Примесная электропроводность

Если в полупроводнике имеются примеси других веществ, то дополни­тельно к собственной электропровод­ности появляется еще примесная электро­проводность, которая в зависимости от рода примеси может быть электронной или дырочной. Например, германий, будучи четырехвалентным, обладает при­месной электронной электропровод­ностью, если к нему добавлены пяти­валентные сурьма (Sb), или мышьяк (As), или фосфор (Р). Их атомы взаимо­действуют с атомами германия только четырьмя своими электронами, а пятый электрон они отдают в зону проводи­мости. В результате добавляется неко­торое число электронов проводимости. Примеси,, атомы которых отдают элект­роны, называют донорами («донор» озна­чает «дающий, жертвующий»). Атомы доноров, теряя электроны, сами заря жаются положительно. На рис. 1.8 по­казано с помощью плоскостной схемы строения полупроводника, как атом до^ норной примеси (пятивалентной сурьмы), находящийся в окружении атомов германия, отдает один электрон в зону проводимости.

Полупроводники с преобладанием электронной электропроводности назы­вают электронными полупроводниками или полупроводниками п-типа. Зонная диаграмма такого полупроводника пока­зана на рис. 1.9. Энергетические уровни атомов донора расположены лишь не­много ниже зоны проводимости основ­ного полупроводника. Поэтому из каждо­го атома донора один электрон легко переходит в зону проводимости, и таким образом в этой зоне появляется допол­нительное число электронов, равное числу атомов донора. В самих атомах донора при этом дырки не образуются.

примесная электропроводность - student2.ru примесная электропроводность - student2.ru

Если же четырехвалентный герма­ний содержит примеси трехвалентных бора (В), или индия (In), или алюминид (А1), то их атомы отнимают электроны от атомов германия и в последних образуются дырки. Вещества, отбирающие электроны и создающие примесную дырочную электропроводность, на­зывают акцепторами («акцептор» озна­чает «принимающий»). Атомы акцептора, захватывая электроны, сами заряжаются отрицательно. Рис. 1.10 показывает схематически, как атом акцепторной при­меси, расположенный среди атомов гер­мания, захватывает электрон от соседне­го атома германия, в котором при этом создается дырка.



примесная электропроводность - student2.ru

Рис. 1.10. Возникновение примесной дырочной электропроводности

Полупроводники с преобладанием дырочной электропроводности называют дырочными полупроводниками или полу­проводниками р-типа (рис. 1.11). Энергетические уровни акцепторных атомов располагаются лишь немного выше валентной зоны. На эти уровни легко переходят электроны из валентной зоны, в которой при этом возникают дырки.

В полупроводниковых приборах используются главным образом полупроводники, содержащие донорные или акцепторные примеси и называемые примесными. При обычных рабочих температурах в таких полупроводниках все атомы примеси участвуют в создании примесной электропроводности, т. е. каждый атом примеси либо отдает, либо захватывает один электрон.

Чтобы примесная электропроводность преобладала над собственной, концентрация атомов донорной примеси Nд или акцепторной примеси Nа должна превышать концентрацию собственных носителей заряда. Практически при изготовлении примесных полупроводников значения Nд или Nа всегда во много раз больше, чем ni или pi. Например, для германия, у которого при комнатной температуре пг = pt= 1013 см~3, концентрации NA и Na могут быть равными 1015—1018 см~3 каждая, т.е. в 102—105 раз больше концентрации собственных носителей. В дальнейшем все числовые примеры мы будем при­водить для германия при комнатной температуре.

примесная электропроводность - student2.ru

Носители заряда, концентрация которых в данном полупроводнике преобладает, называются основными. Ими являются электроны в полупроводнике n-типа и дырки в полупроводнике р-типа. Неосновными называются носители заряда, концентрация которых меньше, чем концентрация основных носителей. Если примесная электропроводность - student2.ru то можно пренебречь концентрацией собственных носителей," т. е. электронов, и тогда примесная электропроводность - student2.ru . Например, для германия n-типа может быть примесная электропроводность - student2.ru . Ясно, что по сравнению с этим значением концентрацию собственных носителей пi = 1013 см-3 учитывать не нужно, так как она в 1000 раз меньше.

Концентрация неосновных носителей в примесном полупроводнике уменьшается во столько раз, во сколько увеличивается концентрация основных носителей. Таким образом, если в германии i-типа ni = pi= 1013 см 3, а после добавления донорной примеси концентрация электронов возросла в 1000 раз и стала пп = 1016 см-3, то концентрация неосновных носителей (дырок) уменьшится в 1000 раз и станет рn = 1010 см-3, т. е. будет в миллион раз меньше концентрации основных носи­телей. Это объясняется тем, что при увеличении в 1000 раз концентрации электронов проводимости, полученных от донорных атомов, нижние энерге­тические уровни зоны проводимости оказываются занятыми и переход элект­ронов из валентной зоны возможен только на более высокие уровни зоны проводимости. Но для такого перехода электроны должны иметь большую энер­гию, чем в собственном полупровод­нике, и поэтому значительно меньшее число электронов может его осущест­вить. Соответственно этому значительно уменьшается число дырок проводимости в валентной зоне. Оказывается, что всегда для примесного полупроводника п-типа справедливо соотношение:

примесная электропроводность - student2.ru

В нашем примере получилось: 1016-1010 = (1013)2 = 1026.

Сказанное о полупроводнике п-типа относится также и к полупроводнику р-типа. В нем примесная электропроводность - student2.ru и можно считать, что примесная электропроводность - student2.ru . Например, для германия р-типа может быть рр=1016 и пр = 1010 см~3. Для полупроводника р-типа также всегда справедливо соот­ношение:

примесная электропроводность - student2.ru

Рассмотренные примеры наглядно показывают, что ничтожно малое количество примеси существенно изменяет характер электропроводности и проводимость полупроводника. Действительно, концентрация примеси 1016 см-3 при числе атомов германия 4,4*1022 в 1 см3 означает, что добавляется всего лишь один атом примеси на четыре с лишним миллиона атомов германия, т. е. примесь составляет менее 10-4%. Но в результате этого концентрация основных носителей возрастает в 1000 раз и соответственно увеличивается проводимость.

Получение полупроводников с таким малым и строго дозированным содер­жанием нужной примеси является весьма сложным процессом. При этом исходный полупроводник, к которому добавляется примесь, должен быть очень чистым. Для германия посторонние примеси допускаются в количестве не более 10-8%, т.е. не более одного атома на 10 миллиардов атомов гер­мания. А для кремния посторонних примесей допускается еще меньше: они не должны превышать 10-11%.

Удельная проводимость примесных полупроводников определяется так же, как и для собственных полупроводни­ков. Если пренебречь проводимостью за счет неосновных носителей, то для полупроводников «-типа и р-типа можно соответственно написать

примесная электропроводность - student2.ru

Рассмотрим прохождение тока через полупроводники с разным типом электропроводности, причем для упрощения будем пренебрегать током неосновных носителей. На рис. 1.12, как и ранее, дырки изображены светлыми, а электроны — темными кружками. Знаки «плюс» или «минус» обозначают соответственно заряженные атомы кристаллической решетки. Под действием ЭДС источника в проводах, соединяющих полупроводник n-типа с источником, и в самом полупроводнике движутся электроны проводимости.

примесная электропроводность - student2.ru

Рис. 1.12. Ток в полупроводниках с электронной (а) и дырочной (б(б) электропроводностью

В соединительных проводах полупроводника р-типа по-прежнему движутся электроны, а в самом полупроводнике ток следует рассматривать как перемещение дырок. Электроны с отрицательного полюса поступают в полупроводник и заполняют пришедшие сюда дырки. К положительному полю­су приходят электроны из соседних частей полупроводника, и в этих частях образуются дырки, которые переме­щаются от правого края к левому.

В электротехнике принято условное направление тока от плюса к минусу. При изучении электронных приборов обычно удобнее рассматривать истинное направление движения электронов — от минуса к плюсу. Мы будем показывать, как и выше, это направление стрелкой с жирной точкой в начале, а условное направление тока — стрелкой без точки.

Наши рекомендации