40 °С. В интервале температур окружающей среды от 40 °С до 125 °С значение допустимого отрицательного напряжения на затворе Uзи макс снижается линейно на 1,3 В на 1 °С. 2 Для всего диапазона температур. 3 В интервале температур окружающей среды от 40 °С до 125 °С допустимая постоянная рассеиваемая мощность Р с.макс снижается линейно. |
Гамма-процентная наработка до отказа (Тγ) изделий при γ=99% в предельно допустимом режиме (при максимально допустимой температуре p-n перехода, равной 150 °С) не менее 50 000ч в пределах срока службы (Тсл) 25 лет.
Наработка транзисторов (tl) в облегченных режимах (при Uси ≤10 В,
Ic ≤ 6 мА, ТОКР.СР =65 ºС) не менее 100 000 ч. в пределах срока службы (Тсл) 25 лет.
Интенсивность отказов транзисторов при эксплуатации (lэ) 2´10 – 9 1/ч.
Список литературы:
1. http://do.gendocs.ru/docs/index-307421.html?page=7\
2. http://www.ngpedia.ru/id170225p1.html
3. http://kit-e.ru/articles/device/2005_08_204.php
4. «Расчет показателей надежности радиоэлектронных средств», С.М. Боровиков.
5. Справочник «Надежность электрорадиоизделий»