Основы проектирования многокаскадных транзисторных усилителей

0.1 мВт

60 Ватт

4 Ом входной динамик

200 Ом выходной микрофон

Рабочий диапазон частот:

20Гц – 20кГц

3 типа Межкаскадных связей:
1) Связь через конденсатор

Плюс – простота; отдельно выставляем рабочую точку;

Особенность – только переменная составляющая сигнала.

2) Трансформаторная связь

Плюс – идеальное согласование каскадов;

Дорогой, Только на переменном токе.

3) Непосредственное (без чего либо)

Плюс – нет лишних элементов, работа на постоянном токе.

Неудобно устанавливать рабочие точки отдельных каскадов, неудобно стыковать входные – выходные сопротивления,

Выходное:

Марка составных транзисторов:

Ki = 1000

Ik = 8A

Uэк = 100В

Полевые транзисторы.

Элементы, которые управляются потенциалом (напряжением).

Делятся на:

1) p-n переходом

2) С изолированным затвором

Материал – кремний или арсенид галлия.

Все остальные характеристики по общеэксплуатационному счету такие же как и у биполярных.

Устройство.

Если между истоком и стоком приложить некоторое напряжение, то брусочек будет пропускать через себя ток. Сопротивление канала будет несколько кОм и протекает несколько мА, при этом к затвору ничего не подводим. Это начальный ток стока. При этом канал можно представить просто резистором.

Если подать на затвор минус относительно протикающего тока, то ток начнет протикать в затвор, и будет какая то фигня, и так не делают. Если подать +, то то на переходе n-p будет скапливаться заряды. В p переходе появится отрицательное облако, через которое ничего течь не будет. Если мы подадит больший ток, то будет больше перекрыто, до полного перекрытия.

Можно представить такой транзистор как РЕЗИСТОК, сопротивлением которого мы можем управлять. Управляющий ток при этом практически не протекает.

[мА/В]

Характеристика похожа на характеристику с pn переходом, но тут линия может уходить влево, отпирая канал. Есть полевые транзисторы обедненного типа и обогащенного типа. Одни при нулевом на затворе открыты, а другие закрыты.

- обогащённого типа

- обедненного типа

Есть Полевой транзистор с p-n переходом биполярного типа.

Характеристики полевых транзисторов.

I – линейная работа

II – зона насыщения

III – зона пробоя

Основные схемы включения полевых транзисторов.

Общестоковая

Общеистокова

Общезатворная – ЕЁ НЕ ПРИМЕНЯЮТ!

У всех схем большое входное сопротивление. При постоянном токе равно бесконечности.

Общеистоковое.

Ku = S * (Rc||rсu)

Rвых = Rc || rcu

Частотные свойства хорошие, потому что маленький коэффициент. И она переворачивается фазу выходного сигнала.

Общестоковое

Ku =

Фазу не переворачивает. Усиление по току две бесконечности.

Тут архивысоким входным сопротивлением.

Rвых = 1/S

Частотные свойства очень хорошие.

Установка рабочей точки полевых транзисторов.

Для того, чтобы приоткрыть полевой транзистор на половину и сформировать рабочую точки надо на его вход подать напряжение обратного знака. А на практике это не удобно. Поэтому

Вопросы к зачету.