Определение малосигнальных параметров транзистора. По семейству входных и выходных характеристик найдем H-параметры:

По семейству входных и выходных характеристик найдем H-параметры:

- входное сопротивление, измеряемое при коротком замыкании на выходе транзистора.

- коэффициент передачи по току, измеряемый при коротком замыкании на выходе транзистора.

- выходная проводимость, измеряемая

при холостом ходе на выходе транзистора.

Для всех типов биполярных транзисторов H_12э=3*10^-4 – коэффициент обратной связи, измеряемый при холостом ходе на входе транзистора.

Для повышения точности расчетов приращения ∆I_к , ∆I_б, ∆U_бэ, ∆U_кэ берем симметрично относительно рабочей точки.

Рассчет параметров элементов эквивалентной

Схемы замещения транзистора

Для биполярного транзистора задана схема Джиаколлето – физическая малосигнальная высокочастотная схема замещения транзистора.

Рис4. Физическая малосигнальная высокочастотная схема замещения транзистора.

Ø Барьерная ёмкость коллекторного перехода:

Ø Выходное сопротивление транзистора:

Ø Сопротивление коллекторного перехода:

Ø Сопротивление эмиттерного перехода для эмиттерного тока:

Ø Сопротивление эмиттерного перехода для базового тока:

Ø Распределение сопротивления базы:

Примем

Ø Диффузионная ёмкость эмиттерного перехода:

Ø Собственная постоянная времени транзистора:

Ø Крутизна транзистора:

Граничные и предельные частоты биполярного транзистора

a) Граничная частота усиления транзистора в схеме с ОЭ:

b) Предельная частота в схеме с ОЭ:

c) Предельная частота в схеме с ОБ:

d) Предельная частота транзистора по крутизне:

e) Максимальная частота генерации:

Определение сопротивления транзистора по переменному току

Сопротивление нагрузки по переменному току для биполярного транзистора рассчитывается по формуле:

Для построения нагрузочной прямой по переменному току воспользуемся двумя точками:

Ø при

Ø при

Рис 5. Нагрузочная прямая КТ301В по переменному току

Построение сквозной характеристики

По точкам пересечения нагрузочной прямой по переменному току с выходными характеристиками строим сквозную характеристику I_к(U_бэ).

Iб, мА		0,025	0,05	0,075	0,1	0,125
Iк, мА	0,2	1,1		3,2	4,2
Uбэ, В	0,3	0,5	0,55	0,62	0,65	0,67

Рис 6. Сквозная характеристика транзистора КТ301В