Для проведення зрізу знань
Варіант 1
І рівень
1.Який тип провідності мають напівпровідникові матеріали без домішок?
а) в основному електронний; б) в основному дірковий;
в) однаковою мірою електронний і дірковий; г) не проводять електричний струм.
2. Який тип мають напівпровідникові матеріали з донорними домішками?
а) в основному електронний; б) в основному дірковий;
в) однаковою мірою електронний і дірковий; г) не проводять електричний струм.
3.Що з перерахованого нижче використовується для виправлення змінного струму?
а) напівпровідниковий кристал;
б) напівпровідниковий діод;
в) напівпровідниковий транзистор.
4. Як зміниться провідність металевого провідника і напівпровідника, якщо їх охолодити до температури рідкого гелію?
а) збільшиться в обох випадках; б) зменшиться в обох випадках;
в) майже не зміниться; г) у металевому провіднику зменшиться.
5. Яка область біполярного транзистора називається колектором?
а) середня область транзистора;
б) область транзистора, яка здійснює екстракцію (захоплення) з бази неосновних носіїв заряду;
в) область з боку відкритого р-п-переходу;
г) область з позитивним потенціалом.
6.Напругу, прикладену до напівпровідникового діода, підвищили в п разів. Як змінилася сила струму, що тече через напівпровідник?
а) не змінилася; б) зросла в п разів;
в) зросла в 2п раза; г) зросла нелінійно.
ІІ рівень
7.Охарактеризуйте основні особливості напівпровідників.
8.Поясніть, що таке ширина забороненої зони та на які властивості напівпровідників вона впливає.
9.Яка залежність електропровідності домішкових напівпровідників від температури? Відповідь обґрунтуйте.
10.Яка принципіальна схема пристрою і який принцип дії кремнієвого фотоелемента?
ІІІ рівень
11.Розв’яжіть задачу.
Визначте середню швидкість направленого руху електронів у мідному провіднику при густині струму в ньому 8,0 А/ мм²? Вважайте, що на кожний атом міді в металі припадає один вільний електрон.
12.Фоторезистор, який у темряві має опір 20 кОм, увімкнено послідовно з резистором, що має опір 2,5 кОм. Коли фоторезистор освітлили, сила струму в колі (при тій самій напрузі) збільшилася в 4,5 рази. У скільки разів зменшився опір фото резистора?
Варіант 2
І рівень
1.Який тип мають напівпровідникові матеріали з акцепторними домішками?
а) а) в основному електронний; б) в основному дірковий;
в) однаковою мірою електронний і дірковий; г) не проводять електричний струм.
2.За різних температур концентрація носіїв заряду в напівпровідниках …
а) визначається наявністю домішок і прямо пропорційно залежить від температури і освітлення;
б) визначається наявністю домішок і обернено пропорційно залежить від температури й освітлення;
в) залишається майже сталою;
г) залежить від первинної структури напівпровідника.
3. Яка область біполярного транзистора називається базою?
а) середня область транзистора;
б) область з малою концентрацією;
в) область, у яку інжектують неосновні носії заряду.
4. Як зміниться провідність металевого провідника і напівпровідника, якщо їх охолодити до температури рідкого гелію?
а) збільшиться в обох випадках; б) зменшиться в обох випадках;
в) майже не зміниться; г) у металевому провіднику зменшиться.
5. Яка область біполярного транзистора називається колектором?
а) середня область транзистора;
б) область транзистора, яка здійснює екстракцію (захоплення) з бази неосновних носіїв заряду;
в) область з боку відкритого р-п-переходу;
г) область з позитивним потенціалом.
6.Напругу, прикладену до напівпровідникового діода, підвищили в п разів. Як змінилася сила струму, що тече через напівпровідник?
а) не змінилася; б) зросла в 10 разів;
в) зросла в 4п раза; г) зросла лінійно.
ІІ рівень
7. Чи може емітувати з урану електрон, що рухається зі швидкістю 2000 км/с терпен-дикулярно до поверхні металу, якщо робота виходу складає 3,74 еВ.
8.Охарактеризуйте основні особливості напівпровідників.
9.Поясніть, що таке ширина забороненої зони та на які властивості напівпровідників вона впливає.
10. Як впливають електрони на величину теплоємності металів та на теплопровідність твердих тіл?
ІІІ рівень
11. Розв’яжіть задачу.
До кінців кола, що складається з послідовно ввімкнених термістора та резистора опором 750 Ом подали напругу 20 В. При кімнатній температурі сила струму в колі була 10 мА. Коли термістор занурили в гарячу воду, сила струму стала 20 мА. У скільки раз змінився опір термістора.
12. Розв’яжіть задачу.
Концентрація вільних електронів в напівпровідникові при даній температурі п = 10 м ³, швидкість направленого переміщення 0,25 м/с. Визначити рухливість зарядів і їх концентрацію при напруженості зовнішнього електричного поля Е = 100 В/м, густина струму 4 10 ² А/м².
Варіант 3
І рівень
1.Як направлений струм в термоелементі з напівпровідника з дірковою провідністю? Напівпровідник у вигляді стержня:
а) від холодного кінця до гарячого; б) по напряму руху дірок;
в) від гарячого кінця до холодного; в) без напряму електронів.
2.Який тип провідності мають напівпровідникові матеріали без домішок?
а) в основному електронний; б) в основному дірковий;
в) однаковою мірою електронний і дірковий; г) не проводять електричний струм.
3. Який тип мають напівпровідникові матеріали з донорними домішками?
а) в основному електронний; б) в основному дірковий;
в) однаковою мірою електронний і дірковий; г) не проводять електричний струм.
4.Що з перерахованого нижче використовується для виправлення змінного струму?
а) напівпровідниковий кристал;
б) напівпровідниковий діод;
в) напівпровідниковий транзистор.
5. Яка область біполярного транзистора називається базою?
а) середня область транзистора;
б) область з малою концентрацією;
в) область, у яку інжектують неосновні носії заряду.
6.Який тип мають напівпровідникові матеріали з акцепторними домішками?
а) в основному електронний; б) в основному дірковий;
в) однаковою мірою електронний і дірковий; г) не проводять електричний струм.
ІІ рівень
7.Охарактеризуйте основні особливості напівпровідників.
8.Поясніть, що таке ширина забороненої зони та на які властивості напівпровідників вона впливає.
9.Поясніть, що таке ширина забороненої зони та на які властивості напівпровідників вона впливає.
10. Як впливають електрони на величину теплоємності металів та на теплопровідність твердих тіл?
ІІІ рівень
11.Розв’яжіть задачу.
Визначте середню швидкість направленого руху електронів у мідному провіднику при густині струму в ньому 8,0 А/ мм²? Вважайте, що на кожний атом міді в металі припадає один вільний електрон.
12. Розв’яжіть задачу.
Концентрація вільних електронів в напівпровідникові при даній температурі п = 10 м ³, швидкість направленого переміщення 0,25 м/с. Визначити рухливість зарядів і їх концентрацію при напруженості зовнішнього електричного поля Е = 100 В/м, густина струму 4 10 ² А/м².
Варіант 4
І рівень
1.Який тип мають напівпровідникові матеріали з акцепторними домішками?
а) а) в основному електронний; б) в основному дірковий;
в) однаковою мірою електронний і дірковий; г) не проводять електричний струм.
2.За різних температур концентрація носіїв заряду в напівпровідниках …
а) визначається наявністю домішок і прямо пропорційно залежить від температури і освітлення;
б) визначається наявністю домішок і обернено пропорційно залежить від температури й освітлення;
в) залишається майже сталою;
г) залежить від первинної структури напівпровідника.
3. Який тип провідності мають напівпровідникові матеріали без домішок?
а) в основному електронний; б) в основному дірковий;
в) однаковою мірою електронний і дірковий; г) не проводять електричний струм.
4. Який тип мають напівпровідникові матеріали з донорними домішками?
а) в основному електронний; б) в основному дірковий;
в) однаковою мірою електронний і дірковий; г) не проводять електричний струм.
5. Яка область біполярного транзистора називається базою?
а) середня область транзистора;
б) область з малою концентрацією;
в) область, у яку інжектують неосновні носії заряду.
6.Який тип мають напівпровідникові матеріали з акцепторними домішками?
а) в основному електронний; б) в основному дірковий;
в) однаковою мірою електронний і дірковий; г) не проводять електричний струм.
ІІ рівень
7.Охарактеризуйте основні особливості напівпровідників.
8.Поясніть, що таке ширина забороненої зони та на які властивості напівпровідників вона впливає.
9. Наведіть графіки залежності опору металів і напівпровідників від температури.
10.Як пояснити різку відмінність залежності питомого опору металів і напівпровідників від температури, маючи розуміння їх будови (наявність кристалічної гратки та вільних електронів).
ІІІ рівень
11.Розв’яжіть задачу.
Концентрація електронів в деякому металі складає 10 м ³. Визначити максимальне значення енергії для любого електрона в цьому зразку при 0 К (рівень Фермі).
12.Розв’яжіть задачу.
Визначте середню швидкість направленого руху електронів у мідному провіднику при густині струму в ньому 12,0 А/ мм²? Вважайте, що на кожний атом міді в металі припадає один вільний електрон.
Варіант 5
І рівень
1.Який тип провідності мають напівпровідникові матеріали без домішок?
а) в основному електронний; б) в основному дірковий;
в) однаковою мірою електронний і дірковий; г) не проводять електричний струм.
2. Який тип мають напівпровідникові матеріали з донорними домішками?
а) в основному електронний; б) в основному дірковий;
в) однаковою мірою електронний і дірковий; г) не проводять електричний струм.
3.Що з перерахованого нижче використовується для виправлення змінного струму?
а) напівпровідниковий кристал;
б) напівпровідниковий діод;
в) напівпровідниковий транзистор.
4. Який тип провідності мають напівпровідникові матеріали без домішок?
а) в основному електронний; б) в основному дірковий;
в) однаковою мірою електронний і дірковий; г) не проводять електричний струм.
5. Яка область біполярного транзистора називається базою?
а) середня область транзистора;
б) область з малою концентрацією;
в) область, у яку інжектують неосновні носії заряду.
6.Який тип мають напівпровідникові матеріали з акцепторними домішками?
а) в основному електронний; б) в основному дірковий;
в) однаковою мірою електронний і дірковий; г) не проводять електричний струм.
ІІ рівень
7. Чи може емітувати з урану електрон, що рухається зі швидкістю 2000 км/с терпен-дикулярно до поверхні металу, якщо робота виходу складає 3,74 еВ.
8.Охарактеризуйте основні особливості напівпровідників.
9.Поясніть, що таке ширина забороненої зони та на які властивості напівпровідників вона впливає.
10.Знаючи, що мікрокристали срібла мають кубічну гранецентрировану решітку. Виз-начте число найближчих «сусідів» кожного атому срібла; постійну решітки; найменшу відстань між частинками.
ІІІ рівень
11.Розв’яжіть задачу.
До кінців кола, що складається з послідовно увімкнених термістора і резистора опором 1 кОм, подано напругу 20 В. При кімнатній температурі сила струму в колі була 5 мА. Коли термістор опустили в гарячу воду, сила струму в колі стала 10 мА. У скільки раз змінився в результаті нагрівання опір термістора?
12. Розв’яжіть задачу.
До кінців кола, що складається з послідовно ввімкнених термістора та резистора опором 750 Ом подали напругу 20 В. При кімнатній температурі сила струму в колі була 10 мА. Коли термістор занурили в гарячу воду, сила струму стала 20 мА. У скільки раз змінився опір термістора?
Варіант 6
І рівень
1.При якому з’єднанні резистора і напівпровідникового термістора, опір якого зменшується з нагріванням, опір всієї ділянки в певному інтервалі не залежить від температури?
а) при паралельному; б) при послідовному;
в) при будь-якому; г) варіант з’єднання неможливий.
2.Що з перерахованого нижче використовується для виправлення змінного струму?
а) напівпровідниковий кристал;
б) напівпровідниковий діод;
в) напівпровідниковий транзистор.
3. Який тип провідності мають напівпровідникові матеріали без домішок?
а) в основному електронний; б) в основному дірковий;
в) однаковою мірою електронний і дірковий; г) не проводять електричний струм.
4. Яка область біполярного транзистора називається базою?
а) середня область транзистора; б) область з малою концентрацією;
в) область, у яку інжектують неосновні носії заряду.
5.Який тип мають напівпровідникові матеріали з акцепторними домішками?
а) в основному електронний; б) в основному дірковий;
в) однаковою мірою електронний і дірковий; г) не проводять електричний струм.
6.Напругу, прикладену до напівпровідникового діода, підвищили в п разів. Як змінилася сила струму, що тече через напівпровідник?
а) не змінилася; б) зросла в 100 разів;
в) зросла в 8п раза; г) зросла лінійно.
ІІ рівень
7. Чи може емітувати з урану електрон, що рухається зі швидкістю 2000 км/с терпен-дикулярно до поверхні металу, якщо робота виходу складає 3,74 еВ.
8.Поясніть, що таке ширина забороненої зони та на які властивості напівпровідників вона впливає.
9. Наведіть графіки залежності опору металів і напівпровідників від температури.
10.Як пояснити різку відмінність залежності питомого опору металів і напівпровідників від температури, маючи розуміння їх будови (наявність кристалічної гратки та вільних електронів).
ІІІ рівень
11.Розв’яжіть задачу.
Концентрація електронів в деякому металі складає 10 м ³. Визначити максимальне значення енергії для любого електрона в цьому зразку при 0 К (рівень Фермі).
12.Розв’яжіть задачу.
Визначте середню швидкість направленого руху електронів у мідному провіднику при густині струму в ньому 12,0 А/ мм²? Вважайте, що на кожний атом міді в металі припадає один вільний електрон.
З а в д а н н я
для проведення зрізу знань
З предмета
«Фізика»
Викладача
Роздайбіди В.А.
Варіант 1
І рівень
1.При якому з’єднанні резистора і напівпровідникового термістора, опір якого зменшується з нагріванням, опір всієї ділянки в певному інтервалі не залежить від температури?
а) при паралельному; б) при послідовному;
в) при будь-якому; г) варіант з’єднання неможливий.
2.Вкажіть форму матерії, через яку здійснюються електричні взаємодії:
а) магнітне поле; б) гравітаційне поле;
в) електричне поле; г) такої форми матерії не існує.
3. Який тип провідності мають напівпровідникові матеріали без домішок?
а) в основному електронний; б) в основному дірковий;
в) однаковою мірою електронний і дірковий; г) не проводять електричний струм.
4.Два однакові точкові заряди по 8 мкКл розміщені у повітрі на відстані 30 см. Визначте силу взаємодії між ними:
а) 64 Н; б) 640 Н; в) 6,4 Н; г) 0,64.
5. Який тип мають напівпровідникові матеріали з донорними домішками?
а) в основному електронний; б) в основному дірковий;
в) однаковою мірою електронний і дірковий; г) не проводять електричний струм.
6.Визначте ЕРС індукції в замкненому контурі, якщо за 3 мс магнітний потік через контур збільшився на 12 мВб:
а) 4 мВ; б) -4 мВ; в) 4 В; г) -4 В.
ІІ рівень
7.По двох однакових колових витках радіусом 5 см, площини яких взаємно перпендику-лярні, а центри співпадають, протікають однакові струми 2 А. Визначте індукцію магнітного поля в центрі витків.
8.Знаючи, що мікрокристали срібла мають кубічну гранецентрировану решітку. Виз-начте число найближчих «сусідів» кожного атому срібла; постійну решітки; найменшу відстань між частинками.
9. Як пояснити різку відмінність залежності питомого опору металів і напівпровідників від температури, маючи розуміння їх будови (наявність кристалічної гратки та вільних електронів).
ІІІ рівень
10.Розв’яжіть задачу.
У досліді Ромера, проведеному з інтервалом у півроку, світло супутника Юпітера Іо до Землі спізнювалося на 22 хв. Узявши середній радіус земної орбіти 150 000 000 км, об-числіть швидкість світла.
11.Розв’яжіть задачу.
Визначте середню швидкість направленого руху електронів у мідному провіднику при густині струму в ньому 12,0 А/ мм²? Вважайте, що на кожний атом міді в металі припадає один вільний електрон
Варіант 2
І рівень
1. Червоною межею фотоефекту для металу є зелене світло. Вкажіть, опромінення цього металу яким світлом викличе фотоефект:
а) червоним; б) жовтим;
в) синім; г) фіолетовим.
2.При якому з’єднанні резистора і напівпровідникового термістора, опір якого зменшується з нагріванням, опір всієї ділянки в певному інтервалі не залежить від температури?
а) при паралельному; б) при послідовному;
в) при будь-якому; г) варіант з’єднання неможливий.
3.Вкажіть форму матерії, через яку здійснюються електричні взаємодії:
а) магнітне поле; б) гравітаційне поле;
в) електричне поле; г) такої форми матерії не існує.
4.Два однакові точкові заряди по 8 мкКл розміщені у повітрі на відстані 30 см. Визначте силу взаємодії між ними:
а) 72 Н; б) 720 Н; в) 7,2 Н; г) 0,72.
5.Що з перерахованого нижче використовується для виправлення змінного струму?
а) напівпровідниковий кристал;
б) напівпровідниковий діод;
в) напівпровідниковий транзистор.
6. Який тип провідності мають напівпровідникові матеріали без домішок?
а) в основному електронний; б) в основному дірковий;
в) однаковою мірою електронний і дірковий; г) не проводять електричний струм.
ІІ рівень
7.Вкажіть формули, за якими можна вичислити імпульс фотона.
8.По двох однакових колових витках радіусом 12 см, площини яких взаємно перпендику-лярні, а центри співпадають, протікають однакові струми 2,5 А. Визначте індукцію магнітного поля в центрі витків.
9. На відстані 5 см від заряду 4 нКл, розташованого в діелектрику, напруженість поля становить 10 кН/Кл. визначте діелектричну проникність діелектрика і потенціал поля в даній точці.
ІІІ рівень
10.Розв’яжіть задачу.
Вольтметр опором 2 кОМ розрахований на вимірювання напруги 30 В. Який додатковий опір треба під’єднати до вольтметра, щоб вимірювати напругу до 75 В? Як зміниться ціна поділка шкали приладу?
11. Розв’яжіть задачу.
Опір шунта дорівнює 2% від опору амперметра. У колі зашунтований амперметр показує силу струму 100 мА. Який струм насправді протікає у колі? Відповідь обґрунтуйте.
Варіант 3
І рівень
1. Червоною межею фотоефекту для металу є зелене світло. Вкажіть, опромінення цього металу яким світлом викличе фотоефект:
а) червоним; б) жовтим;
в) білим; г) жовтогарячим.
2.Вкажіть прилад, призначений для визначення наявності заряду на тілі:
а) манометр; б) барометр; в) електроскоп; г) спідометр.
3.Виберіть визначення електричного струму:
а) заряд, що проходить через поперечний переріз провідника;
б) впорядкований рух заряджених частинок;
в) властивість провідників передавати накопичений електричний заряд іншим провідникам;
г) впорядкований рух провідника.
4. Вкажіть одиницю поверхневої густини заряду:
а) Кл/м; б) Кл/с; в) Кл/м³; г)Кл/м².
5. Вкажіть назву електричного поля, в кожній точці якого напруженість однакова:
а) електростатичне; б) неоднорідне; в) однорідне; г) вихрове.
6. Який тип провідності мають напівпровідникові матеріали без домішок?
а) в основному електронний; б) в основному дірковий;
в) однаковою мірою електронний і дірковий; г) не проводять електричний струм.
ІІ рівень
7.По двох однакових колових витках радіусом 3 см, площини яких взаємно перпендику-лярні, а центри співпадають, протікають однакові струми 4 А. Визначте індукцію магнітного поля в центрі витків.
8.За 10 мс струм у котушці зменшується від 1 А до 4 А. При цьому виникає ЕРС само-індукції 7 В. Визначте зміну енергії магнітного поля катушки.
9.Знаючи, що мікрокристали срібла мають кубічну гранецентрировану решітку. Виз-начте число найближчих «сусідів» кожного атому срібла; постійну решітки; найменшу відстань між частинками
ІІІ рівень
10.Розв’яжіть задачу.
У досліді Ромера, проведеному з інтервалом у півроку, світло супутника Юпітера Іо до Землі спізнювалося на 42 хв. Узявши середній радіус земної орбіти 250 000 000 км, об-числіть швидкість світла.
11. Розв’яжіть задачу.
Відстань між двома когерентними джерелами 3 см, а відстань від них до екрана 50 м. Лінія, що сполучає джерела, паралельна до площини екрана. Визначте довжину хвилі монохроматичного світла джерел, якщо відстань між сусідніми максимумами на екрані дорівнює 1 мм.
Варіант 4
І рівень
1.Вкажіть основну властивість лампи-діода
а) термоелектронна емісія;
б) одностороння провідність;
в) пропускання струму;
г) газовий розряд.
2. Червоною межею фотоефекту для металу є зелене світло. Вкажіть, опромінення цього металу яким світлом викличе фотоефект:
а) червоним; б) жовтим;
в) білим; г) жовтогарячим.
3.Виберіть одиниці роботи струму:
а) ват; б) кулон; в) джоуль; г) ньютон.
4. Вкажіть, наявність якого електрода відрізняє лампу-тріод від лампи-діода:
а) катода; б) сітки;
в) анода; г)електронно-променевої гармати.
5.Що з перерахованого нижче використовується для виправлення змінного струму?
а) напівпровідниковий кристал;
б) напівпровідниковий діод;
в) напівпровідниковий транзистор.
6. Який тип провідності мають напівпровідникові матеріали без домішок?
а) в основному електронний; б) в основному дірковий;
в) однаковою мірою електронний і дірковий; г) не проводять електричний струм.
ІІ рівень
7.По двох однакових колових витках радіусом 27см, площини яких взаємно перпендику-лярні, а центри співпадають, протікають однакові струми 9 А. Визначте індукцію магнітного поля в центрі витків.
8.У провіднику опором 4 Ом, приєднаному до джерела струму, ЕРС якого 6 В, протікає струм 1,2 А. Визначте струм короткого замикання джерела.
9. Якщо до амперметра зі шкалою 1 А приєднати шунт 0,05 Ом, то можна буде вимірю-вати струми до 101 А. Визначте опір амперметра.
ІІІ рівень
10. Розв’яжіть задачу.
Мідний провідник розміщений перпендикулярно до силових ліній магнітного поля індукцією 3 Тл. Якою має бути густина струму для зависання провідника у повітрі?
11.Розв’яжіть задачу.
Електрон, прискорений різницею потенціалів 300 В, рухається паралельно до прямолінійного провідника на відстані 4 мм від нього. Яка сила буде діяти на електрон, якщо по провіднику тече струм 5 А?
Варіант 5
І рівень
1. Червоною межею фотоефекту для металу є зелене світло. Вкажіть, опромінення цього металу яким світлом викличе фотоефект:
а) червоним; б) жовтим;
в) білим; г) жовтогарячим.
2.Вкажіть прилад, призначений для визначення наявності заряду на тілі:
а) манометр; б) барометр; в) електроскоп; г) спідометр.
3.Вкажіть основну властивість лампи-діода:
а) термоелектронна емісія;
б) одностороння провідність;
в) пропускання струму;
г) газовий розряд.
4. Вкажіть, наявність якого електрода відрізняє лампу-тріод від лампи-діода:
а) катода; б) сітки;
в) анода; г) дикода.
5. Вкажіть назву електричного поля, в кожній точці якого напруженість однакова:
а) електростатичне; б) неоднорідне; в) однорідне; г) вихрове.
6. Який тип провідності мають напівпровідникові матеріали без домішок?
а) в основному електронний; б) в основному дірковий;
в) однаковою мірою електронний і дірковий; г) не проводять електричний струм.
ІІ рівень
7.Знаючи, що мікрокристали срібла мають кубічну гранецентрировану решітку. Виз-начте число найближчих «сусідів» кожного атому срібла; постійну решітки; найменшу відстань між частинками.
8.За 10 мс струм у котушці зменшується від 6 А до 14 А. При цьому виникає ЕРС само-індукції 9 В. Визначте зміну енергії магнітного поля катушки.
9.У провіднику опором 20 Ом, приєднаному до джерела струму, ЕРС якого 12 В, протікає струм 1,6 А. Визначте струм короткого замикання джерела.
ІІІ рівень
10.Розв’яжіть задачу.
У повітряному конденсаторі знаходиться в спокої заряджена кулька на відстані 0,1 см ввід нижньої пластини. Напруга між пластинами 320 В. Через який час кулька впаде на пластину, якщо напруга зменшиться до 40? Вважайте g = 10 м/с².
11.Розв’яжіть задачу.
Електрон, прискорений різницею потенціалів 300 В, рухається паралельно до прямолінійного провідника на відстані 4 мм від нього. Яка сила буде діяти на електрон, якщо по провіднику тече струм 5 А?
Варіант 6
І рівень
1.Вкажіть основну властивість лампи-діода
а) термоелектронна емісія; б) одностороння провідність;
в) пропускання струму; г) газовий розряд.
2. Червоною межею фотоефекту для металу є зелене світло. Вкажіть, опромінення цього металу яким світлом викличе фотоефект:
а) червоним; б) жовтим;
в) білим; г) жовтогарячим.
3.Виберіть визначення електричного струму:
а) заряд, що проходить через поперечний переріз провідника;
б) впорядкований рух заряджених частинок;
в)властивість провідників передавати накопичений електричний заряд іншим провідникам;
г) впорядкований рух провідника.
4. Який тип провідності мають напівпровідникові матеріали без домішок?
а) в основному електронний; б) в основному дірковий;
в) однаковою мірою електронний і дірковий; г) не проводять електричний струм.
5.Що з перерахованого нижче використовується для виправлення змінного струму?
а) напівпровідниковий кристал;
б) напівпровідниковий діод;
в) напівпровідниковий транзистор.
6.Вкажіть способи посилення магнітної дії котушки зі струмом:
а) зменшення кількості витків; б) збільшення кількості витків;
в) зменшення сили струму; г) введення в котушку залізного осердя.
ІІ рівень
7.За 14 мс струм у котушці зменшується від 30 А до 40А. При цьому виникає ЕРС само-індукції 4 В. Визначте зміну енергії магнітного поля катушки.
8.Знаючи, що мікрокристали срібла мають кубічну гранецентрировану решітку. Виз-начте число найближчих «сусідів» кожного атому срібла; постійну решітки; найменшу відстань між частинками.
9. Якщо до амперметра зі шкалою 15 А приєднати шунт 0,05 Ом, то можна буде вимірю-вати струми до 201 А. Визначте опір амперметра.
ІІІ рівень
10.Розв’яжіть задачу.
Електрон, прискорений різницею потенціалів 300 В, рухається паралельно до прямолінійного провідника на відстані 4 мм від нього. Яка сила буде діяти на електрон, якщо по провіднику тече струм 5 А?
11.Розв’яжіть задачу.
Соленоїд завдовжки 60 см і діаметром 10 см має 1000 витків. Сила струму в соленоїді рівномірно збільшується на 0,2 Тл за 1 с. На соленоїд надіте мідне кільце. площа поперечного перерізу дроту кільця 2 мм². Який індукційний струм виникає в кільці?