Оптическая элементная база

Активная элементная база на основе светодиодов Тест  
В1   Какие элементы называют светодиодами?
  О+ Светодиодом называют полупроводниковый диод на базе p–n либо гетероперехода, излучающий кванты света при протекании через него прямого тока.
  О Светодиодом называют полупроводниковый диод на базе p–n либо гетероперехода, излучающий кванты света при протекании через него обратного тока.
  О Светодиодом называют полупроводниковый диод, генерирующий когерентное излучение при пропускании через него электрического тока
  О Светодиодом называют полупроводниковый транзистор на базе n–p перехода, поглощающий кванты света при протекании через него обратного тока.
В2   Чем сопровождается излучательный переход электрона?
  О+ Излучательный переход электрона сопровождается генерацией кванта с длиной волны l = 1,23/DE и конкурирующими безызлучательными переходами через промежуточные уровни
  О Излучательный переход электрона сопровождается генерацией кванта с длиной волны l = 6,63/DE
  О Излучательный переход электрона сопровождается температурным, концентрационным и примесным тушением люминесценции
  О Излучательный переход электрона сопровождается поглощением фонона с длиной волны l = 1,76/DE
В3   Какие полупроводники относятся к таковым с прямозонной энергетической структурой?
  О+ GaAs, GaAlAs, GaAsP, GaSb, GaN, InGaAsP, InAs, InSb, PbS, PbSe, PbTe
  О Ge и Si
  О SiC
  О GaP AlAs, AlP
В4   Выберите неправильное утверждение
  О+ В прямозонных полупроводниках энергетический минимум зоны проводимости находится при k ≠ 0, так же, как и соответствующий минимум валентной зоны. В непрямозонных полупроводниках энергетический минимум зоны проводимости находится при k ≠ 0.
  О В непрямозонных полупроводниках энергетический минимум зоны проводимости находится при k ≠ 0.
  О В прямозонных полупроводниках энергетический минимум зоны проводимости находится при k = 0, так же, как и соответствующий минимум валентной зоны.
  О В зависимости от типа кристаллической структуры и характера химических связей в полупроводниках реализуется либо та, либо иная форма зависимости энергии электронов Е от волнового вектора k.
В5   Как обозначаются светодиоды?
  О+ Оптическая элементная база - student2.ru
  О Оптическая элементная база - student2.ru
  О Оптическая элементная база - student2.ru
  О Оптическая элементная база - student2.ru
В6   Для возникновения люминесценции необходимо выполнение условий
  О+ Все вместе
  О Используемый материал должен обладать дискретным спектром разрешенных электронных состояний (именно поэтому не наблюдается люминесценция металлов);
  О Конкретная схема энергетических уровней и вероятности переходов между ними должны обеспечивать возможность протекания трех процессов: 1) возбуждения электронов, 2) перехода их на центры излучения, 3) перехода в равновесное состояние с испусканием кванта;
  О Энергия квантов возбуждающего воздействия должна превышать метастабильный уровень (центр свечения), а вероятность излучательных переходов — превышать вероятность безызлучательных
В7   В какой области светодиодов происходит генерация оптического излучения?
  О+ Неравновесные носители распространяются от плоскости инжекции на расстояние, равное диффузионной длине, т.е. генерация квантов света будет происходить только в этой области (центры свечения)
  О При любом переходе электрона с высшего уровня на низший
  О При любом переходе электрона с низшего уровня на высший
  О  
В8   Принцип работы светодиода. Работа светодиода основана на
  О+ спонтанной рекомбинационной люминесценции избыточных носителей заряда, инжектируемых в активную область (базу) светодиода. В этом случае дырки из р-области и электроны из n-области движутся навстречу друг другу и рекомбинируют при попадании в область перехода с выделением фотонов (свечение в р-n переходе, находящемся под напряжением, приложенным в прямом направлении).
  О преобразовании оптического излучения на входе в электрический сигнал на выходе на основе фундаментального поглощения вблизи края запрещенной зоны
  О испускании света возбужденными электронами
  О квантовых переходах электронов «вверх» — в направлении увеличения их энергии
В9   Процесс введения в какую-либо область твердого тела неравновесных носителей называют
  О+ Инжекцией
  О Рекомбинацией
  О Стимуляцией
  О Накачкой
В10   Способы управления длиной волны излучения светодиода
  О+ Изменение композиционного состава материала активной зоны,
  О Комбинация контактирующих между собой материалов, изменение толщины активного слоя
  О Изменение ширины запрещенной энергетическая зоны, эВ
  О Изменение приложенного напряжения
В11   В качестве излучательной среды в светодиодах видимого диапазона необходимо использовать
  О+ прямозонные полупроводники с шириной запрещенной зоны 1,8–2,8 эВ
  О непрямозонные полупроводники
  О кристаллы с шириной запрещённой зоны более 4 эВ
  О полупроводники с шириной запрещённой зоны Eg = 0
В12   Отличительная черта излучения светодиода
  О+ некогерентность
  О монохроматичность
  О когерентность
  О лучевая направленность
В13   В основе работы светодиода лежит одно из следующих физических явлений
  О+ электролюминесценция
  О разряд в газовой среде
  О индуцированное излучение
  О тепловое излучение
В14   Светодиоды являются активной элементной базой для
  О+ Светоизлучающего элемента
  О Светоприёмного элемента
  О Усилителя мощности
  О Выпрямителя напряжения
В15   Светодиоды изготовляют на основе
  О+ полупроводниковых материалов
  О проводниковых материалов
  О изоляционных материалов
  О полимеров
     
  О+  
  О  
  О  
  О  
     

Наши рекомендации