Снять семейство входных характеристик транзи-

стора Iс=f(Uзи) при Uси=Const=15В. Для этого изменяется напряжение источника Uз в интервале от напряжения отсечки до нуля (6 – 10 точек, например, через 0.2 В) и фиксируется ток стока Ic. Результаты измерений сведите в таблицу 6.

6. Повторить опыт для Uс=5В, для чего изменить напряжение источника Ес с 15 В до 5В. Результаты свести в таблицу.

Таблица 6

	Uз В		0,2	0,4	0,6	...	Uзиотс
Uс=15В	Ic мА	Icmax					Icmin
Uс=5В	Ic мА	Icmax					Icmin

7.Снять семейство выходных статических характеристик Iс=f(Uси) при Uз=Const. Предварительно нужно определить значения напряжения на затворе, при которых будут сниматься характеристики. Выберем приращение DUз=[Uзиотс]/4.Рекомендуется взять ближайшее кратное пятии значение. Напряжение Uси изменять от нуля до Uси_доп, но не более чем до 20В. Выходные характеристики снимать при Uз=0, Uз=0,2Uзотс, Uз=0,5Uзотс, Uз=0,7Uзотс. Результаты измерений занести в
таблицу 7.

Таблица 7

Uси(В)		0.2	0.5
Uз=0	Iс
Uз=0,2Uзотс	Iс
Uз=0,5Uзотс	Iс
Uз=0,7Uзотс	Iс

8. Построить графики статических входных Iс=f(Uзи) (сток-затворных) и выходных Iс=f(Uси) (стоковых) характеристик.

Определить крутизну характеристики транзистора при нормальной (27ºС) температуре.

S = DIc/DUз [mA/B] при напряжении Uси=10В и
Uзи=0,2Uзотс, коэффициент усиления М = DUcи/DUз.

Вершины характеристического треугольника должны совпадать со значениями таблицы 6.

На линейном участке выходной характеристики построить характеристический треугольник и определить параметр rси=DUcи/DIc при Uси =10В и напряжении Uзи=0,5Uзотс,крутизну S = DIc/DUз. Вершины треугольника должны совпадать со значениями в таблице 7.

В средине треугольника выделить точку, спроектировать ее на оси тока и напряжения и по полученным значениям Ucи и Ic вычислить сопротивление канала транзистора постоянному току Ro = Ucи/Ic. Сравнить полученную величину с сопротивлением rси.

Вычислить статический коэффициент усиления транзистора М=S_*rси.

Содержание отчета

Отчет должен включать:

– Цель работы.

– Схему исследования.

– Определение Uзи_отс.

– Таблицы с результатами измерений.

– Графики входных и выходных характеристик с построенными на них характеристическими треугольниками.

– Статические параметры транзистора.

– Выводы.

Режим работы транзистора по постоянному току

Цель работы

Изучить режим работы биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером на постоянном токе. Определить параметры каскада на постоянном токе.

Порядок выполнения работы

1. На коллекторных характеристиках транзистора, снятых при выполнении работы «Характеристики и параметры биполярного транзистора», построить нагрузочную прямую. Величину Е_К выбрать в диапазоне 15 – 20 В, ток насыщения I_КНАС выбрать вблизи перегиба коллекторной характеристики, снятой при максимальном токе базы, но не более 12мА. Определить величину сопротивления в цепи коллектора R_К=Е_К/I_КНАС и выбрать ближайшее большее значение из ряда Е12 (1; 1,2; 1,5; 2,2; 2,7; 3,3; 3,9; 4,7; 5,6; 6,8; 8,2). Провести нагрузочную прямую для выбранного сопротивления. На нагрузочной прямой установить рабочую точку

13