Качество подложек после резки

- Шероховатость поверхности Rz :порядка нескольких мкм; Толщина нарушенного слоя: > 10 мкм,

- Значительныq разброс толщины.

Схема снятия фаски по периметру подложки Схема хим–мех полирования подложек

Качество подложек после резки - student2.ru Качество подложек после резки - student2.ru

Двухсторонняя шлифовка (поперечный разрез) Двухсторонняя шлифовка (вид сверху)

Качество подложек после резки - student2.ru Качество подложек после резки - student2.ru

Параметры пластин, контролируемые после механических обработок

1. Внешний вид поверхности

2. Совершенство геометрической формы: – толщина; – разброс толщины в партии и в пределах одной пластины; – непараллельность; – неплоскостность; – прогиб.

3. Шероховатость4. Толщина нарушенного слоя

Технология очистки полупроводниковых пластин.

Качество подложек после резки - student2.ru Схема обработки свободным абразивом

1 – полупроводниковый материал; 2 – обрабатывающий инструмент; 3 – зерна абразива; 4 – конические трещины; 5 – выколы; 6 – абразивная суспензия.

Абразивная суспензияпредставляет собой жидкость с взвешенными в ней частицами абразива.

Жидкость в суспензии выполняет следующие функции:

1. Распределение зерен абразива по поверхности обрабатывающего инструмента;

2. Удаление разрушенных зерен и частиц полупроводника;

3. снижение трения и отвод теплоты;

4. смягчение ударно–вибрационных усилий;

5. ускорение удаления материала за счет расклинивающего действия в микротрещинах.

Качество подложек после резки - student2.ru Структура нарушенного слоя

d1 – рельефный слой;

d2 – трещиноватый слой;

d3 – напряжённый слой

Характерные особенности обработки связанным абразивом

1. По сравнению с обработкой свободным абразивом достигается примерноодинаковый класс чистоты поверхности.

2. Большая производительность

3. Меньшая толщина нарушенного слоя.

=Методы очистки поверхности подложек

Зависят от характера загрязнений поверхности.

Примеси на поверхности подложки делят на:

- Физические загрязнения; - Химические загрязнения.

Особенности физических загрязнений

1. Обусловлены физической адсорбцией и слабо связаны с поверхностью полупроводника.

2. Физическая адсорбция загрязнений к поверхности происходит в результате межмолекулярного взаимодействия, обусловленного: - силами Ван–дер–Ваальса;

- электростатической поляризацией (кулоновским взаимодействием заряженных частиц).

3. Адсорбированные частицы могут преодолевать силы адсорбции десорбироваться (т.е. физические загрязнения носят обратимый характер).

Особенности химических загрязнений

- химические загрязнения связаны с поверхностью подложки силами хемосорбции;

- образуются прочные ковалентные или ионные связи с поверхностью (необратимый характер).

Наши рекомендации