Анализ полученных результатов

ИССЛЕДОВАНИЕ ИНЕРЦИОННЫХ СВОЙСТВ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

отчет по лабораторной работе

по дисциплине «Электроника»

  Ф.И.О. Дата Подпись
Руководитель Болтаев А.В. _____________ ______________________
Студент Виноградов Д.Г.   ______________________
  Мамыкин К.В.   ______________________
  Юрцун А.И.   ______________________

Группа Р-23082

Екатеринбург

2004 г.

1. ЦЕЛЬ РАБОТЫ:

Ознакомиться с особенностями проявления инерционных свойств различных полупроводниковых диодов в переключательном режиме, биполярных транзисторов – низко- и высокочастотных в схемах включения с общим эмиттером и общим коллектором, в ненасыщенном, насыщенном и переключательном режимах.

2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ:

Полученные данные:

1. Uвх = Uвх макс= 1,5 В

τи = 0,8 мкс

τвыб = 0,1 мкс

Uвыб = 0,1 В

tуст = 0,2 мкс

tсп = 0,2 мкс

Рис.1. Осциллограмма входного

импульса напряжения

Uвх = 0,5 В

τи = 0,8 мкс

τвыб = 0,1 мкс

Uвыб = 0,05 В

tуст = 0,2 мкс

tсп = 0,2 мкс

Рис.2. Осциллограмма входного

импульса напряжения

2.1. Исследование диодов:

Рис.3. Схема для исследования диода

2.1.1 Диод Д503Б

Uвх = Uвх макс= 1,5 В

τи = 0,8 мкс

τвыб = 0,1 мкс

tуст = 0,3 мкс

tсп = 0,3 мкс

Рис.4. Осциллограмма импульса напряжения диода

IД: Uвх = Uвх макс = 1,5 В

τи = 0,8 мкс

τвыб = 0,1 мкс

tуст = 0,3 мкс

tсп = 0,2 мкс

Рис.5. Осциллограмма импульса

тока диода

IД: Uвх = = 0,75 В

τи = 0,8 мкс

τвыб = 0,1 мкс

tуст = 0,3 мкс

tсп = 0,2 мкс

Рис.6. Осциллограмма импульса

тока диода

Диод Д7Г

 
 

Uвх = Uвх макс = 1,5 В

τи = 1,0 мкс

τвыб = 0,1 мкс

Uвыб = 0,1 В

tуст = 0,3 мкс

tсп = 0,3 мкс

Рис.7. Осциллограмма импульса напряжения диода

IД:Uвх = Uвх макс = 1,25 В

τи = 1,2 мкс

tуст = 0,8 мкс

tсп = 3 мкс

tвосст = 4 мкс

Iмакс обр = 0,5

Рис.8. Осциллограмма импульса тока

Uвх = = 0,6 В

τи = 0,8 мкс

tуст = 0,1 мкс

tсп = 2 мкс

tвосст = 1,2 мкс

Jмакс обр = 0,3

Рис.9. Осциллограмма импульса тока

Uвх = = 0,3 В

τи = 1,0 мкс

tсп = 0,6 мкс

Jмакс обр = 0,2

Рис.10. Осциллограмма импульса тока

Iд = 0 при Uвх мин = 0,2 В

Рис.11. График зависимости Iд (UВХ)

Рис.12. График зависимости tУ(UВХ)

tвосст, мкс

Рис.13. График зависимости tвосст(Uвх)

Рис.14. График зависимости Uп(Uвх)

2.2. Исследование транзисторов:

Рис.15. Схема для исследования транзистора.

Транзистор МП26Б

Импульс тока Iк появляется при Uвх = 0,1 В.

1) Ненасыщенный режим

Iк = = 2,3

tуст = 1,4 мкс

tсп = 2 мкс

Uвх = 0,3 В

fS = 0,35 МГц

Рис.16. Осциллограмма импульса

тока коллектора

2) Ненасыщенный режим при максимальной амплитуде Iк

Iк = Iк макс = 4,6

tуст =1,4 мкс

tсп = 3,6 мкс

Uвх = 0,4 В

fS = 0,44 МГц

Рис.17. Осциллограмма импульса

тока коллектора

       
   

Рис.18. Осциллограмма импульса Рис.19. Осциллограмма импульса

напряжения транзистора тока эмиттера

3)Насыщенный режим для половины длительности импульса.

Jк = Jк макс = 4,6

tуст =1,2 мкс

tсп = 3,6 мкс

Uвх = 0,5 В

fS = 0,44 МГц

Рис.20. Осциллограмма импульса

тока коллектора

4) Переключательный

Jк = Jк макс = 4,6

tуст =0,2 мкс

tсп = 1,2 мкс

Uвх = Uвх макс = 2,3 В

tрасс = 3 мкс

fS = 1,7 МГц

Рис.21. Осциллограмма импульса

тока коллектора

       
   

Рис.22. Осциллограмма импульса Рис.23. Осциллограмма импульса

тока эмиттера напряжения

5) Переключательный для tрасс =

Jк = Jк макс = 4,6

tуст =0,4 мкс

tсп = 3,6 мкс

Uвх = 0,6 В

tрасс = 1,5 мкс

fS = 0,95 МГц

Рис.24. Осциллограмма импульса

тока коллектора

Рис.25. График зависимости Jк(Uвх)

Рис.26. График зависимости tу(Uвх)

Рис.27. График зависимости tсп(Uвх)

Рис.28. График зависимости tрасс(Uвх)

2.2.2. Транзистор КТ203

JК появляется при UВХ = 0,5 В

1) Ненасыщенный режим

Jк = Jк макс = 4,6

tуст = 2 мкс

tсп = 2 мкс

Uвх = 0,8 В

Рис.29. Осциллограмма импульса

тока коллектора

2) Переключательный режим при Uвх = Uвх макс = 2 В

Jк = 4,6

tуст → 0

tсп = 0,2 мкс

tрасс → 0

Рис.30. Осциллограмма импульса

тока коллектора

АНАЛИЗ ПОЛУЧЕННЫХ РЕЗУЛЬТАТОВ

В данной лабораторной работе были исследованы инерционные свойства полупроводниковых приборов на примере высокочастотных и низкочастотных диодов и транзисторов, по наблюдаемым осциллограммам напряжений и токов исследуемых полупроводниковых приборов были определены следующие параметры: длительность импульса - τи , длительность выброса - τвыб, время установления - tуст, время восстановления - tвосст и амплитуду выброса обратного тока при исследовании диодов и ток коллектора JК время восстановления tУСТ , время спада tСП, время рассасывания tРАСС и амплитуду входного напряжения UВХ. Были построены осциллограммы токов и напряжений исследованных приборов.

Анализируя полученные результаты можно отметить, что импульс напряжения подаваемый с генератора имеет некоторые искажения, а именно наблюдается некоторое нарастание напряжения при его подаче и задержка его спада до 0 при его отключении. При подаче импульса напряжения наблюдается также небольшой выброс в начале. Все эти искажения обусловлены инертностью носителей заряда и обуславливают некоторое искажение импульсов наблюдаемых на исследуемых диодах и транзисторах. Однако искажения осциллограмм токов и напряжений исследуемых приборов обусловленные искажениями входного импульса напряжения не значительны по сравнению с искажениями обусловленными процессами происходящими в диодах и транзисторах при наблюдении осциллограмм диодов можно отметить задержку восстановления обратного тока диода, что говорит о том, что при переключении напряжения прямого на обратное диод запирается не сразу. В первый момент переключения наблюдается резкое увеличение обратного тока через диод по сравнению со статическим значением и лишь постепенно с течением времени он уменьшается до этого значения. Основной причиной инерционности полупроводниковых диодов при работе их в режиме переключения является эффект накопления не равновесных носителей заряда в базе. Прямой ток диода определяется амплитудой подаваемого импульса напряжения, сопротивлением нагрузки и прямой проводимости диода. Сравнивая осциллограммы полученные для высокочастотного и низкочастотного диодов можно отметить большее искажение осциллограмм напряжения и тока для диода Д7Г (а именно увеличивается Jобр мах , увеличивается время восстановления стационарного обратного тока и другие незначительные искажения). Это говорит о том, что данный диод (Д7Г) является более инерционным по сравнению с диодом КД503, то есть предназначен для использования на более низких частотах о сравнению с диодом КД503.

При исследовании транзисторов наблюдается искажение сигналов, таких как присутствие времени нарастания и спада максимального значения тока коллектора, а также увеличение времени при котором наблюдается JК мах (то есть наличие промежутка времени рассасывания заряда в базе). Можно отметить, что транзистор МП26Б является низкочастотным, а транзистор КТ203 является более высокочастотным. Этим объясняется то, что для транзистора МП26Б наблюдаются большее искажение получаемых осциллограмм(определяемое такими величинами как tуст , tсп , tрасс ), то есть он является более инерционным о сравнению с КТ203. Исследование инерционных свойств транзистора МП26Б хорошо отражено наличием осциллограмм импульсов для ненасыщенного, насыщенного и переключательного режимов. Можно также отметить, что с увеличением амплитуды входного сигнала искажения осциллограмм уменьшаются, что говорит о более быстром движении зарядов под действием более сильного электрического поля. Также можно отметить, что при включении транзистора в схеме с общим эмиттером наблюдается меньшее искажение осциллограммы тока, что объясняется меньшей зависимостью эмиттерного тока от уровня инжекции зарядов. Относительно построенных графиков зависимостей времени установления, восстановления и спада, наблюдаемых токов, можно сказать, что они волне соответствуют ожидаемым.

Наши рекомендации