Биполярлы транзистор. Транзистордың Н-параметрлері

Транзистор–электртүрлендiргiш аспап, оның сигналды түрлендiру, генерациялау және күшейту қабiлетi қатты денедегi заряд тасушылардың қозғалысымен анықталады, атап айтқанда инжекция және экстракция құбылыстар арқылы зарядтар тасымалданады.Заряд тасушыларға байланысты транзистор биполяр және униполяр болып екiге бөлiнедi. Бiрiншiсiнде тоқты негiзгi және негiзгi емес тасушылар, екiншiсiнде тек негiзгi тасушылар құрайды. Негiзгi тасушыларға электр өрiсi бiр бағытта, ал негiзгi емес заряд тасушыларға керi бағытта әсер етеді.

n+1

p

n2

Б

Э

К

Б

К

Э

Б

К

Э

Транзистордағы p-n- өткелдерiнiң аумағы бiрдей емес. n₁⁺-p- өткелiнiң аумағы n₂ –p өткелiне қарағанда айтарлықтай кiшi болып келедi .Сонымен қатар қоспа атомдардың концентрациясы транзистордың әр аймағында әртүрлi, яғни транзистордың құрылымы ассиметриялық түрде жасалынады. Кристалдың бiр шетi екiншi шетiне қарағанда өте күштi легiрленген. Бiрiншiсi эмиттер, ал екiншiсi коллектор аймақтары деп аталады. Коллектор аймағы айтарлықтай үлкен Эмиттер мен коллектор арасындағы база аймағы заряд тасушылардың қозғалысын реттеп, басқарып отыратын электрод болып саналады. База аймағындағы негiзгi тасушылардың концентрациясы коллектордiкiнен төмендеу. Транзистордың жұмыс iстейтiн активтi аймағы эмиттердiң төменгi жағы болып табылады. Келесі сызықшаланған аймақ –пассивтi болып табылады. Пассивтi аймақтарды жуықтап жұмыс iстейтiн база мен коллектор қабаттарына тiркелiнген резисторлармен модельдеуге болады

Транзистордың горизонталь көрiнiсi

Транзистордың негiзгi қасиеттерi осы база аймағындағы процестермен анықталады. Егер база аймағы бiртектi болса, онда тасушылар таза диффузиялық механизм арқылы қозғалады. Ал база бiртектi болмаса, онда сол ортада iшкi электр өрiсi пайда болып, тасушылар диффузиялық және қосымша дрейф механизмiмен қозғалады. Дрейфтi транзисторлар соңғы кезде көбiрек қолданылады.

Н параметрлері.Транзистордың 3 электроды болғандықтан, оның бiреуi кiрiсi мен шығыс тiзбектерiне ортақ болу керек. Сондықтан транзисторды төртполюстiк есебiнде қарастырған жөн

Төртполюстiк екi кiрiс екi шығыс кернеу және ток шамаларымен сипатталады. Осы төрт шаманың өзара байланысы:

түрде жазылады.

Егер төртеудiң екеуi аргумент ретiнде қарастырылса, қалған екеуi олардың функциясы болып табылады. Транзистор үшiн I₁ мен U₂ аргумент ретiнде алынғаны қолайлы. Сонда транзистор үшiн төртполюстiктiң теңдеулерi:

. түрде жазылады.

H- параметрлерінiң физикалық мағынасы

-шығыс тiзбегi айнымалы ток бойынша қысқа тұйықталған жағдайдағы транзистордың кiрiс кедергiсi.

- кiрiс тiзбегi айнымалы ток бойынша ажыратылған жағдайдағы кернеудiң керi жеткiзу коэффициентi.

-шығыс тiзбегi қысқа тұйықталғандағы токтың тура жеткiзу коэффициентi.

- кiрiс тiзбегi ажыратылғандағы шығыс өткiзгiштiгi.