Расчет формирователя управляющего сигнала
В качестве формирователей управляющего сигнала для тиристора можно применить разнообразные электронные устройства, удовлетворяющие следующим основным требованиям:
- обеспечивать гальваническую развязку цепи управления системы формирования управляющего сигнала;
- сформированный сигнал должен быть импульсным.
- фронт импульса должен быть крутым, обеспечив скорость нарастания тока управления не менее 1 А/мкс.
- длительность импульса для надежного отпирания тиристора должна быть на 20 – 30 процентов больше его времени включения.
Перечисленным требованиям удовлетворяет схема ждущего блокинг – генератора, приведенного на рисунке 5:
Рис. 5
Роль элемента, разделяющего источник запускающих импульсов и БГ, выполняет усилитель запускающих импульсов, собранный на транзисторе VT3. В исходном состоянии он заперт.Запуск БГ осуществляется импульсами положительной полярности, амплитуда которых превышает напряжение запирания транзистора VT1.
Для расчета БГ необходимо прежде всего выбрать тип тиристора, поскольку параметры его входной цепи задают выходные параметры БГ.
Основываясь на данных, приведенных в условии (IН = 120 А, UН = 100 В) выберем тиристор VS1 типа Т141-80 со следующими параметрами:
Максимальный ток в откр. сост.=125А
Ток отпирания IGT=0,15A
Отпирающее напряжение UGT=5В
Время вклtgt=10мкс
Времявыкл=30мкс
Температура перехода =-50 ÷ +1250С
Указанные параметры определяют выходные данные БГ:
длительность генерируемого импульсаτИ = (1,2 1,3)tgt = 1,25 .10 = 12,5 мкс.
амплитуда импульса Um = UGTm = 5В.
период повторения импульса Т = 1/f = 1/50 = 0,02 мс.
сопротивление нагрузки RH = = = 26,6 Ом
На основании этих данных выберем импульсный трансформатор типа ТИ234 со следующими параметрами:
Соотношение числа витков обмоток-2:2:1
Длительность импульса=20мкс
Амплитуда импульса на первичной обмотке=30В
Частота следования импульсов =5кГц
Длительность фронта выходного импульса=1,2мкс
Расчет БГ начнем с выбора транзистора VT3. Учитывая специфику работы транзистора и мощность выходного сигнала генератора, выберем транзистор средней мощности импульсный, типа n – p – n.
При этом максимальное напряжение между коллектором и эмиттером должно удовлетворятьусловию: UКЭ 2 ЕК, где ЕК = 1,2 =1,2 =1,2 .5. 2= 12 В.По стандартному ряду примем ЕК =12В. Тогда UКЭ 2 .12 =24 В.
Данным требованиям удовлетворяет транзистор КТ314А-2со следующими параметрами:
Максимальное напряжение UКЭm=45В
Допустимый коллекторный ток IKm,=0,06А
Коэффициент передачи β=50
Граничная частота коэффициента передачи тока ОЭ fβ =80МГц
Граничная частота коэффициента передачи тока ОБ fα =4080МГц
Емкость коллекторного перехода СК =10пФ
Постоянная времени цепи обратной связиτК=80нС
Напряжение насыщения UКЭнас, =0,3В
Ток насыщения IКнас, =0,06А
Входное сопротивление=30Ом
Для унификации принимаем транзистор VT3 таким же как и VT4.
Длительность фронта, генерируемого БГ импульса равна:
τФ =2,3 .nБ .[( ],
где nБ = = .
τФ =2,3 . 1 . [( ] = 7,2 . 10-9 с.
Определим емкость конденсатора С6:
τИ =
где L – индуктивность первичной (коллекторной) обмотки импульсного трансформатора,
RВХ – входное сопротивление транзистора VT3.
12,5 . 10-6 = , тогда С6 = 35 . 10-6 Ф, по стандартному ряду выбираем конденсатор
Конденсатор С6: K50-6 – 50 мкФ ± 10%.
Определим обратный выброс напряжения по формуле:
∆Umобр = 0,75 . , где τL = = с
Тогда
∆Umобр = 0,75 .. = 0,25 В.Так как обратный выброс напряжения не превышаетUКЭнас, то шунтирование коллекторной обмотки трансформатора не производится.
Рассчитаем сопротивления R8 и R9путем совместного решения двух уравнений.
T – τИ = 4,5С6
Е3 = R8,
где Е3 = (0,3 - 1) В. Примем Е3 = 0,8 В.
0,02 – 12,5 . 10-6 = 4,5 .1,3. 10-6 и =
Получим: R8= 34422 Ом и R9 = 1927 Ом. По стандартному ряду принимаем сопротивления R8 = 33 кОм и R9 = 2 кОм.
Резистор R8: ВС – 0,25 – 33К 10%. Резистор R9: ВС – 0,125 – 2К 10%.
Емкость конденсатора сглаживающего фильтра С7 определяется из выражения:
С7 IKmτИ , где = 0,15 . ЕК = 0.18 В. Имеем С7 60. 10-3. 12,5 . 10-6. = 2 мкФ.
Примем С7 = 6,8 мкФ. По стандартному ряду:
Конденсатор С7: K50-20 – 6,8 мкФ ± 10%.
Сопротивление резистора R10 определяется:
R10 = 1,4 = 1,4 = 700 Ом. По стандартному ряду выбираем сопротивление R10 = 680 Ом. Резистор R10: С2-23– 0,062 – 680Е 5%.
Рассчитаем цепочку С5R7.
, где В, Ом, а значением сопротивления R7 зададимся равным 1500 Ом. В.
мА.
Вт. Из стандартного ряда мощностей PR7= 0,125 Вт
Резистор R7: ВС – 0,125 – 1,5К 10%.
Емкость конденсатора С5 определим из соотношения: , где – длительность входного импульса равна 0,0083сек.
мкФ. Выбираем из стандартного ряда Е24(±10%) С5 = 1 мкФ.
В.
Конденсатор С5: К52 –1 - 2,4 мкФ.Диод VD5 принимаем таким же как и VD4, т.е. Д207.Рассчитан
Рассчитанные и выбранные по справочной литературе элементы блока управления должны быть скомпонованы в законченную конструкцию с применением печатного монтажа. Детали рационально компонуются на прямоугольной монтажной плате, размеры которые выбираются из справочной литературы. Толщина выбирается из ряда:0.8 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 На чертеже печатной платы наноситься линиями координатная сетка с шагом 1.25 2.5 мм. Выбранные детали размещаются на плате таким образом, чтобы их выводы попадали в отверстия, расположенных в узлах координатной сетки.
Критерием правильности размещения элементов на печатной плате является отсутствие пересечений печатных проводников в плоскости проводника. При конструировании печатной платы следует иметь ввиду, что в одном монтажном отверстии с печатным проводником допускается коммутация одного объемного проводника.
Силовой блок управляемого выпрямителя должен быть выполнен в виде отдельной конструкции , включая в себя:
-изоляционную панель соответствующих размеров;
-управляемый вентиль с охладителем;
-контактный разъем и монтажные провода.
Размер изоляционной панели зависит от выбранного типа управляемого вентиля и рекомендованного охладителя . в качестве контактного разьема можно выбрать любой гостированный на соответствующий ток.
Выбор охладителя.
Для данного тиристора типа Т141-80 рекомендуется охладитель серии О221.
Для обеспечения надежного электрического и теплового контакта тиристора и охладителя необходимо применять крутящий момент не более= 50 Н . м.
Масса не более=180 г.
Тепловое сопротивление контактная поверхность охладителя - охлаждающая среда при мощности отводимого тепла 18 Вт не более:
при естественном охлаждении=2,80С/Вт
при принудительном охлаждении (скорость охлаждающего воздуха в межреберном пространстве 6 м/с) =0,62 0С/Вт
Тепловое сопротивление контакта корпус прибора – охладитель не более=0,20С/Вт
Суммарная площадь охладителя не менее 50000мм2
Максимальная температура перехода=110 0С
Сопротивление переход – корпус=0,18 0С/Вт
Рассеиваемая мощность тиристора=125 Вт
Определим необходимую площадь охладителя:
S = = 3640,8мм2 . Т.е. необходимая площадь охладителя меньше чем площадь охладителя О221, следовательно можно применять рекомендованный охладитель марки О221, так как он удовлетворяет всем необходимым параметрам работы тиристора.
Определим, необходим ли охладитель для транзисторов БГ.В качестве рассматриваемого транзистора рассчитываем транзистор VT3,как наиболее мощный.
РРАСС VT1 = UКЭ.IК, где UКЭ максимальное напряжениеколлектор - эмиттер, равное 0,3 В, а IК равен IGT = 0,15 А.
РРАСС VT1 = 0,3 . 0,15 = 0,045 Вт. Но рассеиваемая мощность на транзисторе зависит от скважности, следовательно:
РРАСС = , где Q – скважность, и определяется как Q = = = 160.
Тогда РРАСС = мВт. РРАСС<РРАССДОП (56 мВт < 150 мВт). Исходя из результатов проведенного расчета, охладитель для транзисторов БГ не нужен.
Общая принципиальная схема.
Примечания.
· Эскизы выбранных элементов и их установочные размеры указаны в приложении №1.
· Внешний вид и геометрические размеры силового блока изображены на одном чертеже с печатной платой .
· Рассчитанные и выбранные по справочной литературе элементы устройства монтируются на односторонней печатной плате из стеклотекстолита СФ – 2 (по ГОСТ 10316 – 78) размером 180мм × 90 мм, толщиной 2,5мм. При монтаже компонентов необходимо придерживаться рекомендаций, приведенных при их описании.
· В приложении 2 указываются все элементы и их параметры .
· Для улучшения вентиляции радиаторы крепятся так, что бы потоки воздуха обдували их с максимальным отводом тепла, а также контактную поверхность можно обработать термопастой КТП – 8.
Приложение1.