Исследование транзистора и одиночных однокаскадных усилителей

Лабораторная работа №3

Цель работы: ознакомление с принципом работы биполярного транзистора; снятие его статических входных и выходных характеристик; исследование одиночных усилительных каскадов при включении транзистора с общим эмиттером (ОЭ) и с общим коллектором (ОК).

Описание лабораторной установки

На рис. 3.1 представлена схема лабораторного стенда. При помощи тумблеров B1…B16 можно собрать схему для снятия статических характеристик (рис. 3.2), для исследования усилительного каскада с общим эмиттером (рис. 3.3) или усилительного каскада с общим коллектором (рис. 3.4).

Рис. 3.1. Схема стенда

Исследуемый прибор – биполярный транзистор – питается постоянным напряжением ЕК от источника. Величину ЕК на выходе источника питания можно изменять резистором RП2. Вольтметр РV позволяет измерить напряжение ЕК. Этот же источник питания служит для подачи через тумблер B12 постоянного «= UВХ» или переменного синусоидального (50 Гц) «~ UВХ» сигналов на вход исследуемой схемы. Потенциометром RП1 можно изменять величину «= UВХ» или «~ UВХ». Положительный зажим источника питания соединен с корпусом. Следовательно, все постоянные напряжения в схеме относительно корпуса отрицательны.

Микроамперметр измеряет постоянный ток ΙВХ в цепи базы транзистора при снятии статических характеристик. Для того чтобы этим же прибором постоянного тока можно было измерить величину переменного тока, протекающего во входной цепи транзистора в случае исследования усилительных каскадов ОК и ОЭ, используются диоды VD1…VD4.

Задания по выполнению лабораторной работы

1. B схеме с ОЭ (рис. 3.2) снять и построить входные характеристики транзистора IБ = f(UБ) при ЕК = const. Напряжение ЕК контролировать с помощью вольтметра и в процессе снятия характеристики поддерживать его неизменным: в 1-м опыте ЕК = 0 В, во 2-м – ЕК = – 5 В, в 3-м – ЕК = -10 В . Произвести по 10 измерений тока базы IБ и соответствующего ему напряжения UБ в каждом опыте. Результаты измерений занести в таблицы (табл. 3.1-3.3).

Рис. 3.2. Схема для снятия статических характеристик

Таблица 3.1. Входные характеристики транзистора при ЕК = 0

IВХ, мкА
UВХ, В                    

Таблица 3.2. Входные характеристики транзистора при ЕК =–5 В

IВХ, мкА
UВХ, В                    

Таблица 3.3. Входные характеристики транзистора при ЕК =–10 В

IВХ, мкА
UВХ, В                    

2. В той же схеме снять и построить выходные характеристики IК = f(EК) при IБ = const. Ток базы IБ устанавливать равным 0, 10, 20, 40, 60...120 мкА. Выходное напряжение ЕК задавать от нулевого значения до 10 В. Результаты измерений занести в таблицу (табл. 3.4).

Таблица 3.4. Выходные характеристики транзистора

ЕК, В 0,2 0,3 0,5
при IБ1 = 0
IK, мА              
при IБ2 = 10 мкА
IK, мА              
при IБ3 = 20 мкА
IK, мА              
при IБ4 = 40 мкА
IK, мА              
при IБ5 = 60 мкА
IK, мА              
при IБ6 = 80 мкА
IK, мА              
при IБ7 = 100 мкА
IK, мА              
при IБ8 = 120 мкА
IK, мА              

3. В схеме каскада с ОЭ (рис. 3.3) снять и построить амплитудную характеристику каскада, т.е. зависимость выходного напряжения UВЫХ от уровня входного напряжения UВЫХ = f(UВХ) при постоянном сопротивлении нагрузки RН. Результаты измерений занести в таблицу (табл. 3.5).

Установить ЕК, RК, RН согласно табл. 3.6.

Определить величину максимально допустимого входного напряжения, при котором отсутствуют искажения в форме выходного напряжения.

Таблица 3.5. Амплитудная характеристика усилителя

UВХ, В                    
UВЫХ, В                    

Таблица 3.6. Исходные данные для исследования схемы

Бригады 1-я 2-я 3-я 4-я
ЕК, B
RК, кОм
RН, кОм 4,3 4,3 5,3

Рис. 3.3. Схема усилительного каскада с общим эмиттером

4. В той же схеме (рис. 3.3) определить коэффициенты усиления по току, напряжению и мощности для различных сопротивлений нагрузки и построить зависимости: Кi = f(RН); Кu = f(RН); КР = f(RН).

Значения ЕК и RК принять, как в п. 3. Входное напряжение поддерживать постоянным на уровне 20 мВ. Измеренные величины выходного напряжения UВЫХ и тока Id занести в таблицу (табл. 3.7). Правила определения коэффициентов усиления Кi, Кu, КР показаны в методических указаниях.

Таблица 3.7. Коэффициенты усиления по току, напряжению и мощности

RН, кОм 5,3 4,3
Id, mА        
UВЫХ, В        
Кi        
Кu        
КP        

5. Определить режим работы каскада ОЭ по постоянному току, т.е. Uбо, Uко (относительно эмиттера), Iбо. Значения ЕК и RК установить, как в п. 3.

6. В схеме с ОК (рис. 3.4) установить значения ЕК, RЭ и RН согласно табл. 3.8.

Таблица 3.8. Исходные данные

Бригады 1-я 2-я 3-я 4-я
ЕК, В RЭ, кОм
2,1 1,1
RН, кОм 5,3 4,3 4,3

Рис. 3.4. Схема усилительного каскада с общим коллектором

При максимальном выходном напряжении (видимые искажения формы) замерить UВЫХ, Id и IВХ, а также определить коэффициенты Кi, Кu, Кр.

7. В той же схеме снять и построить амплитудную характеристику, т.е. зависимость UВЫХ = f(UВХ).

Значения RК, RЭ и RН установить, как в п. 6.

8. В схеме каскада с ОК (рис. 3.4) определить зависимость коэффициентов усиления по току, напряжению и мощности от величины нагрузки.

Для создания режима RН = ∞ тумблер B16 должен быть отключен. Входное напряжение поддерживать постоянным и равным 0,2 В. Величину ЕК установить как в п. 6; RЭ задается преподавателем.

Методические указания по выполнению лабораторной работы

К пункту 1.

Для сборки схемы (см. рис. 3.2) тумблер B12 установить в положение «= Uвх», тумблеры B1, B3, В4, В6, В9 и B11 замкнуты, тумблеры В2, В5 и В7 разомкнуты. Положение тумблера B14 – безразличное.

Входное напряжение измеряется электронным вольтметром. При снятии входных характеристик за аргумент удобнее принять ток IВХ, т.к. его приращения очень резко зависят от изменения напряжения UВХ. Но построение характеристик производить, приняв IВХ за функцию.

К пункту 2.

Положение тумблеров аналогично п. 1. Изменяя ЕК на уровнях 0; 0,5; 1; 2; ...10 В, снять показания миллиамперметра IК для заданных IВХ. Перед каждым измерением необходимо подрегулировать ток базы транзистора.

К пункту 3.

Для сборки схемы с ОЭ тумблер B14 установить в положение «ОЭ», тумблер B12 – в положение «~ UВХ», тумблеры B1, В6 разомкнуты, тумблеры B2, В5, В7, В9, B11, B16 замкнуты. Тумблерами ВЗ, В4, В8, В10 выбирается необходимое значение RК и RН. При этом следует учесть, что включенное положение тумблера соответствует закорачиванию резистора.

Входное напряжение UВХ задается от сети, имеет частоту 50 Гц. Устанавливать его уровень выше 25 мВ не следует, т.к. есть опасность возникновения искажений из-за смещения выходного сигнала в область нелинейных начальных участков выходных характеристик транзистора.

Постоянство соотношения выходных параметров к входным (т.е. постоянство величины коэффициента усиления) сохраняется до тех пор, пока не возникают нелинейные искажения вследствие среза амплитуды выходного сигнала. Таким образом, максимально допустимая величина входного напряжения UВХ определяется по появлению искажений формы выходного напряжения. Форма выходного напряжения контролируется с помощью осциллографа, подключенного к нагрузке.

К пункту 4.

Для вычисления Кi, Кu и КР необходимо снять зависимости UВЫХ = f(RН) и IВХ = f(RН).

Выставив необходимую величину ЕК потенциометром RП2

и набрав переключателями ВЗ, В4 требуемое значение RК, установить с помощью потенциометра RП1 UВХ = 20 мВ. Измерение UВХ произвести выносным вольтметром. Затем переключить этот же вольтметр на выход усилителя (параллельно RН). При помощи тумблеров В8, В10 изменять RН на трех уровнях: 1 кОм; 4,3 кОм; 5,3 кОм. По полученным значениям UВЫХ, IВХ для каждого уровня RН определяются Кi, Кu и КР по следующим формулам.

Коэффициент усиления по току

,

где .

Ток ΙВХ определяется по величине выпрямленного тока Id, фиксируемого микроамперметром, по формуле ΙВХ = 1,11Ιd. Остальные коэффициенты определяются по формулам:

КР = Кi · Кu;

Кu = .

К пункту 5.

Выносным вольтметром постоянного тока замерить потенциал коллектора UК относительно корпуса и падение напряжения на резисторах Rб2 и Rэ1. Записать значение тока покоя IКО по показанию миллиамперметра.

Постоянное напряжение покоя на коллекторе (относительно эмиттера) определяется из выражений

UКO = UК – Uэ1 или UКO = EК – ΙКO(RК + Rэ1).

Наши рекомендации