Модуляция ширины канала

 
  модуляция ширины канала - student2.ru

В рабочем режиме по каналу протекает ток IС, поэтому потенциалы раз­личных поперечных сечений оказываются неодинаковыми, рис.9.5 (для примера показан транзистор с каналом p- типа, напряжение на затворе – положительное, а на стоке - отрицательное).

Рис. 9.5Модуляция ширины p- канала

ПотенциалUCх, распре­деленный вдоль канала, меняется от 0(у земляного вывода) у истока до UCу стока.

Оба напряженияUЗИ(положительное) иUCх(отрицательное)являются запирающими для p-n перехода.

Наибольшим будет сечение канала возле истока, где напряжение на переходе Upn = U, и наименьшим возле стока, где Upn = UЗИ - Uc.

Если увеличивать напряжение на стоке Uc,то увеличение IС, начиная с некоторого

значения Uc, прекратиться, т.к. сужение канала будет увеличивать его сопро­тивление и увеличения тока, несмотря на увеличение напряжения, происходить не будет. Этот процесс называется насыщением.

При относительно большом напряжении Uc, когда UСИ + U > Upn допуст, в сто­ковом участке обратно включенного управляющего p-n перехода возникает электрический лавинный пробой и IС резко возрастает. Этот ток замыкается через электрод затвора.

Условное графическое обозначение полевого транзистора с управляющим p-n переходом:

модуляция ширины канала - student2.ru

Рис. 9.6 Условные обозначения полевого транзистора, имеющего канал n-типа (а) и

p-типа (б). Стрелка в выводе затвора указывает направление прямого тока через р-n переход

Наши рекомендации