Получение выходной характеристики биполярного транзистора (ОЭ) на экране характериографа
папка: “_lab\tr_bip”
имя: “tr_bip_oe_03.ewb”
Описание схемы
выходная характеристика: IК= f(UКЭ) | IБ-const
Пилообразное напряжение с генератора GEN ( U = 10 В, f = 1 Гц) через ограничительный резистор подается на коллектор транзистора.
В течении первой секунды работы схемы ток базы 10 мкА, далее реле времени TR1, TR2, TR3 через 1 сек на 1 сек подключают источники тока 50, 100 и 200 мкА.
 |
На горизонтальные пластины подается напряжение канала А, а на вертикальные – канала В, т.е на горизонтальные – напряжения на коллекторе транзистора, на вертикальные – коллекторный ток транзистора. Таким образом, мы можем наблюдать семейство выходных характеристик транзистора прямо на экране осциллографа.
В данной схеме источник напряжения управляемый током служит для снятия коллекторного тока транзистора.
Порядок выполнения работы
1. Открыть файл со схемой рис.3.4.
Для этого в меню программы выбрать File \ Open, в каталоге “_lab\tr_bip” найти файл “tr_bip_oe_04.ewb”, выделив его, нажать “ОК”.
2. Запускаем и выключаем схему.
включить тумблер в верхнем правом углу, после того как схема отработала пять секунд модельного времени – схему отключить. Для этого необходимо нажать на тот же тумблер. Существуют горячие клавиши: Включить {Ctrl-G}, Отключить {Ctrl-T}.
3.Просмотр/редактирование/сохранение результатов моделирования
В меню выбрать Analysis / DisplayGraph, или нажать на иконку.
Во вкладке Oscilloscope находятся результаты полученные осциллографом в ходе процесса моделирования. Можно менять диапазон по абсцисс/ординат (вкладка BottomAxis/LeftAxis соответственно в Graph Properties), вкл/выкл сетку (ToggleGrid в выпадающем меню), надписи на осях и главную надпись ( в Graph Properties). После этого результаты можно: перерисовать, скопировать для вставки в другие приложения, сохранить в текстовом или внутреннем форматах.
Семейство выходных характеристик биполярного транзистора (ОЭ) с учетом масштаба по каналам А и В перерисовать в отчет.
Снятие выходных характеристик биполярного транзистора (ОБ)
папка: “_lab\tr_bip”
имя: “tr_bip_ob_01.ewb”
Описание схемы
выходная характеристика, ОБ: IК= f(UКБ) | IЭ-const
Переключателем SS задается ток эмиттера IЭ.
Параметром Offset генератора GEN задается напряжение, прикладываемое через ограничительный резистор к коллектору транзистора.
Порядок выполнения работы
1. Открыть файл со схемой рис.3.5.
Для этого в меню программы выбрать File \ Open, в каталоге “_lab\tr_bip” найти файл “tr_bip_ob_01.ewb”, выделив его, нажать “ОК”.
2. Снять характеристики при токе эмиттера IЭ=1 мА:
- переключатель SS подключен к источнику тока1мА;
- первая точка: значение Offset генератора выставить в 0 В, включить схему (включить тумблер в верхнем правом углу) снять значения с амперметра и вольтметра с учетом множителей: μ – микро-, m – милли-, выключить схему (тем же тумблером). Значение Offset генератора изменять от 0 до 20 Вольт с рекомендуемым шагом (задан в таблице), снять показания приборов и занести их в таблицу 3.2.
3. Снять характеристики при токе эмиттера IЭ=10 мА:
- переключатель SS подключен к источнику тока10 мА;
- значение Offset генератора изменять от 0 до 20 Вольт с рекомендуемым в таблице шагом и снять показания приборов.
Все измерения занести в таблицу 3.2.
Таблица 3.2.
| IЭ, мА | Offset | |||||||||||
| U, В | ||||||||||||
| I, мА | ||||||||||||
| U, В | ||||||||||||
| I, мА |
По результатам построить статические выходные характеристики транзистора по схеме с общей базой.